69135

Транзисторы нового поколения: MOSFET, IGBT, SET

Лекция

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

МДП-транзисторы металл диэлектрик полупроводник P=I2 R чем меньше сопротивление канала тем больше потери. Вольтамперные характеристики этих транзисторов близки к характеристикам полевых транзисторов: Входная характеристика...

Русский

2014-09-30

66 KB

9 чел.

Лекция 5. Транзисторы нового поколения: MOSFET, IGBT, SET

MOSFET

MOSFET – МДП-транзисторы (металл, диэлектрик, полупроводник)

P=I2 R – чем меньше сопротивление канала, тем больше потери.

- горизонтальный канал (путь от с к и – по горизонтали)

n – подложка   

Чтобы избежать того, что сопротивление малое, стали использовать многоячеечность.

Многоячеечная структура

Вертикальная n-канальная структура:

а)  диффузионный МДП-транзистор:     б) со своеобразным затвором (вертикальный канал):

                            

Оба с индуцированным каналом – многоканальные.

Благодаря многоканальности уменьшается сопротивление общего канала, следовательно, уменьшаются потери.

Вольтамперные характеристики этих транзисторов близки к характеристикам полевых транзисторов:

Входная характеристика:                                   Выходная характеристика:

                                                        

У MOSFET напряжение сток-исток меньше, чем у полевого транзистора, значит меньше и потери.                                              

Стекло-затворная характеристика круче, чем у полевого.

Крутизна больше:


Основные особенности мосфитов:

  1.  Сокращение длины канала.
  2.  Появление высокоомной стоковой n-области, через которую происходит дрейф носителей заряда (простое уменьшение длины канала привело бы к снижению пробивного напряжения).
  3.  Увеличилась скорость насыщения транзистора. То есть транзистор быстрее открывается – улучшились динамические показатели.
  4.  На рабочем участке CD крутизна характеристики практически не зависит от напряжения затвор-исток.

SIT (статически индуцированный транзистор)

         - MOSFET 

                       

    - SIT

Структура SIT:

          

                                            Вид спреди                                                Вид сбоку

Транзистор является нормально открытым.

Вольтамперная характеристика:

Достоинства:

- хорошее быстродействие;

- большое пробивное Uсэ;

- может использоваться в качестве источника тока.

IGBT – транзисторы (биполярный транзистор с изолированным затвором)

                                                 

УГО:

                             

IGBT – симбиоз полевого и биполярного транзистора.

Наиболее лучшие – транзисторные ключи.

Области применения и основные характеристики:

MOSFET – источники питания, работающие в ключевом режиме, электропривода (прибор, предназначенный для управления электродвигателем – регулирует скорость и т. д. ), высокочастотные генераторы, автономные источники питания.

Основные характеристики:

- Uси – максимально допустимое от 50 до 1000 В;

- Iс max – до 100 А;

- Fгр – граничная частота = 25 МГц;

- скорость нарастания напряжения  от 50 до 200 кВ/мс;

- скорость нарастания тока  от 10 до 25 кА/мс

- максимальная рабочая температура – 200 0С

SIT

Область применения: устройства, установки индукционного нагрева, мощные ВЧ-генераторы.

Основные характеристики:

- Uси – максимально допустимое от 50 до 1000 В;

- Iс max – до 100 А;

- Fгр – граничная частота = 50 МГц;

- скорость нарастания напряжения  от 10 до 3 кВ/мс;

- скорость нарастания тока  от 10 до30 кА/мс;

- рабочий диапазон температур до 200 0С;

- время выключения t выкл  = 500 нс.

IGBT

Область применения: все выше перечисленное, что относится к MOSFET и SIT.

Основные характеристики:

- Uкэ max

- I к max до

- U к нас. до 2 В

- t вкл., выкл. порядка 200 нс.

Наиболее распространенные фирмы, выпускающие IGBT:

Наиболее часто используемые:

  •  International Rectifier
  •  Siemens
  •  Mitsubishi Electric

Используются реже (по убыванию):

  •  Intersil
  •  Infineon Tecnologies
  •  Motorola
  •  THOMSON
  •  Panasonic.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

11692. Діагностика памяті 107 KB
  Лабораторна робота №9 Діагностика памяті Ціль роботи: вивчити теоретичний матеріал по даній темі ознайомитися з настроюванням таймінгов памяті в BІOS SETUP ознайомитися з програмами для перевірки й тестування системної памяті MemTest86 TestMem 4 SM Everest вивчити апаратні й...
11693. Програмування клавіатури 44 KB
  ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №10. Тема: Програмування клавіатури. Ціль: Навчитися управляти перериваннями клавіатури. Теоретичні відомості Порти для роботи з к...
11694. Теория систем и социальные системы бизнеса 246.41 KB
  Теория систем и социальные системы бизнеса В последние годы в мире явно наблюдается возрастание интереса к теоретическим вопросам эффективной организации и ведения бизнеса. Особое внимание уделяется подведению теоретического фундамента под практическую деятельно...
11695. Визначення конфігурації ПК 87.5 KB
  ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №9. Тема: Визначення конфігурації ПК. Ціль: Отримати практичні навички програмування визначення конфігурації компютера. Теоретичні відомості У вас є дві можливості визначити модель компютера і отримати деяку інформацію про конфігурац...
11696. Використання розширеної памятіта можливостей XMS драйверів 106.5 KB
  ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №12. Тема: Використання розширеної памятіта можливостей XMS драйверів. Ціль: Отримати практичні навички звернення до драйвера розширеної памяті і вивчити її основні функції. Теоретичні ві...
11697. Ознайомлення з функціями драйвера EMS 119.5 KB
  ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №13. Тема: Ознайомлення з функціями драйвера EMS. Ціль: Вивчити здатність роботи з розширеною памяттю. Теоретичні відомості. На відміну від розширеної памяті додаткова память за допомогою спеціальної апаратури і програмного забезпечення в
11698. Многократные равноточные измерения. Точечная оценка результатов наблюдения 470.5 KB
  Многократные равноточные измерения. Точечная оценка результатов наблюдения. 1. Цель работы 1.1. Выбор средства измерения. 1.2. Освоение метода непосредственной оценки при проведении многократных равноточных измерений. 1.3. Освоение метода ...
11699. Технические измерения линейных размеров. Многократные равноточные (ограниченной выборки) и однократные прямые измерения 186.5 KB
  Тема: Технические измерения линейных размеров. Многократные равноточные ограниченной выборки и однократные прямые измерения 1. Цель работы 1.1. Изучить назначение и устройство штангенрейсмаса штангенглубомера и индикаторного нутромера а также правила их исп
11700. Отклонения формы и расположения поверхностей. Измерение отклонений круглости, прямолинейности цилиндрической поверхности (изогнутости оси), радиального и торцевого биений 247 KB
  Тема: Отклонения формы и расположения поверхностей. Измерение отклонений круглости прямолинейности цилиндрической поверхности изогнутости оси радиального и торцевого биений 1. Цель работы 1.1. Изучить назначение и устройство индикатора часового типа модели...