69014

Високочастотні властивості p-n структур

Лекция

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Таким чином при прямій напрузі електрони переходять із однієї області у іншу без витрат енергії утворюючи струм. В цьому випадку навпроти заповнених рівнів pобласті знаходяться заповнені рівні nобласті і електрони здійснюють тунельні переходи з ВЗ pн п в ЗП nн п в обох напрямках і сумарний...

Украинкский

2014-09-28

188.5 KB

0 чел.

7. Високочастотні властивості p-n структур

7.1 Тунельний ефект

Хід  ВАХ діода залежить  від  концентрації  домішок  в p- та n-областях. На рис. 6.1 зображено ВАХ p-n переходів з різною концентрацією домішок.

Рис. 7.1. ВАХ p-n переходів з різною концентрацією домішок

Характеристика (1) відповідає ВАХ звичайного p-n перехода (приблизно 1016 атомів домішок в 1 см3).

З ростом концентрації домішок зворотна провідність н/п зростає, і якщо вона стає більшою, ніж пряма (домішок приблизно 1018 в 1 см3), то провідному напрямку буде відповідати зворотня гілка ВАХ, а зворотньому – пряма (2). Тому діоди з такою ВАХ називають оберненими.

Якщо домішок більше, ніж 1019 на 1 см3(характеристика 3), то в p-n структурі виникає тунельний ефект.

При великій концентрації домішок товщина p-n переходу буде дуже малою (до 0,01 мкм), а напруженість електричного поля – дуже високою. В цьому випадку положення енергетичних зон змінюється, рівні Фермі зміщуються в ЗП n-області і в ВЗ p-області.

По обидва боки p-n переходу зявляються однакові енергетичні рівні зони провідності (ЗП) та валентні зони (ВЗ). За цих умов, як відомо із фізики, електрон, що має енергію, недостатню для переходу через потенціальний бар’єр p-n переходу, все ж таки долає його, якщо за бар’єром є такий самий вільний енергетичний рівень, як і той, на якому він знаходився перед бар’єром. Він залишає одну область напівпровідника з енергією, з якою входить у другу.

Таким чином, при прямій напрузі електрони переходять із однієї області у іншу без витрат енергії, утворюючи струм.

Отже, тунельний ефект – це явище переходу електронів крізь потенціальний бар’єр p-n переходу без витрат додаткової енергії.

Рис. 6.2. Енергетичні діаграми p-n переходу тунельного діоду.

Розглянемо на енергетичних діаграмах вплив тунельного ефекту на ВАХ p-n переходу при різних прикладених напругах (рис. 6.2).

А. Напруга на p-n структурі відсутня U=0. В цьому випадку навпроти заповнених рівнів p-області знаходяться заповнені рівні n-області і електрони здійснюють тунельні переходи з ВЗ p-н/п в ЗП n-н/п в обох напрямках і сумарний струм буде відсутній Iтун=0 (точка А рис. 6.3).

Б. На p-n структуру подана зворотня напруга U= Uзв. Енергетичні зони розміщуються так, що проти заповнених рівней ВЗ p-області знаходяться вільні рівні ЗП n-області. Виникає потік електронів (Iтун) із ВЗ p-області в ЗП n-області, що значно збільшує зворотний струм преходу (точка Б на рис. 6.3). В звичайних же p-n переходах зворотний струм малий, оскільки він утворюється екстракцією неосновних носіїв заряду, які мають невелику концентрацію.

В. На p-n структуру подана пряма напруга. Заповнені рівні ЗП n-області стають проти вільних рівнів  ВЗ p-області. Починає переважати тунельний перехід    електронів    із    ЗП    n-області    в    ВЗ    p-області.  Тунельний    струм    буде більший, ніж звичайний дифузійний. Він досягає максимума (точка В на рис.6.3).

Г. З подальшим збільшенням напруги Uпр перекриття заповнених вільних рівнів зменшується і тунельний струм зменшується. Коли ЗП n-області розташовується навпроти ЗЗ p-області, тунельний струм стає мінімальним (точка Г рис 6.3).

Д. При ще більшій напрузі перекриття рівнів зникає і струм стає чисто дифузійним Iдиф  і зростає з напругою Uпр (точка Д рис 6.3).

Рис. 6.3. ВАХ p-n переходу з тунельним ефектом

6.2 Обернені та тунельні діоди

Обернені діоди мають концентрацію домішок 1018 в 1 см3. У них рівні Фермі на енергетичній діаграмі збігаються з рівнями зон, а зворотня провідність у них вища за пряму, тому провідному напрямку буде відповідати зворотня гілка ВАХ, а протилежному – пряма (крива 2 на рис. 6.1). Обернені діоди працюють в основному з подачею зворотної напруги, але для стабілізації струму використовується горизонтальна ділянка ВАХ при прямій напрузі.

Робота тунельних діодів заснована на тунельному ефекті. При високій концентрації домішок і малій ширині p-n переходу з подачею прямої напруги виникає струм, який наближається до найбільшого значення і стає максимальним вже при малих напругах, а при подальшому збільшенні напруги кількість електронів, здатних подолати бар’єр, зменшується, і струм швидко спадає. Із ВАХ тунельного діода видно, що на відміну від звичайних діодів тунельні діоди добре проводять струм не тільки в прямому, а і в зворотньому напрямку. Особлива відмінність ВАХ тунельного діода в тому, що вона має ділянку, на якій з ростом прямої напруги прямий струм спадає (ділянка АБ на рис. 6.5), що відповідає негативному диференціальному опору.

Для виявлення енергетичного змісту негативного опору, розглянемо ланцюг, який містить джерела постійної E і змінної U(t) напруги і тунельний діод VD (рис. 6.4).

Рис. 6.4. Енергетичний зміст негативного опору

Нехай значення постійної напруги E буде посередині ділянки ВГ, а амплітуда змінної напруги Um не виходить за межі значень напруги UI макс і UI мін (рис. 6.5).


Рис. 6.5.

За  відсутності змінної напруги в ланцюгу буде протікати постійний струм I0 і діод буде споживати потужність

P0=I0E0

Якщо в ланцюзі поряд з постійною напругою E0 діє гармонічна напруга U(t), то значення струму буде змінюватись з часом. При амплітуді Um напруги U(t) початкова фаза струму i(t) відрізняється від фази напруги на 180. При такому фазовому зсуві потужність, яка споживається діодом по змінному струму, стає негативною.

P0=-I0E= I02(-R)= -I02R,

Тобто потужність на негативному опорі віддається в зовнішній ланцюг. Діод стає джерелом енергії. Включення його в ланцюг дозволяє компенсувати втрати енергії.

Негативний опір є зручною математичною абстракцією, а не звичайною (реальною) фізичною величиною.

Основні параметри тунельних діодів.

  •  Піковий струм: Iмакс – прямий струм в точці максимуму ВАХ (декілька mAдекілька A).
  •  Струм западини: Iмін – прямий струм в точці мінімуму ВАХ.
  •  Напруга піка: UI max – пряма напруга, яка відповідає піковому струму.
  •  Напруга западини: UI min – пряма напруга,яка відповідає струму Iмін
  •  Напруга розтину: Up – пряма напруга на другій гілці при піковому струмі.
  •  Ємність діода Cд – сумарна ємність p-n переходу та корпусу діода при заданій напрузі зміщення.

  •  Відношення

  •  Диференційна провідність діода (крутість), сотні

Переваги тунельних діодів:

  •  висока межова частота (декілька сотем гГц). Це повязано з тим, що струм в тунельному діоді створюється основними носіями, проходження яких не повязано з нагромадженням нерівноважного заряду, перехід крізь тунель проходить за короткий час (10-13 с);
  •  мала споживна потужність;
  •  широкий діапазон робочих температур – оскільки при тунельному переході електрони не витрачають енергію;
  •  стійкість перед радіаційним випромінюванням;
  •  малі габарити і вага;
  •  малий рівень шумів;
  •  наявність негативного опору робить можливим компенсацію втрат, які вносяться навантаженням.

Недоліками їх є великий електричний зв’язок між входом і виходом; мала вихідна потужність приладів, створених на їх основі; несумісність з технологією виготовлення ІМС.


6.3 Бар
єр Шоттки

На межі напівпровідника та металу електорни з напівпровідника можуть переходити в метал і навпаки. Цей процес визначається роботою виходу електронів із металу та н/п (енергією Фермі).

Якщо робота виходу електронів із металу буде більшою роботи виходу електронів із н/п, то електрони будуть переходити з н/п в метал (рис. 6.6).

Рис. 6.6. Структура барєра Шоттки

В цьому разі в приконтактному шарі н/п, з якого електрони ідуть у метал, виникає нескомпенсований обємний позитивний заряд іонів-донорів, тобто н/п заряджається позитивно, а метал – негативно. Виникає контактна різниця потенціалів к, а електричне поле E, яке спрямовано з металу в н/п, буде протидіяти подальшому переходу електронів.

Це означає, що на межі М-н/п виникає перехід, який буде мати випрямні властивості, аналогічні p-n переходу. ВАХ металонапівпровідникових переходів така ж, як і ВАХ p-n переходу.

Опір переходу М-н/п залежить від полярності і рівня прикладеної напруги:

  •  якщо напруга, яка прикладена “-“ до н/п n-типу, а “+” до металу, є прямою, то цьому випадку потенційний барєр для електронів зменшується і струм електронів із н/п в метал зростає;
  •  при зворотній напрузі потенційний барєр зростає і струм стає малим.

Таким чином, діод Шоттки – це такий н/п діод, робота якого заснована на явищах на межі переходу метал-н/п.

Особливістю діода Шоттки є те, що в ньому немає нагромадження зарядів, як у звичайному p-n переході.

В діоді Шоттки весь прямий струм, який проходить з напівпровідника в метал, створюється електронами, які швидко приходять до рівноваги з іншими електронами в металі, в них немає дифузії і рекомбінації.

Таким чином, перевагами діодів Шоттки є:

  •  мала дифузійна ємність (завдяки малому нерівноважному заряду);
  •  велика швидкодія і гранична частота (до 500 ТГц);
  •  високий ККД;
  •  висока теплова стійкість (Т до 500С);
  •  малий коефіцієнт шуму;
  •  мале падіння напруги в прямому напрямку.

На основі структури Шоттки створюються діоди, транзистори  та ІМС. Вони використовуються в детекторах і змішувачах, помножувачах і перетворювачах СВЧ-діапазона, при перемиканні, в потужних випрямних діодах. Залежність ємності зворотнозміщеного переходу Шоттки від напруги дозволяє використовувати його як конденсатор для електричної підстройки частоти коливального контура.

6.4 Переходи з p-i-n структурою

Існують діоди, в p-n переході яких концентрація носіїв близька до власної концентрації н/п (i-шар). Домішки в i-шарі відсутні, тому на ньому буде падати більша частина прикладеної напруги.

Особливістю цих переходів є мала і постійна бар’єрна ємність, що дозволяє їх застосовувати в НВЧ-електроніці (ГГц).

ВАХ p-i-n діодів наведено на рис. 6.7.

Рис. 6.7. ВАХ p-i-n діодів

Структура переходу з p-i-n структурою і розподіл концентрації та електричного поля наведено на рис. 6.8.

Рис. 6.8. Діод з p-i-n структурою:

а – структура; б – концентрація домішок; в – електричне поле.


Uзв

e(φк+Uзв)

Iдиф

Iтун

-

Iтун

Iтун=0

+

+

-

U=0

ЗП

ЗП

ЗЗ

ЗЗ

ВЗ

ВЗ

А

eφк

n

p

1019 см-3

1016 см-3

1018 см-3

3

2

1

3

2

1

0

WF

I

U

ЗП

ЗП

ЗЗ

ЗЗ

ВЗ

ВЗ

Б

n

p

-

e(φк-U2)

-

U1>0

e(φк-U1)

ЗП

ЗП

ЗЗ

ЗЗ

ВЗ

ВЗ

В

n

p

Не заштриховані зони в ЗП і ЗЗ – це вільні енергетичні рівні.

Заштриховані – заповнені електронами енергетичні рівні

-

Iтун

U2> U1

ЗП

ЗП

ЗЗ

ЗЗ

ВЗ

ВЗ

Г

n

p

e(φк-U3)

Iдиф

-

Uпр

U3> U2

ЗП

ЗП

ЗЗ

ЗЗ

ВЗ

ВЗ

Д

n

p

Iпр

A

Б

В

Г

Д

Um

E

U(t)

VD

t

Up

Б

А

i

t

I0

E

UI min

UI max

U

U

t

i

n

метал

н/п

м

E

к

eм>en

i-шар

p

n

E

x

в

б

Nд

Nа

x

I

U

i-шар

n

p

Iдиф

Iдиф

Iмакс

Iмін

а


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

53469. Использование ролевых игр на уроках иностранного языка 33.5 KB
  Иногда ролевая игра носит характер уподобления т. Объектом данного исследования послужила ролевая игра как форма взаимодействия учащихся на уроке иностранного языка. Ролевая игра это речевая игровая и учебная деятельность одновременно. Таким образом можно сформулировать важнейшее для теории ролевой игры положение: ролевая игра возникает в ходе исторического развития общества в результате изменения места ребенка в системе общественных отношений.
53470. Подарок ко Дню 8 Марта 48.5 KB
  И сегодня мы будем с вами делать цветок на 8 Марта. Но цветок будет необычный а с помощью гофрирования. Сейчас мы с вами попробуем с помощью гофрирования сделать вот такой цветок. Один отложим в сторону а на другом будет наш цветок.
53471. Простудные заболевания 37.5 KB
  Познавательные: Сформировать понятия: симптом, патогенные микроорганизмы (вирусы; микробы: бактерии, грибы), респираторный. Воспитательные: Формирование сознательного, ответственного отношения к своему здоровью.
53472. Рання статева близькість - за і проти». Захворювання статевих органів. Венеричні захворювання, їх профілактика 86 KB
  1 група ЗА 1 учень 1314 років це період статевого дозрівання період коли організм виробляє велику кількість статевих гормонів коли виникає тяга до протилежної статі. 2 учень Іноді статева близькість відбувається в результаті того що дівчина боїться втратити коханої людини. 3 учень Відповідно до статистики більшість підлітків вступають у статевий зв'язок у 1415 років. 4 учень Ви знаєте що в Донбасі жахливе навколишнє середовище.
53473. 3 історії виникнення української писемності та мови 78 KB
  Ушинський Мета: 1 ознайомити учнів із витоками з´ясувати історичний шлях розвитку української писемності та мови її місце серед інших мов; 2 сприяти формуванню елементарних вмінь аналізу різноманітної інформації закріпити навички виразного читання; 3 формувати естетичні уявлення учнів; 4 виховувати почуття патріотизму і пошану до рідної мови та літератури інтерес до історичного минулого. Ми з вами визначаємо свято День української писемності та мови. На сьогоднішньому уроці ви дізнаєтесь про витоки нашої мови її місце серед інших...
53474. Оптимизация процедуры Newman_sort, особенности 19.39 KB
  Формирование результирующего упорядоченного массива осуществляется по этапам. На нулевом этапе считаем, что т исходный массив состоит из кусков, содержащих не менее одного элемента.
53475. Ценностно-ролевая готовность выпускников ВУЗа и персонала промышленного предприятия к работе в условиях инноваций 69.42 KB
  Цель работы: Выявить характеристики ценностно–ролевовой готовности выпускников ВУЗа (на примере финансового факультета и факультета социальных наук ) к работе в условиях инноваций.
53476. Учебное пособие по истории средних веков 2.21 MB
  Урок 5: Образование Франкского государства. Возникновение ислама образование единого государства. Урок 32: Образование централизованного государства в Англии. Урок 36: Завершение складывания централизованного государства в Англии.
53477. Жива історія школи 48 KB
  2012 рік Жива історія школи Мета. Познайомити учнів зі сторінками історії школи через спілкування з випускниками вчителями батьками в телестудії. Дорогі гості шановні колеги сьогодні ми зібралися у кабінеті історії з особливої нагоди відзначити День народження нашої школи. День народження школи це свято всього села Васильківське а також сіл Запоріжжя Русаково Куніново Сидоренково.