71043

Дослідження напівпровідникового стабілітрона

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Дослідним шляхом зняти вольтамперну характеристику стабілітрона визначити його параметри порівняти з довідковими даними і дослідити вплив навантаження на точність стабілізації напруги стабілітроном. Короткі теоретичні відомості Стабілітронами називають напівпровідникові діоди призначені для стабілізації напруги.

Украинкский

2014-11-01

174 KB

4 чел.

Робота 19. Дослідження напівпровідникового                      

                  стабілітрона

19.1. Мета роботи

 

Дослідним шляхом зняти вольт-амперну характеристику стабілітрона, визначити його параметри, порівняти з довідковими даними і дослідити вплив навантаження на точність стабілізації напруги стабілітроном.

19.2. Короткі теоретичні відомості

Стабілітронами називають напівпровідникові діоди, призначені для стабілізації напруги. Вони працюють при оберненому включенні, а їхні стабілізуючі властивості пояснюються особливістю зворотної вітки вольт-амперної характеристики (рис.19.1).

Рис.19.1.

Робочою ділянкою характеристики є відрізок АВ , що проходить майже паралельно до осі струму і відповідає режиму неруйнівного електричного пробою у стабілітроні. Як видно з рис. 19.1, в області електричного пробою спад напруги на стабілітроні Uст залишається практично постійним при значних змінах струму стабілізаці Iст.

Характер вольт-амперної характеристики стабілітрона в області електричного пробою пояснюється властивостями p-n переходу. При оберненій полярності прикладеної напруги електричне поле, яке створене джерелом живлення, накладається на поле переходу і посилює його. Внаслідок цього потенціальний бар'єр між областями зростає і p-n перехід закривається для основних носіїв. Однак, електричне поле переходу залишається  прискорюючим для неосновних носіїв: електронів з p-області і дірок з n-області. Під дією поля неосновні носії вільно рухаються через перехід, створюючи невеликий зворотний струм. Оскільки концентрація неосновних носіїв низька, то зворотний струм швидко досягає насичення Iо і в певному інтервалі майже не залежить від величини прикладеної напруги. Це відповідає відрізку ОА оберненої вітки характеристики (рис. 19.1).

З ростом зворотної напруги зростають  напруженість поля і кінетична енергія носіїв струму. При оберненій напрузі, близькій до Uст , починаються процеси електростатичної і ударної іонізації атомів напівпровідника. В результаті іонізації утворюються нові пари вільних електронів і дірок, які, в свою чергу, розганяються полем і утворюють зростаюче число носіїв струму. Ці процеси носять лавиноподібний характер, призводять до різкого зростання струму через перехід і називаються електричним пробоєм. В області стійкого електричного пробою значні зміни струму визиваються незначними змінами прикладеної напруги, що і пояснює хід ділянки АВ вольт-амперної характеристики стабілітрона. При зменшенні прикладеної напруги властивості p-n переходу відновлюються.

Вольт-амперна характеристика стабілітрона при прямому включенні нічим не відрізняється від характеристики звичайного напівпровідникового діода.

Явище електричного пробою супроводжується значним виділенням теплової енергії в зоні p-n-переходу. Неконтрольоване збільшення напруги може призвести до переростання електричного пробою у тепловий з повним руйнуванням p-n-переходу.

Основним матеріалом для виготовлення стабілітронів служить кремній, тому що він здатний витримувати більші теплові навантаження порівняно з германієм. Площинні стабілітрони виготовляють за сплавною або дифузійно-сплавною технологією. Для цього в пластинку кремнію n-типу вплавляють алюміній, який служить акцепторною домішкою для кремнію. Кристал з утвореним     p-n-переходом поміщають в герметичний корпус. Стабілітрони виготовляються на напруги стабілізації від кількох вольт до кількох сотень вольт.

Добитися стабілізації напруги можна і на прямій вітці вольт-амперної характеристики. Стабілізуючі діоди, котрі працюють в області електричного пробою при прямому включенні, називають стабісторами. Характерною для стабісторів є низька напруга стабілізації, яка не перевищує трьох вольт.

Промисловістю випускаються також двоанодні стабілітрони, які стабілізують напругу обох полярностей.

Основними характеристиками стабілітронів є:

- напруга стабілізаціїUст - спад напруги на стабілітроні при номінальному значенні струму стабілізації;

- номінальний струм стабілізації Iст.ном - значення постійного струму , при якому визначається напруга стабілізації;

- мінімальний і максимальний струми стабілізації Icт.min і Iст.max - визначають межі допустимих значень струму стабілізації;

- диференціальний опір rд - відношення приросту напруги стабілізації до відповідного невеликого приросту струму стабілізації

;                                        /19.1/

- температурний коефіцієнт напруги стабілізації Кt - відношення зміни напруги стабілізації до зміни температури при середньому значенні струму стабілізації Icт .ср

.                                    /19.2/

Стабілітрони знаходять широке застосування в різноманітних пристроях електроніки, як джерела стабільної (опорної) напруги, наприклад, використовуються в параметричних стабілізаторах напруги.

Найпростіша схема параметричного стабілізатора напруги складається з баластного резистора Rб і стабілітрона VD, включених послідовно (рис. 19.2).

Рис.19.2.

При зміні струму в навантаженні вихідна напруга залишається практично незмінною, так як вона визначається спадом напруги на стабілітроні Uвих=Uст. Очевидно, що стабілізація напруги при зміні струму через стабілітрон можлива при зміні внутрішнього опору стабілітрона, тобто його параметру.

Ефективність роботи стабілізатора характеризується коефіцієнтом стабілізації, рівним відношенню зміни вхідної напруги до вихідної

.                               /19.3/

Для нормальної роботи стабілізатора струм у навантаженні повинен бути меншим від струму через стабілітрон Iн < Iст.

Для збільшення напруги стабілізації допускається послідовне з'єднання стабілітронів з однаковим струмом стабілізації. Паралельна робота стабілітронів не допускається через різні умови пробою. Після пробою одного із стабілітронів напруга стабілізується тому в іншому пробій може не відбутися.

19.3. Програма роботи

1. Зібрати схему дослідження стабілітрона.

2. Зняти вольт-амперну характеристику стабілітрона при прямому включенні напруги живлення Iпр = f(Uпр).

3. Зняти вольт-амперну характеристику стабілітрона при обернено-

му включенні напруги живлення Iзв = f(Uзв).

4. Зняти навантажувальну характеристику параметричного стабілі-

затора на основі стабілітрона.

5. Визначити коефіцієнт стабілізації параметричного стабілізатора.

6. За вольт-амперною характеристикою визначити основні пара-метри досліджуваного стабілітрона і порівняти їх з довідковими даними.

    

19.4. Опис схеми дослідження стабілітрона

 

Рис.19.3.

На рис. 19.3 наведена схема дослідження стабілітрона. На схемі: R1-резистор 470 Ом; VD1- стабілітрон КС157Ж; R2- резистор змінний - 47 Ом; SA1-тумблер; PA1-прилад Ц43101; PA2-прилад Ц43342; PV1- прилад Ф4373.

Схема дослідження стабілітрона наведена на рис.19.3. Живлення схеми здійснюється від стабілізатора + 15 В блока живлення БП. Баластний резистор R1 служить для обмеження струму стабілітрона  при електричному пробої.

За допомогою ключа SA1 паралельно до стабілітрона приєднується опір навантаження R2 для дослідження стабілітрона у режимі параметричного стабілізатора напруги.

19.5. Порядок виконання роботи

1. На монтажній панелі з елементів набору складіть схему дослідження стабілітрона згідно з рис.19.3. Ручку регулювання напруги +15 В виведіть в ліве крайнє положення. У присутності викладача увімкніть блок живлення та вимірювальний прилад. Прослідкуйте, щоб вимикач SA1 був розімкнутий.

2. Змінюючи ручкою +15 В напругу живлення схеми Uж від мінімального значення до максимального ступенями в 2 В, зніміть пряму вітку вольт-амперної характеристики стабілітрона Iпр = f(Uпр). Дані занесіть у табл. 1.

                                                                            Таблиця 1  

Uж,   В    

2

4

6

8

10

12

16

18

20

22

24

Uпр,  В

Iпр,   В

За даними табл. 1 побудуйте пряму вітку вольт-амперної характеристики.

3. Витягніть панель зі стабілітроном, розверніть на 180 і знову вставте у ті ж гнізда монтажної панелі таким чином, щоб напруга до стабілітрона була прикладена у зворотному напрямку.

Змінюючи напругу Uж ручкою +15 В блока живлення від мінімального до максимального значення ступенями у 2 В, зніміть обернену вітку вольт-амперної характеристики стабілітрона                     Iзв = f(Uзв). Дані занесіть у табл.2.

                                                                                        Таблиця 2

Uж,   В      

2

4

6

8

10

12

16

18

20

22

24

Uзв,  В

Iзв,   В

За даними табл. 2 побудуйте зворотну вітку вольт-амперної характеристики стабілітрона.

4. Для зняття навантажувальної характеристики Uн=f(Iн) під'єднайте навантаження R2 за допомогою ключа SA1. Установіть напругу живлення схеми рівну 18 В. Плавно змінюючи величину резистора R2, встановлюйте струм у навантаженні Iн, рівний 5, 10, 15, 20, 25 mA, та вимірюйте величину напруги на навантаженні мультиметром. Дані занесіть у табл. 3.

                                                                                     Таблиця 3    

Iн, mA

5

10

15

20

25

Uн, В

За даними табл. 3 побудуйте навантажувальну характеристику параметричного стабілізатора.

5. Для визначення коефіцієнта стабілізації зафіксуйте струм у навантаженні, рівний 20 mA. Змініть напругу на вході схеми на 1 В та виміряйте  зміну напруги на навантаженні. Дані занесіть у табл. 4.

                                                                                  Таблиця 4

Uвх,  В

Uвх, В

Uвих, В

Uвих, В

Kст

       

За даними табл. 4 розрахуйте коефіцієнт стабілізації стабілізатора K .

6. За вольт-амперними характеристиками визначіть основні параметри стабілітрона і порівняйте з довідковими даними.

19.6. Контрольні запитання

1.Яке призначення стабілітронів?

2.Як класифікуються та позначаються стабілітрони?

3.Який вигляд має вольт-амперна характеристика стабілітрона і як вона пояснюється?

4.Які основні характеристики стабілітронів?

5.При якому включенні працюють стабілітрони?

6.В якому режимі працюють стабілітрони?

7.У чому полягає електричний пробій p-n-переходу?

8.Які особливості роботи стабісторів?

9.Як працюють двоанодні стабілітрони?

10. Наведіть приклади застосування стабілітронів?

228


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

33965. Желтуха 35 KB
  Уровень билирубина в крови при этом повышен. В зависимости от причины повышения уровня билирубина в крови выделяют три основных типа желтух. Паренхиматозная печеночная желтуха развивается в результате повреждения гепатоцитов способность которых связывать свободный 'билирубин крови и переводить его в билирубин глюкуронид прямой билирубин уменьшается. В анализах крови повышение уровня непрямого билирубина концентрация прямого билибурина не повышена.
33966. Показания к операции. Характер оперативного вмешательства и последствия при остром панкреатите 26.5 KB
  Хирургическое лечение при остром панкреатите показано: 1 при сочетании острого панкреатита с деструктивными формами острого холецистита; 2 при безуспешном консервативном лечении в течение 36 48 ч; 3 при панкреатогенном перитоните при невозможности выполнения лапароскопического дренирования брюшной полости; 4 при осложнениях острого панкреатита: абсцессе сальниковой сумки флегмоне забрюшинной клетчатки. В диагностике и лечении деструктивных форм острого панкреатита большое значение имеет лапароскопия при которой можно уточнить...
33967. Анатомия и физиология пищевода. Методы исследования. Дивертикул пищевода 41.5 KB
  Анатомия и физиология пищевода. Дивертикул пищевода. Вход в пищевод расположен на уровне перстневидного хряща и отстоит от переднего края верхних резцов на 14 16 см рот пищевода. Второе физиологическое сужение пищевода находится примерно в 25 см от края верхних резцов на уровне бифуркации трахеи и пересечения пищевода .
33968. Пенетрация язвы 25 KB
  Пенетрация язвы В развитии пенетрации язвы различают три стадии: внутристеночную пенетрацию язвы стадию фиброзного сращения завершенную пенетрацию в соседний орган. Наиболее часто пенетрация язвы происходит в малый сальник в головку поджелудочной железы в печеночнодвенадцатиперстную связку. Возможна пенетрация язвы в печень в желчный пузырь в поперечную ободочную кишку и ее брыжейку. Появление боли в спине боль опоясывающего характера наблюдаются при пенетрации язвы в поджелудочную железу.
33969. Дудоденальная непроходимость. Пилородуодунальній стеноз 23.5 KB
  или пилорического отдела желудка. воспалительным инфильтратом обтурацией просвета отеком слизистой пилороспазмом или опухолью желудка. Декомпенсация гастростаз атония желудка многократная рвота рвотные массы зловонные многодневной давности. Пальпаторно контуры растянутого желудка шум плеска .
33970. Полипы желудка 25.5 KB
  Полипы желудка. Полипы желудка представляют собой патологические разрастания эпителиальной ткани. 7090 всех полипов желудка cоставляют гиперпластические полипы. Остальные 1030 приходится на долю аденоматозных полипов железистых полипов дна желудка и гамартомных полипов.
33971. Брюшина. Перитонит: классификация по клин. течению, распространнённостью процеса, характером выпота 37 KB
  Брюшина представляет собой тонкую серозную оболочку покрывающую внутреннюю поверхность брюшной стенки и расположенные в брюшной полости внутренние органы. Выделяют париетальную брюшину покрывающую внутреннюю поверхность брюшной стенки и висцеральную покрывающую большую часть внутренних органов. В брюшной полости в нормальных условиях находится небольшое количество прозрачной жидкости увлажняющей поверхность внутренних органов и облегчающей перистальтику желудка и кишечника. Богатая васкуляризация брюшинного листка обусловливает его...
33972. НЕПРОХОДИМОСТЬ КИШЕЧНАЯ 29.5 KB
  Классификация По этиологии Динамическая Спастическая заболевания нервной системы истерия спазмофилия дискинезия глистная инвазия полипы толстой кишки Паралитическая воспалительный процесс в брюшной полости флегмона гематома забрюшинного пространства состояние после лапаротомии рефлекторные влияния патологических состояний внебрюшинной локализации например пневмонии плеврита ИМ тромбоз брыжеечных сосудов инфекционные заболевания токсические парезы Механическая Обтурационная: интраорганная глистная инвазия...
33973. Тактика хирурга при лечении кишечной непроходимости. Особенности 35.5 KB
  Тактика хирурга при лечении кишечной непроходимости. Перед началом лечения необходимо четко представлять с каким видом непроходимости приходится иметь дело. При странгуляционной непроходимости или обоснованном подозрении на нее показана экстренная операция ибо задержка хирургического вмешательства может привести к некрозу кишки и разлитому перитониту. При обтурационной кишечной непроходимости можно попытаться использовать консервативное лечение с целью ликвидации кишечной непроходимости с последующим устранением вызвавшей .