69024

Частотні властивості польових транзисторів

Лекция

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Це знижує ефективність управління затвора вхідною напругою Uзв. 1б струм джерела SU1 визначається не повною вхідною напругою Uзв а напругою U1 між затвором і каналом яка відрізняється від напруги Uзв падінням на опорі області каналу rк U1 = = Зі зростанням частоти напруга U1 зменшується тому...

Украинкский

2014-09-28

272.5 KB

2 чел.

                                         ЛЕКЦІЯ №12

Частотні властивості польових

транзисторів

Зі зростанням частоти параметри польових транзисторів ( ПТ ) погіршує- ться : зменшується вихідна потужність  Pm вих , вхідний Rвх і вихідний Rвих

опір , коефіцієнт підсилення за напругою KU ,може зявитися  самозбудження.                                                                                            

Це обумовлюється головним чином впливом небажаних розподільних ємностей :        -  затвор-витік Сзв,

  •  стік-затвор Ссз ,
  •  затвор-канал Сзк

і опорів не перекритої rк та перекритою Rі частини каналу

                                                                                                                   

                                                                                               б

                                                                                                

                                                                                                   в

           а

Рис.1. Моделі польового транзистора:

            а- фізична;  б- повна схема заміщення;   в- спрощена схема заміщення

Ємності Сзв  і  Ссз шунтують вихідний опір попереднього каскаду. Крім  того, ємність Сзк обумовлює появу в ланцюгу затвор-канал-витік вхідного струму, який призводить до падіння напруги на опорі каналу   rк . Це знижує ефективність управління затвора вхідною напругою Uзв .

Ємність Сзс є прохідною. Вона обумовлює зворотній зв’язок між вихідним та вхідним ланцюгами.

 

Вплив ємності Сзк враховують збільшенням ємності затвор-витік

Сзв=+ Сзк   .

Повна схема зміщення  ПТ ( рис. 1,б)  має крім вказаних елементів, ще його внутрішній опір Rі і джерело струму SU1, яке враховує підсилювальні влас- тивості транзистора. На схемі   ( рис. 1,б)  струм джерела SU1  визначається  не повною вхідною напругою Uзв, а напругою U1 між затвором і каналом, яка відрізняється від напруги Uзв падінням на опорі області каналу rк  

U1 =  =

Зі зростанням частоти напруга U1 зменшується , тому зменшується і ам- плітуда змінної складової вихідного струму ImC .

Зменшення вихідного струму транзистора на високих частотах враховують введенням частотної залежності крутості

                              S ( j ) = .                              ( 1 )

 Якщо прийняти, що U1 = Uзв , то можна перейти до спрощеної схеми

( рис. 1, в).

Параметрами польових транзисторів є :

С11 – вхідна ємність при короткому замкнені КЗ на виході;

С22 – вхідна ємність при КЗ на вході ;

С12 – прохідна ємність при КЗ на вході ;

Виразимо ці параметри через ємності схеми заміщення ( рис. 1, в) і навпаки

 С11 = Сзв + Ссз                            Сзв = С11 - С12

 С22 = Ссв + Ссз                             Ссв = С 22 -  С12

 С12 = Ссз                                           Ссз = С 12  ,

Використовуючи схему заміщення ( рис.1, в) можна знайти Y- параметри тран- зистора

Y11 = i ( Cзв + Ссз )          Y21                   (2)

Y12 = -jCсв                         Y22 =  +j( Ccв + Ссз)

Як виходе з (9.22), пряма провідність Y21 є крутістю S(  jw ) і залежить від опору rк  і ємності Сзк

  Частотними параметрами ПТ є :

  •  межова частота прямої передачі ;
  •  верхня межова частота

Y21 =  ,

якщо ws =      або ws = 2π fs     де         fs =

Частоту fs  називають межовою частотою прямої провідності. На ній пряма провідності зменшується в  разів відносно крутості на нульовій частоті S0 (рис.2,а).

                            а                                                        б

Рис.2. Частотні залежності параметрів ПТ:    а- Y21 =  ( f );  б- КU = ( f )

 Одначе необхідно памятати , що значення fs , яке визначається пара-метром Y21  знаходиться при короткому замкнені на виході , при якому значен-ням ємності Ссв нехтують. Тому в реальних схемах коефіцієнт передачі буде меншим завдяки наявності ємності Ссв1 , яка шунтує резистор навантаження Rн . Крім того, цей резистор шунтує і вхідну ємність Сзв2  наступного каскаду ( рис.3)

 

Рис.3.  Вплив небажаних ємностей  на вихід каскаду 1 підсилювача

З урахуванням цього, високочастотні властивості транзистора оцінюють верхню межовою частотою в . Для її знаходження запишемо формулу вихідного опору транзисторного каскаду за схемою  рис.3.

Z = =

 Коефіцієнт підсилення визначиться за формулою

КU =S|Z|,

де             |Z|= .

Ця формула дозволяє знайти верхню частоту підсилення fв, на якій коефіцієнт підсилення за напругою КU  н

КU =

зменшується в  раз відносно його значення при w = 0, К0 =S0Rн ( рис.2).

wв=  ;  wв = 2πfв

                                 fв =                                   (5)

З формули виходе, що для покращення частотних властивостей польових транзисторів необхідно зменшувати ємності Ссв1 , Сзв2 і опір  навантаження RН . Однак при зменшенні опору RН зменшується коефіцієнт КU .

Тому для визначення частотних властивостей підсилювача зручно використовувати добуток верхньої  частоти  fв на коефіцієнт на підсилення КU , який зветься коефіцієнтом широкосмуговості

КU fв =

Він залежить тільки від параметрів польового транзистора Сзв , Ссв , S0 .

Значний вплив на роботу транзистора на високих частотах має прохідна ємність Ссз1 , яка утворює зворотній звязок вихід-вхід за напругою. При збіганні фази цієї напруги з фазою вхідної напруги може виникати самозбудження. Ймовірність його зростає зі збільшенням частоти і коефіцієнта КU .

Для запобігання самозбудження підсилювача, частота вхідного сигналу не повинна перевищувати частоти сталого підсилення

f = 0.028 

Наприклад, для транзистора  2П306А, який має частоту  fs = 300 мГц, межова частота  fв  = 16 мГц, а частота самозбудження 60 мГц.  

12.2. БУДОВА , ПРИНЦИП РОБОТИ ТА СТАТИЧНІ                           ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА                            З ІНДУКОВАНИМ      КАНАЛОМ  

      Це транзистори , у яких затвор відділений  від каналу шаром діалектрика – найчастіше двуокисом силіцію SiO2 .Основу транзистора з ізольованим затвором складають: силіцієва пластина (підложка), наприклад, n-типу(рис.12.6).

      По краях пластини створюються дві сильноліговані p+-області витоку (В) і стоку (С). На їх поверхні напиляють плівки алюмінію і припаюють виводи . Поверхню напівпровідника , між стоком та витоком , покривають шаром SiO2. На цей шар напилюють плівку алюмінію, до якої припаюють вивід. Цей вивід є затвором (З).

     В області затвору, таким чином, знаходиться тришарова структура: метал-діалектрик-напівпровідник, звідси і назва МДН-транзистори.

       МДН-транзистори можуть бути з індукованим n- або р- каналом збагаченого типу (рис.12.5, а) та з вбудованим р- або n-  каналом збідненого типу(рис.12.5,б)

                      р-канал                                     n-канал

                       р-канал                                         n-канал

                                  Рис.12.5. Типи МДН – транзисторів:

                                   а - збагаченого типу ; б – збідненого типу

      Найбільшого поширення отримали  МДН-транзистори з індукованим каналом  р-типу та з вбудованим каналом n-типу.

      В зв’язку з тим , що затвор ізольований від підложки діалектричним слоєм, струм  в ланцюзі затвора  дуже малий , також мала потужність споживана від джерела сигналу в ланцюзі затвора.

      До переваг МДН-транзисторів відносяться:

-мала чутливість до дефектів кристалічної структури;

-висока економічність;

-високий вхідний опір (зважаючи на малий струм в ланцюзі затвора);

-високе значення граничних частот -до 10 ГГц (завдяки малій вхідній ємності).

      До недоліків   МДН-транзисторів відносяться висока чутливість до радіаційного опромінення та статичної напруги.

12.2.1. БУДОВА , ПРИНЦИП РОБОТИ

      При відсутності напруги  UЗВ і за наявності напруги UСВ опір між стоком і витоком, що визначається двома підключеними назустріч р-n переходами, великий , а струм ІС дуже малий (10-9...10-10А). Канал відсутній (рис.12.6, а).

      З подачею напруги UЗВ<0 в напівпровіднику виникає електричне поле, яке вилучає електрони поверхневого шару підложки в області затвора в глубину підложки і притягує дірки  з p+-областей стоку і витоку до поверхні затвору. Концентрація дірок в підзатворній області зростає , але до певного значення концентрації вони зв’язані і не можуть забезпечити електропровідність каналу. Лише при збільшенні напруги UЗВ до значення , яке називається пороговим   UЗВ ПОР , в поверхневому шарі затвора концентрація електронів знижується настільки , що він починає збагачуватись дірками , і тому виникає провідність поверхневого шару тобто з’являється (індукується) канал, а з ним і струм ІС . Зі збільшенням напруги UЗВ < 0 зростає концентрація дірок в каналі і його провідність.

 Рис.12.6.  Структури ПТ з індукованим каналом:

                                                        а-   при UЗВ=0  ;    б-  при UЗВ<0

      Висновок: Для утворення каналу в транзисторі з індукованим каналом до затвора необхідно прикласти зворотню (відносно витоку) напругу, більшу за порогову.

    

12.2.2. ПЕРЕДАТОЧНА ХАРАКТЕРИСТИКА

      В відповідності до розглянутого вище можна зобразити передаточну характеристику транзистора з індукованим р-каналом зі спільним витоком

          

                                   ІС=f( UЗВ)   при  UСВ = const

Передаточна характеристика починається з напруги на затворі , яка називається пороговою UЗВ ПОР та зростає за квадратичним законом (рис.12.7).

                                         ІС=а( UЗВ- UЗВ ПОР)2 ,

 

                   

  де                                     а= ,

         μns-поверхнева рухливість електронів;

         Wширина каналу;

         ∆- товщина підзатворного діалектрика;

          l –довжина каналу.

       Для збільшення ІС відношення довжини каналу до його ширини  пови

нно бути малим.

 Рис.12.7.  Передаточна ВАХ  ПТ

     

      Напруга UСВ мало впливає  на струм ІС . Порогова напруга в сучасних транзисторів має значення від 2,7 до 10В.

 

                            12.2.3. ВИХІДНА ХАРАКТЕРИСТИКА

      Вихідна характеристика представляє собою залежність

                       ІС=f( UСВ)   при  UЗВ = const

      Розглянемо її хід при UЗВ > UЗВ ПОР (рис.2).

      При UЗВ > UЗВ ПОР виникає канал, але якщо UСВ=0 , то струм ІС=0 і товщина індукованого каналу буде однаковою (рис.12.8 , а).

      При UСВ<0 в каналі з'являється струм стоку ІС (рис.12.8, б). Спочатку зі зростанням UСВ він буде зростати за лінійним законом, потім ввійде в насичення. Поява струму ІС призводить до спаду напруги на опорі каналу (вздовж нього). На значення цього спаду напруги зменшиться різниця потенціалів між затвором і каналом.

      Таким чином , сумарне поле буде різним по довжині каналу – при наближенні до стоку воно зменшується. Це призводить до звуження каналу і зменшення росту ІС зі зростанням UСВ.

 Рис.12.8  Структури підзатворної області ПТ з вбудованим каналом при зміні напруги UСВ:

                         а- UСВ=0 ;  б- UСВ<0 ;   в- UСВ= UСВ НАС ;   г- UСВ> UСВ НАС

      З подальшим збільшенням напруги UСВ до UСВ НАС канал поблизу стоку стає вузьким (рис.12.8 , в), що різко збільшує його опір. Струм ІС досягає значення    ІС НАС , яке майже не збільшується при подальшому зростанні напруги UСВ (рис.12.8 , г).

      На рис.12.9 зображено сімейство вихідних статичних характеристик. Характеристика при більшому UЗВ проходить вище інших, оскільки в цьому випадку канал  більше насичується дірками , ІС буде більшим і перехід в режим насичення відбудеться при більших напругах на стоці

                                      UСВ НАС= UЗВ- UЗВ НАС 

 

 Рис.12.9  Вихідні ВАХ ПТ

      Вихідні характеристики мають круту і пологу області та область пробою.

Круту область можна апроксимувати формулою

                                   ІС=b[(UЗВ-UЗВ ПОР)UСВ-] ,

де      b =                                                                                                                                                                 

         μрs-ефективна рухливість дірок в каналі;

         Wширина каналу;

         СЗК- питома ємність З-К;

          l –довжина каналу.

Для збільшення ІС  необхідно збільшувати b за рахунок відношення  (необхідний короткий і широкий канал), а також зменшити UЗВ ПОР (заміна металевого затвора кремнієвим зменшує UЗВ ПОР до 1,5 В).

      Полога частина характеристики описується формулою

                                            ІС=  (UЗВ-UЗВ ПОР)2 ,

тобто при насиченні струм ІС не залежить від напруги UСВ .

      В крутій області транзистор працює як єлектрично керований резистор , а в пологій – як підсилювач.

      При перевищенні електричних режимів в транзисторі виникає пробій р-n перехода під стоком або пробій діалектрика під затвором.

      Пробій р-n перехода під стоком виникає при великих напругах UСВ . На напругу UСВ ПРОБ впливає UЗВ : при збільшенні напруги UЗВ зростає UСВ ПРОБ .

      Пробій діалектрика під затвором може відбутись при напрузі на затворі в декілька десятків вольт. Цей вид пробою може виникнути внаслідок накопичення статичних зарядів , оскільки на вході опір МДН-транзисторів великий. Для виключення можливості такого пробою вхід МДН-транзистора часто захищають стабілітроном, котрий обмежує напругу UЗВ .

      Затвор МДН-транзистора і підложка, розділені шаром діалектрика, утворюють конденсатор. Великий опір витоку (близько 1012 Ом ) цього конденсатора створює сприятливі умови для нагромадження на ньому статичних зарядів з потенціалом, здатним спричинити необоротній пробій діалектричного шару. При цьому затвор транзистора не можна залишати вільним, не приєднаним  до спільної шини або шини живлення. Крім того , вхід транзистора захищають діодно-резистивним ланцюгом. В залежності від значення і полярності  напруги на вході діоди або проводять струм в прямому напрямі, або опиняються в режимі лавинного пробою, котрий настає при зворотній напрузі близько 30-35 В . Лавинний пробій діодів має оборотній характер.

         

           12.2.4.  ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ НА СТАТИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ

                МДН-ТРАНЗИСТОРА З ІНДУКОВАНИМ КАНАЛОМ

      З ростом температури рухливість носіїв заряду в каналі падає, що приводить до збільшення опору каналу, тобто до збільшення струму ІС . З іншого боку, при збільшенні температури збільшується концентрація неосновних носіїв в підзатворній області. Це призводить до зменшення порогової напруги на затворі. Цей фактор переважає в початковій області передаточних характеристик, де    значення UЗВ-UЗВ ПОР невелике. Тут зі зростанням температури збільшується і струм стоку (рис.12.10) при заданій напрузі UЗВ .

      В області , де значення UЗВ-UЗВ ПОР велике з ростом температури переважає вплив зменшення рухливості носіїв заряду, тому зростання струму стоку зменшується.

      Існує така напруга на затворі, при якій обидва фактори взаємокомпенсуються і температурний коефіцієнт буде дорівнювати 0. Точка Т на статичних характеристиках називається точкою температурної стабілізації. В ній при температурах Т1 і Т2 струм ІС не залежить від температури. Ця властивість польового транзистора може використовуватися для температурної стабілізації режиму.

                                  UЗВ Т = UЗВ ПОР +(0,8...2,4)В

 Рис.12.10  Термостабільна точка на передаточній ВАХ ПТ

      На жаль, практично термостабільні властивості ПТ не завжди можливо використати, оскільки термостабільна точка Т  знаходиться на нелінійній ділянці передаточної характеристики.

12.3. БУДОВА , ПРИНЦИП РОБОТИ ТА СТАТИЧНІ                             ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА З                   ВБУДОВАНИМ КАНАЛОМ

      Канал у транзисторі може бути вбудованим при виготовленні, шляхом створення між витоком і стоком тонкого шару напівпровідника з провідністю протилежною до провідності підложки. Такі транзистори називаються транзисторами з вбудованим каналом. Розглянемо принцип роботи ПТ
з
n-каналом .У такого транзистора, за присутності напруги UСВ , струм ІС  0  навіть за відсутності напруги UЗВ=0.

      При  напрузі UЗВ<0 і під дією електричного поля концетрація електронів  в каналі знижується (канал збіднюється), його провідність і струм ІС зменшуються.

 Рис.12.11  Структура транзистора з вбудованим n-каналом

      При  напрузі UЗВ>0 електричне поле переміщує електрони з об′єму напівпровідника в канал, збільшуючи його провідність. При цьому збільшується струм ІС (канал збагачується) .

      Таким чином , управління струмом ІС транзистора з вбудованим каналом можливе як позитивною так і негативною напругою затвора.

      При деякій напрузі UЗВ ВІД < 0 шар з протилежним  по відношенню до підложки типом провідності зникає, виникає відсічка каналу, при якій струм ІС зменшується до  0.

      Передаточна характеристика такого транзистора зображена на рис.12.12

                       Рис.12.12  Передаточні характеристики ПТ з вбудованим n-каналом

Для транзистора n-типу напруга UЗВ ВІД < 0, а для p-типу UЗВ ВІД > 0.

Вихідні характеристики ПТ зображені на рис.12.13

                                Рис.12.13.  Вихідні характеристики ПТ з вбудованим n-каналом

      З вихідних ВАХ виходить, що для n-каналу при відсутності напруги UЗВ буде існувати струм стоку ІС при позитивній напрузі UСВ він буде більшим, а при негативній напрузі UЗВ – меншим.

 

13


б

- UСВ

 p+

С

Каскад 1

Сзв2

Ссв1

Rн

Каскад  2

З

В

 p+

n

П

б

В

 p+

n

П

а

f

fВ

0

0

K0

KU

f

fs

Y21

S

З

С

 p+

- UСВ

UЗВ<0

UЗВ=0

а

- U ' СВ

- U ''СВ

- UЗВ

- UЗВ ПОР

|U ' СВ|>| U ''СВ|

ІС

0

UСВ<0

n

p

p

UСВ<UСВ НАС

UЗВ>UЗВ ПОР

UСВ=0

U(х)= UЗВ- UСВ

UСВ

UСВ=const

П

З

p

n

П

З

n

p

б

UЗВ<0

а

UСВ=UСВ НАС= UЗВ- UЗВ ПОР

UСВ>UСВ НАС

U(x)

U(x)=UСВ ПОР= UЗВ- UЗВ НАС

П

З

p

П

З

n

p

n

г

в

- UСВ

І 'С НАС

І ''С НАС

І '''С НАС

- U '''ЗВ

- U ''ЗВ

- U 'ЗВ

U 'СВ НАС

І С

U ''СВ НАС

U '''СВ НАС

|U '''ЗВ|>|U ''ЗВ|>|U 'ЗВ|

ІС

Т1 < Т2

Т

UЗВ Т

ІС Т

UЗВ

UЗВ ПОР1

UЗВ ПОР2

П

p

n+

В

З

С

 n+

+

,+

+,

П

С

В

З

+

+ ,

ІС

UЗВ

-UЗВ ВІД

UЗВ′′ > UЗВ

І С

U 'ЗВ<0

UСВ

U '''ЗВ>0

U ''ЗВ=0


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

11424. РЕГУЛИРОВКА ТОКА И НАПРЯЖЕНИЯ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЯХ 942.5 KB
  Лабораторная работа № 9 РЕГУЛИРОВКА ТОКА И НАПРЯЖЕНИЯ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЯХ ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Овладеть навыками подбора реостатов для регулировки тока и напряжения в электрических цепях. ПРИБОРЫ: 1. Источник питания РНШ для I части работы. 2. Источник питани...
11425. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОРЯДКА ВЕЛИЧИНЫ УДЕЛЬНОГО ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОНА 972.5 KB
  Лабораторная работа №11 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОРЯДКА ВЕЛИЧИНЫ УДЕЛЬНОГО ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОНА ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Научиться определять порядок величины удельного заряда электрона по отклонению электронного пучка в магнитном поле. ПРИБОРЫ: 1. Лампа 6Е5С 2. Катушка индуктивности о
11426. ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ СОЛЕНОИДА 1.95 MB
  Лабораторная работа № 12 ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ СОЛЕНОИДА ЦЕЛЬ РАБОТЫ: 1. Освоение двух методов измерения магнитной индукции: а измерение магнитной индукции с помощью датчика Холла т.е. с использованием одного из гальваномагнитных явлений; б измерение ...
11427. ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЯ МАГНИТНОГО ГИСТЕРЕЗИСА 1.3 MB
  Лабораторная работа № 15 ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЯ МАГНИТНОГО ГИСТЕРЕЗИСА ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Изучить физическую природу намагничивания диа пара и ферромагнетиков и ферритов. Исследовать зависимость величины индукции магнитного поля и величины относительной магнитной ...
11428. ИЗУЧЕНИЕ ВОЛЬАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА 46.5 KB
  Лабораторная работа № 16 ИЗУЧЕНИЕ ВОЛЬАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Исследовать униполярную проводимость полупроводникового диода. ПРИБОРЫ: 1. Осциллограф школьный. 2. Выпрямитель ВУП. 3. Вольтметр АСТВ 300 В 4. Вольтметр М 105...
11429. ИЗМЕРЕНИЕ МАГНИТНОЙ ВОСПРИИМЧИВОСТИ ПАРАМАГНИТНОЙ ЖИДКОСТИ МЕТОДОМ КВИНКЕ 623 KB
  Лабораторная работа №17 ИЗМЕРЕНИЕ МАГНИТНОЙ ВОСПРИИМЧИВОСТИ ПАРАМАГНИТНОЙ ЖИДКОСТИ МЕТОДОМ КВИНКЕ ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Овладеть методом Квинке для определения магнитной восприимчивости парамагнитной жидкости. Определить удельную магнитную восприимчивость раст...
11430. ЗАКОН ОМА В ЦЕПЯХ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА 329.5 KB
  Лабораторная работа №18 Часть I ЗАКОН ОМА В ЦЕПЯХ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА ЦЕЛЬ: 1. Овладеть методикой измерения L и С убедиться в выполнимости закона Ома для цепи переменного тока. ПРИБОРЫ: 1. Регулятор напряжения школьный РНШ 55. 2. Вольтметр Э 515 75 600 B. 3. Ампермет...
11431. ОПРЕДЕЛЕНИЕ МОЩНОСТИ В ЦЕПИ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА 257.5 KB
  Часть II. ОПРЕДЕЛЕНИЕ МОЩНОСТИ В ЦЕПИ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА Цель задания: 1 Овладеть методикой измерения мощности в цепи переменного тока. 2 Определить угол сдвига фаз в цепи переменного тока используя ваттметр. Оборудование: к перечню приборов необходимых для выполн...
11432. ОПРЕДЕЛЕНИЕ СДВИГА ФАЗ МЕЖДУ ТОКОМ И НАПРЯЖЕНИЕМ В ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ ЦЕПИ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА МЕТОДОМ ФИГУР ЛИССАЖУ 231.5 KB
  Лабораторная работа № 19 ОПРЕДЕЛЕНИЕ СДВИГА ФАЗ МЕЖДУ ТОКОМ И НАПРЯЖЕНИЕМ В ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ ЦЕПИ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА МЕТОДОМ ФИГУР ЛИССАЖУ ЦЕЛЬ: Овладеть методикой измерения угла сдвига фаз двумя способами 1по фигурам Лиссажу 2из векторных диаграмм. ПРИБ