69759

Сторінково-сегментна організація пам’яті

Лекция

Информатика, кибернетика и программирование

Оскільки сегменти мають змінну довжину і керувати ними складніше, чиста сегментація зазвичай не настільки ефективна, як сторінкова організація. З іншого боку, видається цінною сама можливість використати сегменти як блоки пам’яті різного призначення змінної довжини.

Украинкский

2014-10-09

52 KB

2 чел.

Тема 7. Сторінково-сегментна організація пам'яті

Базові принципи

Оскільки сегменти мають змінну довжину і керувати ними складніше, чиста сегментація зазвичай не настільки ефективна, як сторінкова організація. З іншого боку, видається цінною сама можливість використати сегменти як блоки пам'яті різного призначення змінної довжини.

Для того щоб об'єднати переваги обох підходів, у деяких апаратних архітектурах (зокрема, в ІА-32) використовують комбінацію сегментної та сторінкової організації пам'яті. За такої організації перетворення логічної адреси у фізичну відбувається за три етапи.

  1.   У програмі задають логічну адресу із використанням сегмента і зсуву.
  2.   Логічну адресу перетворюють у лінійну (віртуальну) адресу за правилами, заданими для сегментації.
  3.   Віртуальну адресу перетворюють у фізичну за правилами, заданими для сторінкової організації.

Таку архітектуру називають сторінково-сегментною організацією пам'яті.

Перетворення адрес в архітектурі ІА-32

Розглянемо особливості реалізації описаних трьох етапів перетворення адреси в архітектурі ІА-32.

  1.  Машинна мова архітектури ІА-32 (а, отже, будь-яка програма, розроблена для цієї архітектури) оперує логічними адресами. Логічна адреса, як було зазначено раніше, складається із селектора і зсуву.
  2.  Лінійна або віртуальна адреса — це ціле число без знака завдовжки 32 біти. За його допомогою можна дістати доступ до 4 Гбайт комірок пам'яті. Перетворення логічної адреси в лінійну відбувається всередині пристрою сегментації (segmentation unit) за правилами перетворення адреси на базі сегментації, описаними раніше.
  3.  Фізичну адресу використовують для адресації комірок пам'яті в мікросхемах пам'яті. її теж зображають 32-бітовим цілим числом без знака. Перетворення лінійної адреси у фізичну відбувається всередині пристрою сторінкової підтримки (paging unit) за правилами для сторінкової організації пам'яті (лінійну адресу розділяють апаратурою на адресу сторінки і сторінковий зсув, а потім перетворюють у фізичну адресу із використанням таблиць сторінок, кеша трансляції тощо).

Формування адреси у разі сторінково-сегментної організації пам'яті показане нарис. 8.10.

Необхідність підтримки сегментації в ІА-32 значною мірою є даниною традиції (це пов'язано з необхідністю зворотної сумісності зі старими моделями процесорів, у яких була відсутня підтримка сторінкової організації пам'яті). Сучасні ОС часто обходять таку сегментну організацію майже повністю, використовуючи в системі лише кілька загальних сегментів, причому кожен із них задають селектором, у дескрипторі якого поле base дорівнює нулю, а поле limit — максимальній адресі лінійної пам'яті. Зсув логічної адреси завжди буде рівний лінійній адресі, а отже, лінійну адресу можна буде формувати у програмі, фактично переходячи до чисто сторінкової організації пам'яті.

Контрольні питання:

1. Сторінково-сегментна організація пам'яті.

2. Перетворення адрес в архітектурі ІА-32.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

29772. Диэлектрические материалы 37.85 KB
  Пассивные это электроизоляторные и конденсаторные материалы. Пассивные неорганические диэлектрики применяемые в электронной технике можно разделить на стекловидные диэлектрики керамику монокристаллические диэлектрические материалы органические и композиционные материалы. Активные диэлектрики это материалы свойствами которых можно управлять в широких пределах с помощью внешних воздействий.
29773. Классификация и особенности материалов электронной техники. Структура материалов. Обозначение кристаллографических плоскостей и направлений кристалла 25.27 KB
  Структура материалов. Классификация и особенности материалов электронной техники. Электрофизические свойства являются одним из основных свойств материалов определяют их применение в электронной технике.
29774. Способы представления сложных структур. Типичные кристаллические структуры материалов, применяемых в электронной технике 87.11 KB
  Структура типа алмаз. Элементарные полупроводники кремний и германий кристаллизуются в структуру типа алмаз. В структуре типа алмаз атомы образуют плотнейшую ГЦК решётку в которой половина 4 из 8ми тетраэдрических пустот заняты атомами того же сорта. Структура типа алмаз может быть представлена как две взаимно проникающие подрешётки типа ГЦК которые смещены относительно друг друга по пространственным диагоналям на её длины.
29775. Дефекты в кристаллах. Классификация дефектов. Точечные, линейные и поверхностные дефекты 30.5 KB
  Линейные дефекты К линейным дефектам кристаллической решётки относятся дислокации. Различают краевые и винтовые дислокации. Линия дислокации в этом случае это граница экстраплоскости. Винтовую дислокацию в кристалле можно определить как сдвиг одной части кристалла относительно другой но в отличие от краевой дислокации линия винтовой дислокации параллельна вектору сдвига.
29776. Цепь посылки вызова от ТА-57 на станцию ЦБ по структурной схеме 210.5 KB
  Кроме того оборудование комплекса позволяет образовать типовые каналы ТЧ 03 34 кГц каналы служебной связи 16; 192; 2275 кбит с прозрачные телеграфные каналы до 200 бод а также синхронные контрольные каналы 2037 и 4074 бит с. Кроме указанных выше цифровых каналов на каждой ступени образуются следующие дополнительные каналы: прозрачные телеграфные каналы ПТК; служебные телеграфные каналы СТК; синхронные контрольные каналы СКК; синхронные каналы служебной связи СКСС. Телеграфные каналы образуемые комплексом...
29777. Цепь дистанционного управления радиостанцией П-193М по структурной схеме 37.5 KB
  В качестве каналообразующей аппаратуры применяется аппаратура П331 П331МСкорость цифрового сигнала поступающего с аппаратуры П331 П331М может составлять 48 480 и 2048 кбит с.3 мкм; код линейного сигнала СМI; линейная скорость передачи 2048 кбит с независимо от скорости передачи входного сигнала; скорость передачи канала УСС 48 кбит с с ЭППЧ 03 21 кГц; Структурная схема аппаратуры П336Л. Цифровой сигнал от аппаратуры каналообразования ЦСП П331 П331М со скоростью передачи 48 кбит с ИО2 ИТ А или 480 кбит с...
29778. Назначение, ТТХ и состав (по общей схеме) телефонного коммутатора П-194М 149 KB
  Основные ТТХ П194М Число абонентских линий: П194М рассчитан на включение 40 абонентских линий в том числе: 3 соединительных линий линий № 3840 к станциям ЦБ или АТС; 10 соединительных линий линий № 1120 к радиостанциям УКВ с дистанционным управлением; 20 соединительных линий линий к КОА ДС с возможностью включения и выключения удлинителей. На вертикальной лицевой панели коммутатора размещены: пять вертикальных плат с 40 абонентскими комплектами; платы с гнездами для циркулярных соединений; ключи комплектов...
29779. Цепи вызова абонентом и опроса вызывающего абонента П-194М по принципиальной схеме 49 KB
  Вопрос 1. Цепи вызова абонентом и опроса вызывающего абонента П-194М по принципиальной схеме. Назначение и основные ТТХ радиорелейной станции Р-409МА. Состав ВЧ оборудования Р-409МА, назначение блоков. Опрос абонента коммутатора П-194М.
29780. Цепь прохождения разговора между двумя абонентами П-194М по принципиальной схеме 474 KB
  2: При работе станции в поддиапазоне А частоты возбудителя лежат в пределах 60120 мГц а в поддиапазонах Б и В в пределах 6011199 мГц. В сменных блоках передатчиков обеспечивается или только усиление А или усиление и умножение частоты колебаний возбудителя Б В. Отличие заключается лишь в том что в приемниках поддиапазонов Б и В дополнительно применено соответственно удвоение и учетверение частоты первого гетеродина блока Б2 общего для трех поддиапазонов станции. Как видно из рисунков в приемниках применено двойное...