6919

Воздействие помех на РЭС

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Воздействие помех на РЭС Зависит от: структуры спектрального состава энергии Необратимые и обратимые процессы Мощная помеха Отказы аппаратуры из-за изменения структуры полупроводниковых материалов вплоть до их разрушения. Может сущ...

Русский

2013-01-10

39 KB

17 чел.

Воздействие помех на РЭС

Зависит от:

  •  структуры
  •  спектрального состава
  •  энергии

Необратимые и обратимые процессы

Мощная помеха

Отказы аппаратуры из-за изменения структуры полупроводниковых материалов вплоть до их разрушения.

Может существовать в виде:

  •  одиночного импульса;
  •  повторяющейся последовательности импульсов;
  •  гармонического или шумового процесса

Элемент

Энергия разрушения 1 импульса, мкДж

Точечный контактный диод

0,01 … 12

Низко потенциальные интегральные схемы

10

Маломощные транзисторы

20 … 100

Мощные транзисторы

1000

Электролитические конденсаторы

60 … 1000

Резисторы 0,25 Вт

104

Реле

103 … 105

При действии последовательности импульсов выход из строя при меньшей энергии помех.

Менее мощная помеха – происходят обратимые процессы, которые приводят к функциональным нарушениям.

Свойство РП быть подверженным действию помех, реагировать на них называется восприимчивостью.

Реакция РЭС зависит от мощности помехи. Помеха может приводить к перегрузке, к насыщению активных элементов.

Показатели РЭС ухудшаются даже если частоты помехи и работы значительно отличаются. Воздействие на ЭУ не предназначенных для приема помехи.

Воздействие помехи обладает последействием – влияние после прекращения воздействия.

Маломощная помеха – соизмеримы по мощности с полезными сигналами.

Нелинейные явления отсутствуют и принимаемые рецептором мешающие электромагнитные колебания действуют как аддитивные помехи.

Последствия воздействия:

  •  снижение качества радиопередачи;
  •  ошибки навигационных комплексов;
  •  случайное срабатывание радио взрывателей.

ЭМС – способность радиоэлектронных, электронных и электротехнических средств одновременно и совместно функционировать в реальных условиях эксплуатации при воздействии НЭМП и не создавать недопустимых электромагнитных помех другим устройствам.

Факторы, влияющие на ЭМС РЭС

Различают в зависимости от места расположения ИП и РП задачи обеспечения ЭМС РЭС:

  •  размещенных на одном объекте;
  •  различных объектов, расположенных на заданной местности.

Уровни рассмотрения задачи:

  •  элемент, блок;
  •  устройство;
  •  комплекс, радиосистема – совокупность функционально связанных устройств, предназначенных для определенных целей;
  •  радиослужба – совокупность устройств, систем осуществляющих передачу и прием излучений в определенных целях.

Особенности:

  •  пути проникновения НЭМП;
  •  методы анализа;
  •  методы ослабления влияния.

Обобщенная схема воздействия помех:

Источники помех характеризуются значениями мощностей на всех частотах Рj ИП.

РЭС создают электромагнитные поля:

  •  основные, определяемые функциональным назначением данного средства;
  •  нежелательные, обусловленные техническим не совершенствованием РЭС.

Нежелательные поля частично ослабляются в самом источнике помех, поэтому характеризуется коэффициентом ослабления LИП l , где l – явление возникновения НЭМП.

Среда распространения

  •  свойства среды;
  •  расстояние между РП и ИП;
  •  параметры антенн:
  •  взаимная ориентация антенн;
  •  поляризация излучения;
  •  ДН антенн

Ослабление НЭМП – Lk , где k – путь воздействия НЭМП на РП.

Рецептор помехи (РП)

Ослабление НЭМП, при прохождении через цепи РП LРП S , S – канал приема.

Значение мощности НЭМП, приведенное к входу рецептора с учетом того, что действует помеха l –го вида по k-му пути воздействия и S –му каналу приема:

Ррп = Рипо Lипl Lk Lрпs 

Где Рипо – мощность ИП на рабочей частоте.

РП характеризуется предельным уровнем помехи при котором еще функционирует Ррп доп – допустимый уровень помех.

Нарушение ЭМС ИП и РП может быть обусловлено:

  •  несовершенством характеристик ИП (нежелательное излучение)
  •  несовершенством РП (недостаточная избирательность)
  •  недостаточное ослабление (экранирование)
  •  нерациональным размещением
  •  нерациональным распределением частот

Необходимо найти ИП, пути распространения и причины подверженности рецепторов.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

49973. Исследование процесса затвердевания сварочной ванны с использованием метода материального моделирования 1.94 MB
  Продемонстрировать механизмы роста кристаллитов используя смеси солей. Сравнить скорости затвердевания чистого расплава соли и расплава смеси солей при одинаковых механизмах роста; 3. Указать следы фронта затвердевания первичной границы роста кристаллитов. Задавая различные скорости сварки через окуляр микроскопа можно непосредственно наблюдать процессы структурообразования сварочной ванны изучая механизмы роста кристаллитов.
49974. Общая структура программ в Pascal 65.5 KB
  F1 обратиться за справкой к встроенной справочной службе Help помощь; F2 сохранить редактируемый текст в файл; F3 открыть текст из файла в окно редактора; F4 пользуется в отладочном режиме: начать или продолжить исполнение программы и остановиться перед исполнением той ее строки на которой стоит курсор; F5 отобразить скрыть окно на вывода; F7 используется в отладочном пошаговом режиме: выполнить следующую строку если в строке есть обращение к процедуре функции войти в эту процедуру и остановиться перед исполнением...
49975. ПРОСТЕЙШИЕ МОДЕЛИ НАДЕЖНОСТИ 212.5 KB
  Вероятность того что прочность элемента будет находиться на интервале s т. это вероятность разрушения. Вероятность неразрушения равна 1Pis для iтого элемента. Аналогично для всей системы ее вероятность не разрушения 1Pcs где Pсs интегральное распределение прочности всей системы состоящей из n последовательно соединенных элементов.
49978. Измерение параметров гармонического напряжения с помощью осциллографа 498 KB
  Измерение параметров гармонического напряжения с помощью осциллографа Цель работы Приобретение навыков измерения параметров гармонического напряжения с помощью осциллографа. Получение сведений о характеристиках и устройстве электронного осциллографа. Устройство принцип действия и основные характеристики электронного осциллографа.
49979. Изучение линейчатых спектров атомов 423.5 KB
  Согласно современной квантовой теории возможные значения энергии системы атомов полностью определяются ее внутренними свойствами: числом и свойствами атомов ядер и электронов в ней и характером взаимодействия между ними. Те значения энергии. которые могут быть реализованы в данной системе принято называть ее уровнями энергии. Совокупность всех возможных значений энергии или уровней энергии носит название энергетического спектра или спектра возможных значений энергии.
49980. Измерение и анализ спектров свечения газоразрядных ламп 184.5 KB
  Просматривая видимый диапазон 400 750 нм измерили длины волн всех спектральных линий лампы №1. Обработка результатов измерений Измеренные длины волн линий занесите в табл. Измерение длин волн спектральных линий. Используя данные о длинах волн спектральных линий атомов некоторых элементов из табл.
49981. Ознайомитись з явищем поляризації світла, експериментально перевірити закон Малюса і закон Брюстера 578 KB
  Прилади і обладнання Джерело світла поляризатор аналізатор набір скляних пластин чорне дзеркало прилад для вимірювання інтенсивності світла Опис установки Експериментальна лабораторна установка рис.1 дозволяє: отримати лінійно поляризоване світло за допомогою поляризатора; експериментально перевірити закон Малюса і закон Брюстера...