69135

Транзисторы нового поколения: MOSFET, IGBT, SET

Лекция

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

МДП-транзисторы металл диэлектрик полупроводник P=I2 R чем меньше сопротивление канала тем больше потери. Вольтамперные характеристики этих транзисторов близки к характеристикам полевых транзисторов: Входная характеристика...

Русский

2014-09-30

66 KB

9 чел.

Лекция 5. Транзисторы нового поколения: MOSFET, IGBT, SET

MOSFET

MOSFET – МДП-транзисторы (металл, диэлектрик, полупроводник)

P=I2 R – чем меньше сопротивление канала, тем больше потери.

- горизонтальный канал (путь от с к и – по горизонтали)

n – подложка   

Чтобы избежать того, что сопротивление малое, стали использовать многоячеечность.

Многоячеечная структура

Вертикальная n-канальная структура:

а)  диффузионный МДП-транзистор:     б) со своеобразным затвором (вертикальный канал):

                            

Оба с индуцированным каналом – многоканальные.

Благодаря многоканальности уменьшается сопротивление общего канала, следовательно, уменьшаются потери.

Вольтамперные характеристики этих транзисторов близки к характеристикам полевых транзисторов:

Входная характеристика:                                   Выходная характеристика:

                                                        

У MOSFET напряжение сток-исток меньше, чем у полевого транзистора, значит меньше и потери.                                              

Стекло-затворная характеристика круче, чем у полевого.

Крутизна больше:


Основные особенности мосфитов:

  1.  Сокращение длины канала.
  2.  Появление высокоомной стоковой n-области, через которую происходит дрейф носителей заряда (простое уменьшение длины канала привело бы к снижению пробивного напряжения).
  3.  Увеличилась скорость насыщения транзистора. То есть транзистор быстрее открывается – улучшились динамические показатели.
  4.  На рабочем участке CD крутизна характеристики практически не зависит от напряжения затвор-исток.

SIT (статически индуцированный транзистор)

         - MOSFET 

                       

    - SIT

Структура SIT:

          

                                            Вид спреди                                                Вид сбоку

Транзистор является нормально открытым.

Вольтамперная характеристика:

Достоинства:

- хорошее быстродействие;

- большое пробивное Uсэ;

- может использоваться в качестве источника тока.

IGBT – транзисторы (биполярный транзистор с изолированным затвором)

                                                 

УГО:

                             

IGBT – симбиоз полевого и биполярного транзистора.

Наиболее лучшие – транзисторные ключи.

Области применения и основные характеристики:

MOSFET – источники питания, работающие в ключевом режиме, электропривода (прибор, предназначенный для управления электродвигателем – регулирует скорость и т. д. ), высокочастотные генераторы, автономные источники питания.

Основные характеристики:

- Uси – максимально допустимое от 50 до 1000 В;

- Iс max – до 100 А;

- Fгр – граничная частота = 25 МГц;

- скорость нарастания напряжения  от 50 до 200 кВ/мс;

- скорость нарастания тока  от 10 до 25 кА/мс

- максимальная рабочая температура – 200 0С

SIT

Область применения: устройства, установки индукционного нагрева, мощные ВЧ-генераторы.

Основные характеристики:

- Uси – максимально допустимое от 50 до 1000 В;

- Iс max – до 100 А;

- Fгр – граничная частота = 50 МГц;

- скорость нарастания напряжения  от 10 до 3 кВ/мс;

- скорость нарастания тока  от 10 до30 кА/мс;

- рабочий диапазон температур до 200 0С;

- время выключения t выкл  = 500 нс.

IGBT

Область применения: все выше перечисленное, что относится к MOSFET и SIT.

Основные характеристики:

- Uкэ max

- I к max до

- U к нас. до 2 В

- t вкл., выкл. порядка 200 нс.

Наиболее распространенные фирмы, выпускающие IGBT:

Наиболее часто используемые:

  •  International Rectifier
  •  Siemens
  •  Mitsubishi Electric

Используются реже (по убыванию):

  •  Intersil
  •  Infineon Tecnologies
  •  Motorola
  •  THOMSON
  •  Panasonic.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

2471. Неозначені й заперечні займенники, їх утворення. Дефіс у неозначених займенниках 23.9 KB
  Мета організації уроку. Дати відомості про творення та вживання неозначених і заперечних займенників, формувати вміння визначити орфограми Дефіс у неозначених займенниках та обгрунтувати вибір написання відповідними орфографічними правилами, розвивати зорову і слухову увагу,спостережливість, культуру усного і писемного мовлення.
2472. Правопис прислівників. – Н і нн у прислівниках 15.86 KB
  Мета: ознайомити учнів з правилами написання прислівників на - е, -о, пояснити причини написання -н та –нн прислівниках, формувати уміння, знаходити орфограми одна і дві букви н у прислівниках, правильно писати слова з виучуваною орфограмою, на основі попередньо засвоєних знань з теми Прислівник як частина мови.
2473. Оборудование, механизация и автоматизация сварочного производства 391.59 KB
  Данный сборник направлен на формирование умений применять полученные знания на практике, на реализацию единства интеллектуальной и практической деятельности. Механизация и автоматизация являются важнейшим средством повышения производительности труда, улучшения качества и условий труда в сварочном производстве.
2474. Теория электрических цепей. Автогенераторы 895.56 KB
  Изучение и компьютерное моделирование работы LC-автогенератора с трансформаторной обратной связью. В работе необходимо исследовать условия самовозбуждения автогенератора, а также научиться определять амплитуду напряжения на выходе автогенератора в стационарном режиме.
2475. Фінанси. Електронний курс лекцій 544.17 KB
  Сутність фінансів, їх функції і роль. Принципи структурування фінансової системи. Організаційна структура фінансової системи. Управління фінансовою системою та фінансова політика. Зовнішні і внутрішні фінансові відносини. Суть і склад державних фінансів. Бюджет держави: сутність і призначення. Пряме та непряме оподаткування в Україні. Страхування і страховий ринок. Визначення фінансового ринку і його елементи.
2476. Економічна статистика 731 KB
  Основи класифікації економічної статистики. Система національних рахунків – методологічна основа економічної статистики. Показники статистики населення. Завдання статистики населення. Показники чисельності та складу населення. Статистика використання робочого часу. Статистика науково-технічної та інноваційної діяльності. Оцінка рівня інфляції, її використання для порівняльного аналізу вартісних показників. Статистика доходів сектору домашніх господарств. Джерела інформації про споживання населенням.
2477. Основы аудита. Принципы профессиональной этики аудита 244 KB
  Структура договора на проведение аудиторской проверки. Предплановая (преддоговорная) деятельность. Документация аудитора. Обзор событий, произошедших после даты составления баланса. Планирование аудиторской проверки, ее назначение и принципы. Критерии отнесения организации к обязательному аудиту. Основные этапы становления и развития аудита в России.
2478. Теория общей химии с элементами методики преподавания 413 KB
  Экспериментальные (качественные) задачи по химии. Подготовка учителя к уроку. Понятие об энтропии и изобарно-изотермическом потенциале. Самостоятельная работа учащихся по химии. Задачи курса химии средней школы. Технические средства обучения. Структура нуклеотидов и нуклеозидов.
2479. Акушерство и гиникология. Аборты и гинекологическая помощь 1.27 MB
  Аборты, акушерская помощь. Агалактия и гипогалактия. Бесплодие и яловость животных. послеродовой парез. Аборт - прерывание беременности с последующим рассасыванием зародыша, мумификацией, мацерацией, путрификацией либо изгнанием из матки мертвого неизмененного плода (выкидыша) или незрелого живого плода (недоноска).