70777

Исследование входных и выходных характеристик транзисторов

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Для данного транзистора используя справочные данные определить тип цоколевку и выписать эксплуатационные параметры. Составить принципиальную схему для исследования входных и выходных характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером с учетом его структуры.

Русский

2014-10-27

104.5 KB

10 чел.

Выполнил студент группы ЭАПУ-2000б Голяев Р. А.

Отчёт по лабораторной работе N 3

“Исследование входных и выходных характеристик транзисторов”.

Цель работы

Получение экспериментальным путем входных и выходных характеристик транзисторов, получение навыков работы со справочной литературой.

Подготовка к лабораторной работе. Выполнение лабораторной работы

  1.  Для данного транзистора, используя справочные данные, определить тип, цоколевку и выписать эксплуатационные параметры.
  2.  Составить принципиальную схему для исследования входных и выходных характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером, с учетом его структуры. (Обратить внимание на правильность полярности подключения источников питания).
  3.  Расчитать значения резисторов RБ, RК при UБЭ max = 15 В, UKЭ max = 30 В, исходя из требования ограничения токов базы и коллектора на уровне максимально допустимых.  Собственным сопротивлением переходов база-эмиттер и коллектор-эмиттер пренебречь.
  4.  Составить монтажную схему подключения транзистора к  макетной плате с учетом соответствия выводов разъема мнемосхеме на стенде: 4 - база, 6 - коллектор 8 - эмиттер.

5. Собрать схему для проведения исследования.

  1.  Снять семейство входных характеристик IБ = f(UБЭ) при:                                                                      UKЭ = 0, UKЭ = 0.1UKЭ max, UKЭ = 0.5UKЭ max.

7. Снять семейство выходных характеристик IK = f(UKЭ) при:

    IБ= 0.05IБ max

    IБ = 0.1 IБ max

    IБ = 0.2 IБ max

    Приведенные значения тока базы могут изменяться в зависимости от   

    используемого транзистора и должны уточняться у преподавателя.

8.  Расчитать:

    коэффициент усиления по току    при UKЭ = 10 В

    входное сопротивление  при UKЭ = 5 В;

    выходную проводимость .

Рисунок № 1. Схема исследования характеристик транзисторов.

Таблица № 1. Краткие справочные данные по транзисторам.

МП38

МП26Б

КТ315И

КТ605Б

ГТ308А

КТ312В

Структура

n-p-n

p-n-p

n-p-n

n-p-n

p-n-p

n-p-n

h21Э

25-50

30-80

>=30

30-120

25-75

50-280

fh21., МГц

1

0.5

250

40

90

120

UКБMAX, В

30

70

-

300

20

20

UКЭMAX, В

30

70

60

250

12

20

IКMAX, мА

20

50

50

100

50

30

PMAX, мВт

150

200

150

400

150

225

Расчёт значений резисторов.

,        ,    ,                                ,                  

Таблица № 2. Семейство входных характеристик транзистора МП38.

Uкэ, В

0

3

15

1

2

0.06

2

0.055

2

0.05

2

4

     0.13

4

0.115

4.5

0.1

3

5

0.19

5.5

0.18

6

0.19

4

       6

0.27

6.5

0.27

7

0.26

5

6.5

0.38

7

0.37

7.5

0.36

N

UБЭ, В

Iб, мА

UБЭ, В

Iб, мА

UБЭ, В

Iб, мА

Рисунок № 2. Входные характеристики транзистора МП−38 Iб=f(Uбэ).

Примечание: синяя линия − Uкэ=0 В, зелёная линия − Uкэ=3 В , синяя линия − Uкэ=15 В.

Таблица № 3. Семейство выходных характеристик транзистора МП38.

Iб, мА

0.04

0.08

0.12

1

5.2

0.32

3.5

0.75

0.75

1.8

2

9.5

0.37

8.2

0.85

4.75

2.15

3

14.5

0.39

13

0.9

9

2.3

4

19.5

0.4

17.7

0.98

15

2.5

5

24.5

0.48

22.5

1.025

21

2.73

6

28.5

0.5

26.8

1.08

26

3

N

UКЭ, В

Iк, мА

UКЭ, В

Iк, мА

UКЭ, В

Iк, мА

Рисунок № 3. Выходные характеристики транзистора МП−38 Iк=f(Uкэ).

Примечание: синяя линия − IБ=0.15 мА, зелёная линия − Iб=0.3 мА ,                                  синяя линия − Iб=0.75 мА.

Расчёт h − параметров транзистора МП−38.

  1.  Коэффициент усиления по току.

 при  UКЭ=10 В.

,        ,           

  1.  Входное сопротивление.

  при   UКЭ=10 В.

         

  1.  Выходная проводимость.

,                                                

Вывод

  В ходе выполнения этой лабораторной работы были сняты и построены выходные и входные характеристики транзистора МП−38. Используя эти характеристики, я рассчитал h − параметры.

PAGE  1


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

78030. История развития компьютерной техники 1950-1970 годов 55 KB
  Утверждение В.М. Глушкова о том, что С.А. Лебедев - независимо от ученых Запада - разработал принципы построения компьютеров с хранимой в памяти программой - принципиально важный момент. Именно хранение программы в оперативной памяти стало завершающим шагом в развитии первых компьютеров.
78031. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ СТРАТЕГИЙ РОССИИ И США НА БОЛЬШОМ БЛИЖНЕМ ВОСТОКЕ: ПРОБЛЕМЫ СОТРУДНИЧЕСТВА И СОПЕРНИЧЕСТВА 1.69 MB
  Совместные же усилия наших двух стран в преодолении последствий этой агрессии обусловили формирование новой системы отношений в регионе, практически сведя на нет риски масштабного военного взрыва между главными в прошлом антагонистами – Израилем и арабскими странами.
78032. Игра как средство повышения интереса к урокам русского языка 113 KB
  Система современного образования не активирует в достаточной степени внутренние мотивы учения. Она диктует ребёнку свои условия и не оставляет места для его вопросов. В результате школьник перестаёт их задавать, теряет интерес к окружающему миру и, соответственно, к обучению.
78034. Укрощение «фабрики бумаг» 59 KB
  Первый вопрос решается на стадии предпроектного исследования когда определяются численные характеристики потоков документов реально существующих в организации. Измерение документооборота Параметры описывающие документооборот в организации можно разделить на три основных класса: объем документооборота...
78036. РОСІЙСЬКА ПОЕЗІЯ 198.5 KB
  Упродовж срібного віку в російській поезії яскраво виявили себе чотири покоління поетів: бальмонтівське яке народилося в 60ті та на початку 70х років XIX ст. Розгром російської культури та поезії срібного віку був остаточно довершений восени 1922 р.