734

Определение коэффициента вязкости жидкости по методу падающего шарика

Лабораторная работа

Физика

Основная расчетная формула для вычисления коэффициента вязкости жидкости. Средние значения диаметра шарика и время его падения. Средства измерений и их характеристики. Расчет границы абсолютной погрешности измерения плотности материала шариков.

Русский

2013-01-06

57 KB

169 чел.

О Т Ч  Е Т   

по лабораторной работе № 4

Определение коэффициента вязкости жидкости по методу падающего шарика

Студент __________________

Группа_______________________

Дата__________________________

Преподаватель…………………….

На внутренних страницах

1.Основная расчетная формула для вычисления коэффициента вязкости жидкости:

,

где - плотность материала шариков;

       - плотность жидкости;

        - диаметр шарика;

        - ускорение свободного падения;

       - время падения шарика;

         l -  расстояние между метками;

        - масса шарика.  

В расчетную формулу подставлять средние значения диаметра шарика, времени его падения и массы.       

  1.  Эскиз установки.

3. Средства измерений и их характеристики.                         Таблица 1

Наименование средства измерения

Предел измерений или номинальное значение шкалы

Цена деления шкалы

Предел основной погрешности

1. Электронные весы

    От 0 до 500 г.

 0,001г.

          0,02 г.

2. Микрометр

              

От 0 до 25 мм.

 0,01 мм.

       0,004 мм.

3. Секундомер

              

От 0 до 10 с.

 0,01 с.

       0,01 с.

4.  Линейка

От 0 до 80 см.

 0,5 см.  

       0,3 см.

5. Ареометр

От  1,00 до 1,50

 0,01 г/ см3

     0,005 г/см3

Исследуемая жидкость - технический глицерин.

4. Результаты измерений

4.1. Измерение диаметров шариков

Таблица 2  

, мм

, мм

, мм2

4,94

4,93

4,94

4,95

4,95

0,787

0,786

0,787

0,788

0,788

0,619

0,617

0,619

0,621

0,621

    Средний диаметр  шарика: <d>=4,153мм,   мм2

……………………………….мм;

мм; для 4 измерений коэффициент Стьюдента равен 3,18.

мм;

мм.

 

4.2. Измерение массы шариков

Таблица 3

, г

, г

, г2

503

478

478

486

488

16,4

-8,6

-8,6

-0,6

1,4

268,96

73,96

73,96

0,36

1,96

г;                                                      г2

…………………….г;

г;      

г;

г.

  1.  Измерение времени падения шариков

Таблица 4.

, c

, c

, c2

5,891

5,656

5,752

5,802

5,801

0,1234

0,12345678

  0,12345 c;                                с2;

с;

с;

с;

с.

4.4. Измерение плотности жидкости

= …………….. г/см3 ,

…………………………..г/см3,   

  1.  Измерение расстояния между метками

L=.......мм,

……………мм,    

5. Расчет искомой величины (все расчеты следует производить в единицах измерения СИ).

5.1. Расчет плотности материала шариков

...................................................кг/м 3

  1.  Расчет вязкости жидкости

....................................................................Пас

6. Расчет погрешности.

6.1. Расчет границы абсолютной погрешности измерения плотности материала шариков

……………………………

………………………………………………………………………… кг/м3

6.2. Расчет относительной  погрешности измерения  коэффициента вязкости жидкости

……………………………………………………………………………………….

6.3. Расчет абсолютной   погрешности   результата   измерений коэффициента вязкости

.............Пас

7. Окончательный результат коэффициента вязкости жидкости при температуре t= 200C

 Пас,               

8. Выводы. (Сравнить полученный результат с табличным значением коэфициента вязкости глицерина. При 200C он равен 0,90 Па*с. Проанализировать погрешности измерений и т.д.).


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

37899. Исследование космического излучения 1.03 MB
  Изучение поглощения космического излучения в свинце9 3. Изучение углового распределения интенсивности космического излучения.12 Лабораторная работа № 88 Исследование космического излучения 1. Цель работы 1 изучение зависимости интенсивности космического излучения от толщины пройденных им свинцовых пластин; 2 проверка феноменологической формулы зависимости интенсивности космического излучения от угла наблюдения.
37900. ИЗУЧЕНИЕ ПРОБЕГА -ЧАСТИЦ В ВОЗДУХЕ 568.16 KB
  Методические указания знакомят студентов с явлением радиоактивности и с механизмами потери энергии электронов при их прохождении через вещество. Студентам предоставляется возможность эксперементально исследовать зависимость интенсивности лучей от толщины слоя воздуха и определить линейный коэффициент поглащения а также оценить верхнюю границу энергии спектра и выявить наиболее важный механизм потерь энергии электронов при их движении в воздухе. Оценить верхнюю границу энергии спектра и выявить наиболее важный механизм...
37901. Изучение явления внешнего фотоэффекта 70.5 KB
  Контрольные вопросы8 Список литературы8 Лабораторная работа № 93 Изучение явления внешнего фотоэффекта 1. Цель работы Снятие вольт амперной характеристики внешнего фотоэффекта изучение законов внешнего фотоэффекта определение постоянной Планка. Типичная вольт амперная характеристика фотоэффекта т. Таким образом опытным путем установлены следующие основные законы внешнего фотоэффекта: 1.
37902. Определение концентрации и подвижности носителей тока в полупроводнике методом эффекта холла 335.5 KB
  Эффект Холла 4 2. Физическая природа эффекта Холла 5 3. Контрольные вопросы 13 Список литературы 13 Лабораторная работа № 98 Определение концентрации и подвижности носителей тока в полупроводнике методом эффекта холла 1.
37903. ИЗУЧЕНИЕ ДИФРАКЦИИ СВЕТА НА ПРОСТЕЙШИХ ПРЕГРАДАХ И ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКЕ 260.5 KB
  Дифракция света на щели. Экспериментальное определение с помощью дифракции света ширины щели и размеров мельчайших круглых частиц. Дифракция света на щели Рассмотрим дифракцию в параллельных лучах дифракцию Фраунгофера на одной щели.2 и пусть b λ это условие позволяет не учитывать так называемые краевые эффекты обусловленные взаимодействием электромагнитного поля падающей световой волны с веществом щели.
37904. КАЧЕСТВЕННЫЙ И ПОЛУКОЛИЧЕСТВЕННЫЙ СПЕКТРАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ СПЛАВОВ 4.23 MB
  Определить процентное содержание химического элемента в сплаве. Спектр каждого элемента является строго его индивидуальной характеристикой и поэтому может быть использован для анализа вещества. Атом состоит из положительно заряженного ядра в котором сосредоточена практически вся его масса и отрицательно заряженных электронов число которых в нейтральном атоме совпадает с порядковым номером элемента в периодической системе Менделеева. На энергетических схемах возможные значения энергии атома изображаются горизонтальными линиями причем все...
37905. Исследования полупроводникового диода 566 KB
  С точки зрения зонной теории полупроводниками являются кристаллические вещества у которых при 0 К валентная зона полностью заполнена электронами а ширина запрещенной зоны невелика например для германия она равна 072 эВ. Выясним природу этих носителей на примере полупроводника из германия. Все атомы германия нейтральны и связаны друг с другом ковалентными связями. Чтобы создать проводимость необходимо разорвать хотя бы одну из связей удалив из атома германия электрон и перенеся его в какуюлибо другую кристаллическую ячейку где все...
37906. Изучение статических характеристик и определение коэффициента усиления транзистора 84.5 KB
  Инжекция носителей тока. Инжекция носителей тока В основе работы транзистора лежит явление полупроводников р и n типа рn переход к которому приложено внешнее электрическое поле в пропускном прямом направлении рис.1 В этом случае потенциальный барьер основных носителей на границе рn перехода снижается и под влиянием внешнего поля дырки переходят из р в n полупроводник а электроны в обратном направлении из n в р полупроводник и в цепи возникает прямой ток. Процесс рекомбинации происходит не...
37907. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ 4.96 MB
  Электропроводность зависит от температуры структуры вещества и от внешних воздействий напряженности электрического поля магнитного поля облучения и т. Характер зависимости σ от температуры Т различен у разных веществ. Увеличение температуры приводит к возрастанию тепловых колебаний кристаллической решетки на которых рассеиваются электроны и σ уменьшается. при более низких температурах когда влиянием тепловых колебаний на рассеяние электронов можно пренебречь сопротивление практически не зависит от температуры.