71494

Разработка и отладка алгоритмов и программ с применением рекурсивных функций

Лабораторная работа

Информатика, кибернетика и программирование

Цель работы: Получить практические навыки в разработке алгоритмов и написании программ на языке С с применением рекурсивных функций. Оборудование: IBM – совместимый компьютер, система программирования BC3.1, MVC++ 6.00.

Русский

2014-11-07

103.5 KB

0 чел.

Лабораторная работа №8

Разработка и отладка алгоритмов и программ с применением рекурсивных функций

Цель работы: Получить практические навыки в разработке алгоритмов и написании программ на языке С с применением рекурсивных функций.

Оборудование: IBM – совместимый компьютер, система программирования BC3.1, MVC++ 6.00.

Вариант 4

Индивидуальное задание

1. Дана последовательность ненулевых  целых чисел, признаком конца которых служит 0. Используя рекурсию, напечатать сначала все отрицательные, а потом – все положительные   числа этой последовательности.

 

Приложение 1

Графическая схема задачи 1

Приложение 2

Исходный модуль задачи 1

#include "stdafx.h"

#include <iostream>

using namespace std;

void rekursPrint(int * seq, int i, bool bNegative);

int main(){

   int sequence[] = {-2, 15, -1, -8, 14, 125, 11, -6, 0};

   rekursPrint(sequence, 0,  true);

   rekursPrint(sequence, 0, false);

   return 0;

}

void rekursPrint(int * seq, int i, bool bNegative)

{

   if(seq[i])

   {if(bNegative && seq[i] < 0)

           cout<<seq[i]<<" ";

       if(!bNegative && seq[i]> 0)

           cout<<seq[i]<<" ";

       rekursPrint(seq, i + 1, bNegative);

   }

}

Тест:

                                      


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

69014. Високочастотні властивості p-n структур 188.5 KB
  Таким чином при прямій напрузі електрони переходять із однієї області у іншу без витрат енергії утворюючи струм. В цьому випадку навпроти заповнених рівнів pобласті знаходяться заповнені рівні nобласті і електрони здійснюють тунельні переходи з ВЗ pн п в ЗП nн п в обох напрямках і сумарний...
69015. Р-п структури різного призначення. Випрямні властивості р-n переходу 267 KB
  Їх виготовляють за сплавною або дифузійною технологією. Конструкції малопотужних сплавних і дифузійних діодів однакові. До кристалу з р-n переходом припаюють виводи і розміщують у корпусі на кристалодержаку. Вивід емітера ізольований від корпусу, вивід бази зв’язують з корпусом...
69016. МОДЕЛІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУР 160 KB
  Барєрна ємність визначається нерухомими іонами атомів домішок дифузійна рухомими носіями заряду. Барєрна ємність існує при зворотній напрузі дифузійна при прямій. Барєрна ємність Барєрну ємність СБАР утворює обємний заряд нерухомих позитивних іонів атомів домішок Q який розміщується...
69018. Статичні характеристики біполярних транзисторів 290 KB
  Статичні характеристики біполярних транзисторів Вольтамперні характеристики БД Для розрахунку електричних ланцюгів що містять транзистори необхідно знати залежності між струмами і напругами на їх входах та виходах. Вхідна статична характеристика це залежність вхідного струму від...
69019. Робота транзистора в ключовому режимі 131.5 KB
  В апаратурі телекомунікацій часто виникає необхідність використання каскадів, котрі пропускають сигнал або його не пропускають. Такі каскади називають ключовими. Вони будуються на БТ, які працюють у ключовому режимі (режимі перемикання).
69020. Багатопереходні структури. Призначення, будова, класифікація та позначення тиристорів 215.5 KB
  Основу тиристора складає пластинка з монокристалу силіцію з областями p і nтипу які чергуються рис. Анод і катод тиристора мають відводи. Класифікація і позначення тиристорів середньої і малої потужності Крім того відвод у тиристора може бути і від внутрішньої області.