70747

Статические характеристики и параметры полупроводниковых приборов

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Цель работы изучить статические вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов рассчитать основные параметры биполярного транзистора. Если к переходам транзистора не приложено внешних разностей потенциалов то в pnпереходах существует...

Русский

2014-10-26

427.5 KB

1 чел.

Лабораторная работа 5

Статические характеристики и параметры полупроводниковых приборов.

Цель работы - изучить статические вольт-амперные характеристики полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов, рассчитать основные параметры биполярного транзистора.

Приборы и модули: электронный осциллограф, генератор звуковых и ультразвуковых частот, универсальный лабораторный стенд, модули N3, N15, N15а.

Сведения из теории.

Электронно-дырочный переход.

В основе работы большинства полупроводниковых приборов лежат физические явления,возникающие на границе раздела полупроводников с разными типами проводимости, называемой p-n-переходом. Обычно р-n-переходы создается с помощью специальных технологических приемов в полупроводниковом кристалле, одна часть которого содержит донорные, а другая - акцепторные примеси. При наличии в кристалле двух областей с различными типами проводимости в результате диффузии электроны внедряются в пограничную область полупроводника с р-проводимостью, а дырки из области с p-проводимостью - в n-область. Следствием этого является возникновение между областями р и n контактной разностью потенциалов, вызывающей наличие потенциального барьера в несколько десятых долей вольта. Возникающее при этом электрическое поле Eк направлено так, что отталкивает электроны вглубь n-области, а дырки - в область р (рис.1).

Mежду областями р и n образуется слои полупроводника - обедненныи подвижными носителями заряда. Толщина слоя ΔX составляет доли микрона (запорный слой), его сопротивление значительно превышает сопротивление материала полупроводника. Этот слои полупроводника и является р-n-переходом.

Потенциальный барьер препятствует движению основных носителей заряда из одной области кристалла в другую и одновременно способствует движению неосновных носителей, т.е. под воздействием электрического поля Eк р-n-перехода дырки легко перемещаются из n-области в р-область а электроны - в обратном направлении. Таким образом, электрическое поле р-n-перехода препятствует увеличению диффузионного тока (тока основных носителей областей р и n ), возникающего за счет разности концентрации носителей и не препятствует прохождению дрейфового тока (тока неосновных носителей, причиной которого является контактная разность потенциалов).

При отсутствии внешнего напряжения на р-n-переходе устанавливается равновесие, при котором взаимно компенсируются дрейфовый и диффузионный токи, протекающие в противоположных направлениях. Суммарный ток через него равен нулю.

Если к р и n. областям полупроводникового кристалла. с электронно-дырочным переходом приложить внешнее напряжение, то из-за большого сопротивления перехода оно скажется приложенным только к р-n-переходу. Внешнее напряжение нарушает равновесие в р-n-переходе и через p-n-переход начинает протекать ток. Если к р-области подключить положительный полюс источника внешнего напряжения. а к n-оьласти -отрицательный, то высота потенциального барьера уменьшится, а диффузионный ток основных носителей заряда резко возрастет. Такое включение р-n-перехода называется прямым. При прямом включении происходит преимущественное введение носителей зарядов в такие области полупроводникового кристалла, где они являются неосновными. Поэтому этот режим работы называется инжекциеи неосновных носителей.

Если изменить полярность внешнего напряжения (подключить к р-области отрицательный полюс источника. а к n-области - положительный), то высота потенциального барьера в р-n-переходе возрастает, а диффузионный ток основных носителей заряда уменьшается. Уже при U ~ 0,5 В диффузионный ток прекращается и при дальнейшем повышении отрицательного напряжения на области р через р-n-переход будет проходить только дрейфовый ток неосновных носителей, который называется обратным или тепловым током электронно-дырочного перехода, так как он сильно зависит от температуры. Дрейфовый ток называется еще током проводимости. Величина тока проводимости определяется лишь процессом тепловой генерации неосновных носителей. Указанное включение p-n-перехода называется обратным. Так как число неосновных носителей значительна меньше, чем основных, величина тока через p-n-переход в этом случае будет небольшой по сравнению с током при прямом включении и практически постоянной при изменении напряжения.

Обратный ток принимают равным току насыщения перехода IS т.е. предельному значению тока через переход в обратном направлении при воздействии на переход обратного напряжения.

Диффузионный ток Id р-n-перехода определяется величиной приложенного к р-n-переходу напряжения U и равен: 

Здесь: φТ - температурный потенциал: 

где: q - заряд электронов;

k - постоянная Больцмана;

T - абсолютная температура.

При комнатной температуре φТ = 0.025В.

С физической точки зрения φТ есть высаженная в элек-трических единицах статистическая температура или близкая к ней средняя кинетическая энергия свободного электрона в электронном газе. Значение энергии, которую могут передать электронам испытывающие тепловые колебания атомы кристаллической решетки по порядку величины равно . При комнатной температуре kТ~0,025 электрон-вольт.

Вольт-амперная характеристика p-n-перехода описывается уравнением: 

Полупроводниковый диод.

Полупроводниковые диоды строятся на основе p-n-переходов. В реальных диодах используют несимметричные p-n-переходы, для которых выполняются условия:

где Pp, nn концентрации дырок в области p и электронов в области n соответственно. Резкое различна г концентрации основных носителей заряда приводит к тому, что одна из областей полупроводникового кристалла (с большей концентрацией) становится ниэкоомнои, а другая - высокоомной. Низкоомная область является доминирующим источником подвижных носителей заряда и ток через диод при прямом включении p-n-перехода будет практически целиком определяться потоком ее основных носителей. Поэтому эту областьназывают эмиттером, а высокоомную - базой. Вольт-амперные характеристики германиевого и кремниевого диодов приведены на рис.2. Из вольт-амперных характеристик видно, что полупроводниковые диоды обладают вентильным эффектом. Типичные значения токов в прямом и обратном направлениях для различных диодов отличаются на несколько порядков.

Так как концентрация носителей заряда в кремниевом полупроводнике существенна меньше (1013 см-3), чем в германиевом (1016 см-3), то заметныи прямой ток через р-n-переход в кремниевом диаде начинает наблюдаться при прямом напряжении на р-n-переходе порядка (0,5 - 0,7В) а в случае германиевого диода - при напряжениях порядка (0,1 - 0,2).

Столь сильное различие в концентрациях для Ge и Si связано с различной шириной запрещенных зон. Сравнительно небольшое различие в ширине запрещенных зон у германия и кремния (0,72 В и 1,12В соответственно) приводит к различию собственных концентраций при комнатной температуре на 3 порядка. По этой же причине обратный ток кремниевых диодов на несколько порядков меньше обратного тока германиевых додов.

Обратные ветви вольт-амперных характеристик обусловлены прохождением через р-n-переход обратного тока неосновных носителей заряда.

Стабилитрон.

При некоторых величинах обратных напряжений на p-n-переходе наблюдается значительное возрастание обратного тока (рис.3). Это явление называется электрическим пробоем р-n-перехода. Электрический пробой носит обратимый характер.

Механизм пробоя может быть туннельным (у низкочастотных стабилитронов Uпр<3 В ), лавинным (у высоковольтных) и смешанным. Возникает электрический пробой из-за большой величины напряженности электрического поля на р-n-переходе: неосновные носители заряда ускоряются настолько, что приобретают энергию, достаточную для ударной ионизации атомов кристаллической решетки полупроводника. При ударной ионизации создаются дырки и электроны, которые разгоняются, снова ионизируют атомы и т.д., т.е. начинается лавинообразное нарастание носителей тока. Электрический пробой является основным режимом работы стабилитронов. Стабилитроны используют в качестве стабилизаторов напряжения, так как их вольт-амперная характеристика имеет протяженный участок со слабой зависимостью напряжения от тока. Основными параметрами стабилитрона являются номинальное значение напряжения стабилизации Uст, минимальное Imin и максимальное Imax допустимые значения стабилизации и дифференциальное сопротивление rД=ΔUст/ΔIст Чем меньше величина rД тем лучше стабилизирующие свойства стабилитрона при включении в электрическую схему на стабилитрон подают на пряжение в обратном направлении.

Туннельный диод.

Туннельный диод содержит один р-n-переход, образованный двумя полупроводниковыми материалами с высокой концентрацией примесей.

В отличие от обычных полупроводников, в которых концентрация примесей составляет (1013÷1016 см-3), в туннельном диоде концентрация примесей составляет (1019÷1020 см-3).

Вследствие этого удельное сопротивление таких полупроводников мало ( в сотни - тысячи раз меньше. чем у обычных). Такие полупроводники по своим свойствам близки к металлам и называются вырожденными. Из-за высокой концентрации примесей в туннельном диоде образуется очень тонкий электронно-дырочный переход. У обычных диодов ширина p-n-перехода до 1 мкм, у туннельных - намного меньше. Так как при этом ширина запорного слоя мала, напряженность поля на p-n-переходе вследствие наличия контактной разности потенциалов гораздо больше, чем у обычных диодов и составляют величину

При таких больших напряженностях поля на р-n-переходе начинают проявляться волновые свойства электронов, благодаря которым имеется вероятность перехода электрона через потенциальный барьeр p-n-перехода без затраты энергии. Таком эффект называется туннельным. В таком p-n-переходе имеют место два тока - туннельный и диффузионный. Максимум туннельного тока наблюдается при прямом напряжении на р -n - переходе порядка 0,1В. Вольт-амперная характеристика туннельного диода получается суммированием кривых туннельного и диффузионного токов (рис.4).

Втуннельном диоде в отличие от обычного не наблюдается вентильный эффект т.е. туннельный диод обладает высокой проводимостью и при обратном напряжении на p-n-переходе. Характерные точки вольт-амперной характеристики:

U1 - напряжение пика;

U2 - напряжение впадины;

I1 - ток пика;

I2 - ток впадины;

US - напряжение раствора.

Характерной особенностью вольт-амперной характеристики туннельного диода является наличие участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением, что позволяет использовать туннельные диоды для построения автогенераторов высокочастотных колебаний. Время переключения туннельных диодов составляет единицы наносекунд.

Биполярные транзисторы. Принцип работы.

Биполярный транзистор - полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими р-n-переходами. Характерной особенностью биполярных транзисторов является существование в них двух типов носителей заряда (электронов и дырок), участвующих в создании тока. В связи с этим они называются биполярными, Две крайние области полупроводника однотипной проводимости разделяются средней областью полупроводника противоположной проводимости. Различают биполярные транзисторы p-n-p-типа и n-p-n-типа, схематическое устройство и обозначение которых показаны на рис.5.

Одна из крайних областей называется эмиттером (Э), другая - коллектором (К), а средняя - базой (Б). Соответствующие р-n-переходы называются эмиттерным и коллекторным.

Если к переходам транзистора не приложено внешних раз ностей потенциалов, то в p-n-переходах существует небольшой дрейфовый ток за счет генерации пар электрон дырка, который все время уравновешивается встречным диффузионным током, создающим запорный слой. Таким образом, суммарный ток через p-n-переходы как и в случае одиночного p-n-перехода равен 0.

Пусть теперь на эмиттер подан относительно базы небольшой положительный потенциал, составляющий обычно доли вольта, а на коллектор - большой отрицательный порядка единиц или десятков вольт (рис.6).

При этом потенциальный барьер между левой и средней областями понижается, а между правой и средней - повышается. Так как левый р-n-переход включен при этом в прямом направлении, то его ток складывается из дырочного и электронного токов, как в обычном полупроводниковой диоде. Из эмиттера в базу происходит инжекция дырок, а из базы в эмиттер - электронов. Часть дырок, инжектированных из эмиттера в базу, не успев рекомбинировать, приблизится к коллекторному переходу и без труда преодолеет запорный слой этого перехода, т.к. для области базы дырки являются неосновными носителями и потенциального барьера для них в коллекторном переходе не существует. Если время прохождения дырок через область базы много меньше времени их жизни (среднее время между моментом их входа в область базы и моментом рекомбинации), что всегда выполняется в силу малой ширины базы, то основная часть дырок дойдет до коллекторного p-n-перехода и, пройдя его, попадает на правый контакт внешнего источника напряжения. Лишь очень небольшая часть дырок рекомбинирует с электронами г области базы и обусловливает ток базы, замыкающийся через источник питания UКБ.

Таким образом, величина тока через запертый коллекторный p-n-переход почти целиком определяется величиной тока через эмиттерный открытый переход. Кроме того, через коллекторный переход течет и обратный ток, обусловленный генерацией пар электрон-дырка в зоне запорного слоя, не зависящий от тока через эмиттерный переход. Это обратный ток коллекторного перехода (ток неосновных носителей). Величина его мала, но сильно зависит от температуры (удваивается при возрастании температуры на каждые 10°С).

Параметры и статические характеристики биполярных транзисторов

При использовании транзисторов в электронных схемах следует различать режимы малых и больших сигналов. При больших входных сигналах может существенно изменяться состояние транзисторов - открываются или закрываются р-n-переходы, исчезают или появляются токи. Режим работы транзистора при больших сигналах оказывается существенно нелинейным. Режим работы при малых входных сигналах отличается тем, что в некоторой заранее выбранной области изменении напряжений и токов зависимость между ними приближенно можно считать линейной. На основании принципа работы транзистора для малых приращений токов и напряжений, т.е. в режиме малого сигнала. можно записать:

Одним из важных параметров транзистора в режиме малого сигнала является коэффициент усиления тока базы β . Он определяется как отношение приращения тока коллектора к приращению тока базы при постоянной разности потенциалов между эмиттером и коллектором:

Поскольку iK>>iБ, то β>>1. Для  современных транзисторов β принимает значения от 10 до 9ОО.

Дугой параметр транзистора - коэффициент передачи тока эмиттера α , который определяется как отношение приращения тока коллектора к приращению тока эмиттера при постоянной разности потенциалов на коллекторе относительно базы: 

Поскольку iK<iЭ то α.

С учетом выражения для токов транзистора и приближенного равенства UКБ≈UКЭ связь между α и β :

Значение α обычно лежит в пределах 0,9 - 0,996.

Работа p-n-p транзистора полностью аналогична работе p-n-p транзистора. Необходимо лишь изменить полярность питающих напряжений на обратную. В этом случае эмиттер будет инжектировать в базу уже не поток дырок, а поток электронов.

Как уже упоминалось, режим работы полупроводниковых транзисторов в общем случае нелинейный. Ток коллектора сложным образом зависит от потенциала на нем относительно эмиттера и от тока базы: 

В свою очередь, ток базы зависит от потенциала базы относительно эмиттера и от потенциала коллектор-эмиттер:

Аналитической зависимости между этими величинами в широкой области их изменении предложить нельзя и поэтому для оценки параметров транзисторов используют графические представления. Обычно изображают:

Эти характеристики называют выходными статическими или коллекторными. Зависимости:

называют входными статическими характеристиками. Характеристики называют статическими, так-как их снимают на постоянном токе без нагрузки в цепи коллектора. Примерный вид семейства выходных и входных статических характеристик транзистора р-n типа включенного по схеме с общим эмиттером показан на рис.7,8.

На выходных статических характеристиках отчетливо выделяются 3 характерные области. Область | соответствует режиму насыщения. В режиме насыщения оба p-n-перехода - и коллекторный и эмиттерный - смешены в прямом направлении. Этот режим характерен для работы транзистора в режиме ключа, Область || соответствует активному режиму работы транзистора, в активном режиме эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный - в обратном. В этой области существует линейная зависимость между входным током напряжением; и выходным током. Активный режим характерен для работы транзистора а режиме линейного усилителя электрических сигналов, Область ||| соответствует режиму отсечки р-n-переходы смещены в обратном направлении и транзистор закрыт. Этот режим также, как и режим насыщения характерен для работы транзистора а ключевом режиме.

По входной статической характеристике можно определить входное дифференциальное сопротивление транзистора:

по выходной - входное дифференциальное сопротивление и коэффициент усиления  тока базы:

Зная β и rБ можно рассчитать крутизну транзистора S, характеризующую его усилительные свойства. Крутизна равна отношению приращения тока коллектора к вызвавшему его приращению напряжения между базой и эмиттерам при постоянном потенциале коллектора:

В зависимости от того, какой из электродов транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают 3 схемы включения транзистора с общим эмиттером, с обшим коллектором (эмиттерный повторитель) и с обшей базой (рис.9).

Осциллографический метод измерения характеристик полупроводниковых приборов

Вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов можно исследовать с помощью осциллографа. Такие приборы называются характериографами.

Принцип действия простейшего характериографа поясняется схемой на рис. 1О.

К исследуемому двухполюснику VD через трансформатор подводится синусоидальное напряжение с частотой 30 - 50 Гц от звукового генератора. напряжение, снимаемое с двухполюсника, поступает на X-вход осциллографа. Падение напряжения на резисторе , пропорциональное току через двухполюсник, поступает на У-вход осциллографа. Таким образом, отклонение электронного луча по оси х будет про- порционально падению напряжения на исследуемом двухполюснике, а по оси У - току через него. Поэтому траектория луча на экране ЭЛТ будет соответствовать вольт-амперной характеристике двухполюсника.

Электрическая схема для получения на экране ЭЛТ выходных статических характеристик транзисторов и их примерный вид приведены на рис.11.

На коллектор исследуемого транзистора VТ2 через вспомогательный транзистор VТ1 подается напряжение с выхода генератора пилообразного напряжения ( ГПН ). С колллектора VТ2 это напряжение подается на вход X осциллографа. Таким образом отклонение луча на экране ЭЛТ по координате X будет пропорционально напряжению на коллекторе VТ2. На У-вход осциллографа подается напряжение, снимаемое с резистора R1, что вызывает отклонение луча по координате у. пропорциональное коллекторному току VТ2, который равен:

Таким образом, при фиксированном значениитока базы VТ2, которое устанавливается потенциометром R5 и контролируется по шкале миллиамперметра, на экране ЭЛТ будет наблюдаться зависимость:

Электрическая схема для получения на экране осциллографа входных статических характеристик транзистора и их примерный вид приведены на рис.12.

На вход X осциллографа поступает пилообразное напряжение примерно пропорциональное току базы исследуемого транзистора:

На У-вход осциллографа подается напряжение, равное исследуемого транзистора. Таким образом, на экране ЭЛТ будет видна входная статическая характеристика транзистора VT2.

Задания и методические рекомендации

1. Соберите схему характериографа (рис.10). Подайте на вход трансформатора напряжение с выхода звукового генератора частотой 30 - 50 Гц. Получите и зарисуйте вольт-амперные характеристики всех элементов модуля N15, привязав их к осям координат, пересекающимся в точке U=0, I=0. Нанесите на оси координат значения напряжений и токов в крайних и характерных точках полученных кривых. Для этого предварительно осуществите калибровку канала горизонтального отклонения луча осциллографа. подавая на вход X напряжение 4 В с выхода калибровочных гнезд осциллографа.

2. Снимите осциллографическим методом выходные статические характеристики транзистора VТ2 (транзистор МП 113) модуля N3.

2.1. Включите осциллограф и осуществите калибровку канала горизонтального отклонения луча.

2.2. Соберите электрическую схему в соответствии с рис.11. Включите стенд и убедитесь, что на выходе ГПН присутствует пилообразное напряжение.

2.3. Установите на вольтметре В7-27 переключатель режимов измерения в положение, соответствующее измерению постоянного тока по шкале 10 мА.

2.4. С помощью переменного резистора R5 в модуле N3 установите ток базы транзистора VТ2 равным 0,4 мА. Зарисуйте выходную характеристику в пределах экрана. Особое внимание обратите на привязку к осям координат линейных участков характеристики.

2.5. Установите ток базы равный 0,3 мА. Ручкой " Смещение У " верните нулевую точку кривой в начало координат. Зарисуйте выходную характеристику на предыдущем графике.

2.8. Нанесите на координатные оси численные значения, соответствующие крайним точкам линейных участков полученных характеристик.

3. Снимите осциллографическим методом входную статическую хактеристику транзистора VТ2.

3.1. Соберите электрическую схему в соответствии с рис.12.

3.2. Подключите коллектор исследуемого транзистора VT2 к постоянному напряжению питания +5 В.

3.3. Получите на экране осциллографа входную характеристику и зарисуйте ее. Нанесите на оси координат численные значения UБ и IБ, соответствующие крайним точкам линейного участка характеристики.

4. Из полученных выходных и входных статических характеристик определите: β, rБ, rK, S.

Оформление результатов

Отчет должен содержать принципиальные схемы, расчетные формулы, графики, полученные результаты и выводы.

Kонтрольные вопросы

1. Объясните принцип работы р-n-перехода.

2. Чем объясняется различие прямых ветвей вольт-амперных характеристик германиевого и кремниевого диодов?

3. Объясните принцип работы биполярного транзистора, как усилителя мощности?

4. Каким соотношением связаны между собой в биполярном транзисторе токи эмиттера коллектора и базы?

5. Почему β>>1, α<1?

6. Нарисуйте 3 возможные схемы включения биполярного транзистора. Запишите для каждой из них выражение для коэффициента передачи по току.

7. Объясните, как определить β, rБ, rK, S по статическим характеристикам биполярного транзистора.

Литература

1. А.П. Молчанов, П.Н. Занадворов. Курс электротехники и радиотехники, 1976.

2. Б.Н. Ушаков. Основы радиоэлектроники и радиотехнические устройства, 1976.

3. М.К. Ефимчик, С. С. Шушкевич. Основы  радиоэлектроники 1981.

EMBED Unknown  

EMBED Word.Picture.8  

EMBED Unknown  


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

30852. Физиологическая регуляция функций 44 KB
  Каждая из этих регуляторных систем действует на своём уровне регуляции. Кроме того системы регуляции взаимно подчинены друг другу т. Итак существует взаимосвязь между нервной регуляцией и гуморальной и поэтому когда говорят о регуляции органа то говорят о нейрогуморальной регуляции единой. Уровни нейрогуморальной регуляции I уровень: местная и локальная регуляция происходит на минимальном пространстве касается ограниченного числа клеток единицы десятки.
30853. Системные регуляторные реакции и процессы 24.5 KB
  Адаптация приспособление механизмы которые обеспечивают приспособление организма к действию раздражителей. Адаптация бывает двух видов: а срочная адаптация б долговременная адаптация Срочная адаптация очень энергозатратна. При умеренных раздражителях тоже возникает срочная адаптация но явных признаков стресса нет. Но если раздражитель действует повторно многократно то возникает долговременная адаптация.
30854. Функциональные системы 23 KB
  Функциональные системы Функциональная система это временная динамическая саморегулирующаяся организация все составные компоненты которой взаимодействуя обеспечивают достижение полезных приспособительных результатов. В функциональной системе есть периферические и центральные составляющие: Периферические составляющие: А Исполнительные соматические вегетативные и эндокринные компоненты в том числе и поведенческие включающие механизмы формирование результата. Б Полезный приспособительный результат. В Рецепторы...
30855. Рефлекторная регуляция 34.5 KB
  Передача возбуждения в синапсе . иррадиация возникшего возбужденияраспространение возбуждения на рядом лежащие нейроны. концентрация возбуждениястягивание возбуждения на один или несколько нейронов. Индукция бывает: положительная когда наводится процесс возбуждения отрицательная когда наводится процесс торможения.
30856. Рефлексы 31 KB
  Рефлексы Рефлексы делятся на безусловные и условные. Безусловные рефлексы Это врожденные рефлексы которые не требуют предварительной выработки при действии раздражителя реализуются однотипно без особых предварительных условий. Безусловные рефлексы являются видовыми т. Рефлексы направленные на сохранение вида.
30857. Вегетативная нервная система 35.5 KB
  Очаговое представительство нервных центров СНС и ПСНС в ЦНС и. СНС боковые рога тораколюмбального отдела спинного мозга. ПСНС три зоны где лежат её центры:а мезенцефальный отдел ветви в составе глазодвигательного нерва зрачок некоторые слюнные железы;б бульбарный отдел лицевой языкоглоточный нерв и n. ВНС представлена двумя отделами: а симпатическая нервная система СНС б парасимпатическая нервная система ПСНС.
30858. Гуморальная регуляция функций 39.5 KB
  Классификация биологически активных веществ БАВ: Неспецифические метаболиты. Специфические метаболиты: а тканевые гормоны парагормоны; б истинные гормоны. Неспецифические метаболиты продукты метаболизма вырабатываемые любой клеткой в процессе жизнедеятельности и обладающие биологической активностью СО2 молочная кислота. Специфические метаболиты продукты жизнедеятельности вырабатываемые определенными специализированными видами клеток обладающие биологической активностью и специфичностью действия: а тканевые...
30859. Гуморальная регуляция функций. Межсистемный уровень 29.5 KB
  Истинные гормоны. Парагормоны. Истинные гормоны БАВ вырабатывающиеся в специализированных железах внутренней секреции обладающие дистантным действием и высокой активностью. Делятся по принадлежности к железам внутренней секреции половые гормоны тиреоидные гормоны и т.
30860. Гипоталамо-гипофизарная система 24 KB
  Меланостатин Релизинг–факторы регулируют выделение гормонов передней доли гипофиза большая часть которых гландулярные регулируют деятельность других желез внутренней секреции выделение ими гормонов. Регуляция в системе гипоталамус гипофиз осуществляется по принципу отрицательной обратной связи избыток гормонов в крови торможение их выработки: 1. Короткая петля регуляции: Рецепторы ГФ реагируют на концентрацию тропныхсобственных гормонов изменяют их выделение и опосредовано уровень гормонов периферических желез вн. Длинная...