73642

Память. Типовые структуры и функциональные узлы микросхем памяти

Лекция

Информатика, кибернетика и программирование

Каждый код хранится в отдельном элементе памяти называемом ячейкой памяти. Основная функция любой памяти состоит в выдаче этих кодов на выходы микросхемы по внешнему запросу. Основной параметр памяти ее объем то есть количество кодов которые могут в ней храниться и разрядность этих кодов. Для обозначения количества ячеек памяти используются следующие специальные единицы измерения: 1К это 1024 то есть 210 читается кило или ка примерно равно одной тысяче; 1М это 1048576 то есть 220 читается мега примерно равно одному...

Русский

2014-12-19

1.32 MB

14 чел.

PAGE  174

12. ПАМЯТЬ

12.1 Общие сведения

Память, как и следует из ее названия, предназначена для запоминания, хранения каких-то массивов информации, проще говоря, наборов, таблиц, групп цифровых кодов. Каждый код хранится в отдельном элементе памяти, называемом ячейкой памяти.

Основная функция любой памяти состоит в выдаче этих кодов на выходы микросхемы по внешнему запросу.

Основной параметр памяти - ее объем, то есть количество кодов, которые могут в ней храниться, и разрядность этих кодов.

Для обозначения количества ячеек памяти используются следующие специальные единицы измерения:

1К - это 1024, то есть 210 (читается «кило-» или «ка-»), примерно равно одной тысяче;

1М - это 1048576, то есть 220 (читается «мега-»), примерно равно одному миллиону;

1Г - это 1073741824, то есть 230 (читается «гига-»), примерно равно одному миллиарду.

Принцип организации памяти записывается следующим образом: сначала пишется количество ячеек, а затем через знак умножения (косой крест) - разрядность кода, хранящегося в одной ячейке.

Например, организация памяти 64Кх8 означает, что память имеет 64К (то есть 65536) ячеек и каждая ячейка - восьмиразрядная.

Организация памяти 4М х 1 означает, что память имеет 4М (то есть 4194304) ячеек, причем каждая ячейка имеет всего один разряд.

Общий объем памяти измеряется в байтах (килобайтах - Кбайт, мегабайтах - Мбайт, гигабайтах - Гбайт) или в битах (килобитах - Кбит, мегабитах - Мбит, гигабитах - Гбит).

Общее представление о назначении микросхем памяти и их классификации удобно начать с рассмотрения их места и роли в ЭВМ (Рис. 12.1), поскольку понятие память в таком случае получает наглядную интерпретацию.

Память определяют как функциональную часть ЭВМ, предназначенную для записи, хранения и выдачи команд и обрабатываемых данных. Комплекс технических средств, реализующих функцию памяти, называют запоминающим устройством (ЗУ).

Рис. 12.1. Структура ЭВМ

 

Для обеспечения работы процессора (микропроцессора) необходимы программа, т. е. последовательность команд, и данные, над которыми процессор производит предписываемые командами операции. Команды и данные поступают в основную память ЭВМ через устройство ввода, на выходе которого они получают цифровую форму представления, т. е. форму кодовых комбинаций 0 и 1. Основная память, как правило, состоит из ЗУ двух видов - оперативного (ОЗУ) и постоянного (ПЗУ).

Кроме этого имеется сверхоперативная память (СОЗУ) которая имеет быстродействие соизмеримое с быстродействием процессора и служит для хоанения ряда чисел, необходимой для выполнения некоторой текущей последовательности команд программы. Роль СОЗУ выполняют регистры.

Буферная память предназначена для промежуточного хранения информации при обмене между устройствами, работающими с разными скопростями.

Наряду с внутренней памятью имеется внешняя память. Внешнее ЗУ (ВЗУ) предназначена для хранения больших объемов информации, характеризуется более низким быстродействием.

Микросхемы памяти изготавливают по полупроводниковой технологии на основе кремния с высокой степенью интеграции компонентов на кристалле, что определяет их принадлежность к большим интегральным схемам.

Основной составной частью структуры любой микросхемы памяти является матрица накопителя, представляющая собой однородный массив элементов памяти. Элемент памяти (ЭП) может хранить один бит (0 или 1) информации.  

Каждый ЭП имеет свой адрес. Для обращения к ЭП необходимо его «выбрать» с помощью кода адреса, сигналы которого подводят к соответствующим выводам микросхемы.

Рис.  12.2. Микросхема памяти как функциональный узел: а - ОЗУ; б - ПЗУ

Схемотехнический принцип построения элемента памяти в значительной степени определяет способ хранения информации в накопителе. По этому признаку микросхемы памяти можно разделить на статические и динамические.

В микросхемах статических ЗУ информация в режиме хранения неподвижна, т. е.  находится в статическом состоянии. В этот класс микросхем памяти входят  микросхемы  ОЗУ,  у  которых  элементом  памяти  является  статический триггер, и микросхемы ПЗУ.

В микросхемах динамических ЗУ записанная в накопитель информация в режиме хранения периодически перезаписывается с целью ее восстановления (регенерации). К этому классу микросхем памяти относят микросхемы динамических ОЗУ. Элементом памяти в таких микросхемах является МДП-конденсатор, сформированный внутри полупроводникового кристалла. Информация, имеющая форму уровня напряжения (заряда) на конденсаторе, из-за наличия токов утечки в объеме и на поверхности полупроводникового кристалла не может сохраняться длительное время к поэтому нуждается в периодическом, восстановлении.

Микросхемы динамических ОЗУ имеют большую информационную емкость, чем микросхемы статических ОЗУ, что обусловлено меньшим числом компонентов в одном элементе памяти и, следовательно, более плотным их размещением в полупроводниковом кристалле. Однако динамические ОЗУ сложнее в применении, поскольку нуждаются в организации принудительной регенерации, а значит, в дополнительном оборудовании и в усложнении устройств управления.

Для хранения небольших объемов информации широко применяют регистровые ЗУ. В обширной номенклатуре микросхем регистров некоторая их часть содержит многорегистровые структуры, которые можно использовать для одновременного хранения нескольких слов. Возможности таких микросхем зависят от их структурного построения и способа адресации регистров. Некоторые допускают адресное обращение к каждому из регистров (регистровые файлы).

Другие работают по принципу «магазинного» ЗУ, заполняясь информацией па мере ее поступления и освобождаясь от нее в порядке ее поступления по правилу «первым вошел - первым вышел» (FIFO - First Input-First Output) или в обратном порядке «последним вошел - первым вышел» (LIFO - Last Input-First Output).

Магазинные ЗУ нередко называют стеком (Stack - штабель). Стековые регистровые ЗУ широко применяют в калькуляторах, микропроцессорных контроллерах и других вычислительных устройствах.

В микросхемах ПЗУ функции элементов памяти выполняют перемычки между линиями строк и столбцов в накопителе. Эти перемычки представляют собой либо тонкопленочные проводники, либо диоды и транзисторы. Наличие перемычки кодируется 1, ее отсутствие - 0. Возможна и обратная кодировка.

Занесение информации в микросхемы ПЗУ, т. е. их программирование, осуществляют в основном двумя способами. Один из них заключается в формировании перемычек в накопителе на заключительной стадии изготовления микросхемы с использованием трафарета (маски). Такие микросхемы получили название масочных ПЗУ (МПЗУ). Другой способ состоит в пережигании легкоплавких токопроводящих перемычек в тех точках накопителя, где должен быть записан 0 или 1 в зависимости от принятого кодирования состояний перемычек. Программирование микросхем ПЗУ осуществляет пользователь с помощью специального устройства - программатора.

Микросхемы масочных ПЗУ и микросхемы программируемых пользователем ПЗУ (ППЗУ) допускают однократную запись информации, поскольку при программировании происходит необратимое разрушение соединений в накопителе. Существует разновидность ПЗУ, допускающая неоднократное программирование, т. е. перепрограммирование или, иначе, репрограммирование. Этим свойством репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) обладают благодаря использованию в них элементов памяти на основе МДП-транзисторов специальной конструкции, способных переходить из непроводящего состояния в проводящее и обратно под воздействием внешнего программирующего напряжения, причем оба состояния могут сохраняться длительное время (тысячи часов) без напряжения питания.

По способу стирания информации в накопителе микросхемы РПЗУ разделяют на два вида, которые называют программируемыми ПЗУ со стиранием электрическим сигналом (ЭСППЗУ) и ультрафиолетовым излучением (СППЗУ).

Наряду с полупроводниковыми микросхемами ОЗУ и ПЗУ промышленность выпускает микросхемы памяти на тонких магнитных пленках, элементами памяти в которых являются цилиндрические магнитные домены (ЦМД). Микронные размеры ЦМД позволяют разместить в тонкой пленке магнитного материала на диэлектрической подложке размерами 100X100 мм2 накопитель с информационной емкостью в десятки миллионов бит. Микросхемы памяти на ЦМД предназначены для реализации внешних запоминающих устройств, отличающихся от устройств на магнитных лентах и дисках более высокой надежностью функционирования и быстродействием благодаря полностью электронной системе записи и считывания информации.

Разновидности микросхем памяти приведены на Рис.12.3. Здесь же показаны международные буквенные обозначения микросхем памяти различных видов.

Информацию о принадлежности микросхемы к определенной серии содержит ее условное буквенное обозначение. В соответствии с принятой системой обозначение микросхемы представляет собой цифробуквенный код, состоящий из следующих частей:

а) трех-, четырехзначное число, обозначающее номер серии, в котором первая цифра указывает на  конструктивно-технологическое исполнение  микросхемы: 1,5,6,7 - полупроводниковые,  2,  4,  8 - гибридные,  3 - пленочные,   керамические и  прочие. Последующие две-три  цифры  являются  порядковым номером  разработки.   При  четырехзначном  номере  серии   вторая  цифра  указывает на  область применения или на  функциональное предназначение микросхем серии: 0 - бытовая радиоэлектронная  аппаратура,   1 - аналоговая техника, 4 -операционные усилители, 5 - цифровая техника, 6 - запоминающие устройства, 8 - микропроцессорная техника;

Рис.12.3. Классификация микросхем памяти

б) двухбуквенный индекс, в котором первая буква обозначает подгруппу, а  вторая - вид  микросхемы  по функциональному назначению:  РУ - оперативные ЗУ с управлением, РМ -матрицы оперативных ЗУ, РЕ - масочные ЗУ,  РТ - программируемые    ПЗУ,    РР - репрограммируемые    ПЗУ   со стиранием информации   электрическим   сигналом    (ЭСППЗУ),    РФ - репрограммируемые ПЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым излучением (СППЗУ), РЦ -запоминающие устройства на ЦМД, ИР - регистры;

в) одно-, двух-  или трехзначный номер  разработки  микросхемы  среди  ей подобных в данной серии;

г) буква, указывающая типономинал микросхемы;

д) при необходимости в начале буквенного обозначения располагают двухбуквенный  префикс,   первая   буква   которого   К  обозначает  микросхемы   широкого   (общетехнического)   применения,    а   вторая - материал    и   тип   корпуса: А - пластмассовый   типа    4;   Б - бескорпусное   исполнение;    Е - метало-полимерный  типа  2;   И - стеклокерамический  типа  4;   М - керамический, метало-керамический  типа  2;    Н - керамический  типа   5;   Р - пластмассовый  типа  2; С - стеклокерамический типа 2;  Ф - пластмассовый подтипа 43. Вторая буква
в префиксе может отсутствовать. Микросхемы, предназначенные для экспорта, имеют перед начальной буквой К в условном обозначении букву Э.

По  физико-технологическому   признаку   микросхемы   памяти   можно   разделить на два класса: биполярные и униполярные. Первые изготавливают по технологии   биполярных  транзисторов,   вторые - по   технологии   полевых   транзисторов, в основном МДП-транзисторов.

По схемно-технологическому признаку биполярные микросхемы обычно классифицируют на микросхемы эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ), транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) и ТТЛ с диодами Шотки (ТТЛШ), интегральной инжекционной логики (ИИЛ). Обычным является применение комбинаций схемно-технологических решений при производстве микросхем памяти, например ЭСЛ и ТТЛШ или ТТЛ и ИИЛ и т. д.

Для биполярных микросхем памяти, в частности для ЭСЛ- и ТТЛШ-микросхем, характерны высокое быстродействие, значительная нагрузочная способность, повышенное энергопотребление.

В классе униполярных микросхем памяти наиболее широко представлены микросхемы на МДП-транзисторах с каналом n-типа и микросхемы на комплементарных парах МДП-транзисторов (КМДП-микросхемы). Для nМДП-микросхем памяти характерно сравнительно высокое быстродействие, соизмеримое с быстродействием ТТЛШ-микросхем, а для КМДП-микросхем - самый низкий уровень энергопотребления и способность функционировать в условиях значительных изменений напряжения питания.

В  настоящее  время  активное развитие  получает смешанная  БиКМДП-технология,    позволяющая    объединить    положительные   свойства    биполярной   и КМДП-технологий:   высокое   быстродействие   биполярных   элементов    и   малую потребляемую мощность элементов КМДП-структуры

12.2. Типовые структуры и функциональные узлы микросхем памяти

Для  характеристики  микросхемы  памяти  как функционального  узла  электронной аппаратуры необходимо знать, прежде всего, режимы работы, сигналы управления, способы сопряжения с другими функциональными узлами в аппаратуре, систему электрических параметров и их значения. Указанный круг сведений необходим для грамотного применения микросхем памяти в разработках электронных устройств различного назначения, а также для приобретения умения и навыков чтения функциональных и принципиальных схем устройств, содержащих микросхемы памяти.

Обобщенная структурная схема запоминающего устройства, характерная для ОЗУ и ПЗУ, представлена на рис. 12.4. Она включает следующие функциональные узлы: накопитель, дешифратор кода адреса (ДШ), устройство ввода-вывода (УВВ), устройство управления (УУ).

Накопитель представляет собой совокупность элементов памяти, объединенных в матрицу. В матрице ЭП размещены на пересечениях горизонтальных и вертикальных проводников, называемых соответственно строками и столбцами. Каждый ЭП может хранить один бит (0 или 1) информации. Для хранения   n-разрядного   слова   требуются   n   элементов   памяти.   Совокупность   элементов памяти, предназначенная для хранения одного слова, называется ячейкой памяти (ЯП).

Накопитель может иметь одноразрядную и многоразрядную (словарную) организацию. Их принципиальное различие состоит в следующем. При обращении к накопителю с одноразрядной организацией в него можно записать или из него вывести только один бит информации, т.е. одноразрядное слово. Накопитель со словарной организацией позволяет за одно обращение к нему записать или считать n разрядов, составляющих слово. На рис. 1.2.1. представлена структура микросхемы памяти со словарной организацией. Как видно, она имеет n информационных входов и столько же выходов, что позволяет записывать и считывать информацию n-разрядным параллельным кодом. Микросхема с одноразрядной организацией имеет один информационный вход и один выход.

Организация   ЗУ   предусматривает   возможность   обращения   к любой  ЯП для записи или считывания информации. Для этой цели служит дешифратор (ДШ). Он преобразует код адреса Am-1...A0 в активный сигнал выборки ЯП. Число ЯП в накопителе равно 2m, где m — число разрядов в адресном коде. Если ЗУ допускает выборку любой ЯП в произвольном порядке, то его называют ЗУ с произвольной выборкой (ЗУПВ).

Организация   ЗУ   предусматривает   возможность   обращения   к любой  ЯП для записи или считывания информации. Для этой цели служит дешифратор (ДШ). Он преобразует код адреса Am-1...A0 в активный сигнал выборки ЯП. Число ЯП в накопителе равно 2m, где m — число разрядов в адресном коде. Если ЗУ допускает выборку любой ЯП в произвольном порядке, то его называют ЗУ с произвольной выборкой (ЗУПВ).

Рис. 12.4 Обобщенная структурная схема запоминающего устройства

Устройство ввода-вывода (УВВ) предназначено для усиления и нормализации информационных сигналов Dn-1...D0, подаваемых на входы ЗУ DI при записи и снимаемых с выходов DO при считывании.

Многие микросхемы имеют совмещенные входы-выходы. В таких микросхемах УВВ дополнительно выполняет и функцию разделения внутренних цепей приема и выдачи информации. К УВВ предъявляется также требование сопряжения входов и выходов с внешними линиями передачи.

Устройство управления формирует внутренние сигналы для воздействия на функциональные узлы ЗУ, соответствующего внешним сигналам управления: «Запись/Считывание» (WR/RD), «Выбор кристалла (микросхемы)» (CS). Сиг-нал WR/RD определяет режим записи при WR/RD=1 и считывания при-WR/RD=0. Сигнал CS разрешает при CS = 1 или запрещает доступ к накопителю по информационным входам и выходам при CS=0. У большинства микросхем памяти сигнал CS является основным для установления микросхемы в режим хранения независимо от состояний сигналов на других входах.

Принцип действия изображенной на  рис.  12.4. схемы  применительно к ОЗУ     заключается  в  следующем.  Для  записи  слова  DIn_1... Do  в  заданную  ЯП  его необходимо   подать  на  информационные   входы  DIn-1... DI0.  Одновременно  на адресные входы Аm-1... Ао должен быть подан код адреса выбираемой ЯП,  а на  входы  управления — сигналы  WR/RD=1   и  CS-1.  После  выполнения  этих операций входная информация через УВВ пройдет в накопитель и запишется в   выбранную ячейку памяти. Для   обеспечения режима хранения достаточно подать сигнал CS=0.  Режим считывания реализуется аналогично режиму записи, но при значении сигнала WR/RD = 0.

Типовая схема ПЗУ отличается от ОЗУ отсутствием входов для информационных сигналов.

Следует  заметить, что сигналы  на  входах  и  выходах  микросхем  ОЗУ  и ПЗУ  могут  быть  представлены   своими  прямыми  значениями,  как,   например, в вышеприведенном рассмотрении, так и инверсными. В случае инверсного представления сигнала его активное состояние изменяется на обратное, например, при WR/RD = 0 будет осуществлен режим записи, а при WR/RD = 1 - режим считывания. Аналогично при сигнале CS = 0 будет обеспечен доступ к микросхеме, а при CS = 1 микросхема будет находиться в режиме хранения.

В общем случае любая микросхема памяти имеет следующие информационные выводы (Рис. 12.5):


Рис. 12.5.  Микросхемы памяти: ПЗУ (а), ОЗУ с двунаправленной шиной данных (б), ОЗУ с раздельными шинами входных и выходных данных (в)

  •  Адресные выводы (входные), образующие шину адреса памяти. Код на адресных линиях представляет собой двоичный номер ячейки памяти, к которой происходит обращение в данный момент. Количество адресных разрядов определяет количество ячеек памяти: при количестве адресных разрядов n количество ячеек памяти равно 2n.
  •  Выводы данных (выходные), образующие шину данных памяти. Код на линиях данных представляет собой содержимое той ячейки памяти, к которой производится обращение в данный момент. Количество разрядов данных определяет количество разрядов всех ячеек памяти (обычно оно бывает равным 1, 4, 8, 16). Как правило, выходы данных имеют тип выходного каскада ОК или 3С.
  •  В случае оперативной памяти, помимо выходной шины данных, может быть еще и отдельная входная шина данных, на которую подается код, записываемый в выбранную ячейку памяти. Другой возможный вариант — совмещение входной и выходной шин данных, то есть двунаправленная шина, направление передачи информации по которой определяется управляющими сигналами. Двунаправленная шина применяется обычно при количестве разрядов шины данных 4 или более.
  •  Управляющие выводы (входные), которые определяют режим работы микросхемы. В большинстве случаев у памяти имеется вход выбора микросхемы CS (их может быть несколько, объединенных по функции И). У оперативной памяти также обязательно есть вход записи WR, активный уровень сигнала на котором переводит микросхему в режим записи.

 12.3. Условные графические обозначения микросхем памяти

Микросхема памяти как элемент функциональных н принципиальных схем электрических устройств имеет условное графическое обозначение, вид и содержание символов которого определяет стандарт ГОСТ 2.743—82.

На рис. 12.6 представлены примеры таких обозначений микросхем статического ОЗУ с одноразрядной организацией (Рис. 12.6, а), со словарной организацией и совмещёнными входами-выходами (рис. 12.6,б), микросхемы динамического ОЗУ (Рис. 12.6. в), микросхемы МПЗУ (Рис.   12.6, г),  ППЗУ (Рис. 12.6 д), РПЗУ (Рис. 12.6, е).

Условное графическое обозначение содержит три поля. В среднем поле помещено обозначение вида микросхемы памяти и данные о её информационной емкости в битах. На левом поле помещены символы, указывающие на назначение выводов и подводимых к ним сигналов. На правом поле помещены обозначения выводов и соответствующих им подводимых или отводимых сигналов, а также обозначение типа выхода (выходов):

выход с тремя

состояниями

выход с открытым

коллектором (стоком)

выход с открытым эмиттером (истоком)

Рис. 12.6. Условные графические изображения микросхем памяти:

а – статическое ОЗУ с одноразрядной организацией; б – статическое ОЗУ со словарной организацией и совмещёнными входами-выходами; в – динамическое ОЗУ; г – масочное ПЗУ д – программируемое ПЗУ е – репрограммируемое ПЗУ.

На правом поле могут быть помещены выводы для подключения источников питания, напряжения программирования, общей шины (корпуса). Эти и подобные им выводы обозначаются как не  несущие логической информации.

Все выводы микросхемы, имеющие определенное функциональное назначение, должны обозначаться латинскими буквами, взятыми из английских слов, отражающих данное функциональное назначение. Причем буквенные символы, помещенные на левое и правое поля, не должны иметь знака инверсии (черты над обозначением).

Инверсные входные и выходные выводы обозначаются графическим указателем инверсии (кружком). В зависимости от наличия или отсутствия этого графического знака определяется активный уровень соответствующего сигнала. Например, если указатель инверсии помещен на входе CS, то соответствующий этому входу сигнал следует обозначать как инверсный CS. В этом обозначении содержится указание на то, что активным уровнем сигнала, при котором выполняется определенная функция (в данном случае - выбор микросхемы), является низкий уровень, соответствующий логическому состоянию 0.

При определении активного уровня сигнала следует учитывать, какое соответствие установлено между физическим уровнем сигнала (напряжения) И логическими состояниями 0 и 1.

Стандарт ГОСТ 2.743-82 определяет так называемые соглашения положительной и отрицательной логики.

По соглашению положительной логики высокий физический уровень сигнала (более положительный или менее отрицательный) соответствует логическому состоянию 1, а низкий (менее положительный или более отрицательный) - состоянию 0.

Высокий уровень сигнала обозначают буквой Н, а низкий - буквой L.

12.4. Применение ПЗУ

Основные временные характеристики микросхем ПЗУ - это две величины задержки.

Задержка выборки адреса памяти - время от установки входного кода адреса до установки выходного кода данных.

Задержка выборки микросхемы - время от установки активного разрешающего управляющего сигнала CS до установки выходного кода данных памяти. Задержка выборки микросхемы обычно в несколько раз меньше задержки выборки адреса.

Содержимое ПЗУ обычно изображается в виде специальной таблицы, называемой картой прошивки памяти. В таблице показывается содержимое всех ячеек памяти, причем в каждой строке записывается содержимое 16 (или 32) последовательно идущих (при нарастании кода адреса) ячеек. При этом, как правило, используется 16-ричное кодирование.

Пример карты прошивки ПЗУ с организацией 256х8 показан в табл. 12.1 (все биты всех ячеек считаются установленными в единицу). Пользоваться таблицей очень просто. Например для того, чтобы посмотреть содержимое ячейки памяти с 16-ричным адресом 8А, надо взять строку таблицы с номером 80 и столбец таблицы с номером А (данная ячейка в таблице выделена жирным шрифтом).

Таблица 12.1. Пример карты прошивки ПЗУ

Адрес 

0

1 

2 

3

4 

5 

6

7 

8 

9

A 

B 

C

D 

E 

F 

00

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

10

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

20

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

30

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

40

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

50

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

60

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

70

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

80

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

90

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

A0

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

B0

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

C0

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

D0

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

E0

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

F0

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

Любые микросхемы ПЗУ легко можно включать так, чтобы уменьшать или увеличивать количество адресных разрядов, то есть уменьшать или увеличивать количество используемых ячеек памяти. И то, и другое часто требуется при построении схем цифровых устройств.

Для уменьшения количества адресных разрядов необходимо на нужное число старших адресных входов подать нулевые сигналы. Каждый отключенный таким образом адресный разряд уменьшает количество ячеек ПЗУ вдвое.

На Рис. 12.7 показано, как из микросхемы с организацией 2Кх8 сделать микросхему 512х8. Два старших разряда адреса памяти отключены (на них поданы нулевые сигналы). Использоваться будут только младшие (верхние в таблице прошивки) 512 ячеек, и только их надо будет программировать.

Конечно, гораздо лучше подобрать микросхему именно с тем количеством ячеек, которое действительно необходимо в данной схеме, но это, к сожалению, возможно не всегда.


Рис. 12.7.  Уменьшение количества адресных разрядов ПЗУ

Задача увеличения количества адресных разрядов ПЗУ встречается значительно чаще задачи уменьшения количества адресных разрядов. В результате такого увеличения возрастает объем ПЗУ, объемы отдельных микросхем суммируются.

Для увеличения адресных разрядов обычно применяются микросхемы дешифраторов (Рис. 12.8).


Рис. 12.8.  Увеличение количества адресных разрядов ПЗУ с помощью дешифратора

Младшие разряды шины адреса при этом подаются на объединенные адресные входы всех микросхем, а старшие - на управляющие (адресные) входы дешифратора. Выходные сигналы дешифратора разрешают работу всегда только одной микросхемы памяти. В результате на общую шину данных всех ПЗУ выдает свою информацию только одна микросхема. На рисунке для простоты не показаны выходные резисторы с разрядов данных на шину питания, подключение которых чаще всего необходимо, так как тип выходов данных микросхем ПЗУ - это ОК или 3С.

В результате подобного объединения микросхем ПЗУ может увеличиться время выборки адреса полученного единого ПЗУ. В данном случае (Рис 12.8) оно будет равно максимальной из двух величин: времени выборки адреса одной микросхемы и суммы двух задержек - задержки дешифратора и задержки выборки микросхемы ПЗУ.

Если надо объединить две микросхемы (то есть добавить всего один разряд адресной шины), можно обойтись без дешифратора, подавая на вход –CS одной микросхемы прямой дополнительный сигнал адреса, а на вход –CS другой микросхемы - этот же сигнал с инверсией.

Применение дешифратора 3-8 позволяет объединить 8 микросхем ПЗУ (добавить три адресных разряда), а применение дешифратора 4–16 добавляет четыре адресных разряда, объединяя 16 микросхем ПЗУ.

Часто возникает также задача увеличения количества разрядов данных. Для этого необходимо всего лишь объединить одноименные адресные входы нужного количества микросхем ПЗУ выходы же данных ПЗУ не объединяются, а образуют код с большим числом разрядов. Например, при объединении таким образом двух микросхем с организацией 8Кх8 можно получить ПЗУ с организацией 8Кх16.

Одно из самых распространенных применений микросхем ПЗУ - замена ими сложных комбинационных схем. Такое решение позволяет существенно упростить проектируемое устройство и снизить количество используемых комбинационных микросхем, а иногда даже уменьшить потребляемый ток и увеличить быстродействие схемы.

Если рассматривать адресные входы микросхемы ПЗУ как входы комбинационной схемы, а разряды данных - как выходы этой комбинационной схемы, то можно сформировать любую требуемую таблицу истинности данной комбинационной схемы. Для этого всего лишь надо составить таблицу прошивки ПЗУ, соответствующую нужной таблице истинности. При этом важно, чтобы количество требуемых входов не превышало количества адресных разрядов ПЗУ, а количество требуемых выходов не превышало разрядности шины данных ПЗУ.

В качестве примера рассмотрим комбинационную схему,  представленную на Рис.12.9., имеющую восемь входов и четыре выхода. Схема распознает два различных 5-разрядных входных кода (11001 и 10011) в случае, когда на входе разрешения «–Разр.» присутствует нулевой сигнал, а при приходе сигналов «–Строб 1» и «Строб 2» схема выдает на выход отрицательные импульсы. Причем первый выходной сигнал вырабатывается в случае, когда входной код равен 11001 и пришел сигнал «–Строб 1», второй выходной сигнал - при том же коде, но по входному сигналу «–Строб 2». Третий и четвертый выходной сигналы вырабатываются при входном коде 10011 и при приходе соответственно управляющих сигналов «–Строб 1» и «–Строб 2». То есть логика работы довольно сложная и разнообразных логических элементов требуется немало.


Рис. 12.9.  Пример комбинационной схемы, заменяемой ПЗУ

Всю эту схему можно заменить одной микросхемой ПЗУ, например, типа РТ4, имеющей 8 адресных входов и 4 выхода данных (рис. 12.10). При этом пять разрядов входного кода подаются на младшие разряды адреса ПЗУ (А0...А4), входной сигнал «Разр.» - на адресный вход А5, сигнал «–Строб 1» - на вход А6, сигнал «–Строб 2» - на вход А7. Младший разряд данных памяти D0 используется для первого выходного сигнала, D1 - для второго выходного сигнала, D2 - для третьего выходного сигнала, D3 - для четвертого выходного сигнала. Микросхема ПЗУ всегда выбрана (управляющие сигналы –CS1 и –CS2 - нулевые). На выходах данных памяти включены резисторы, так как тип выходов микросхемы РТ4 - ОК.

Рис. 12.10.  Включение ПЗУ для замены комбинационной схемы, показанной на рис. 12.9

Составим карту прошивки ПЗУ. Активные выходные сигналы - нулевые, а пассивные - единичные. Значит, в большинстве ячеек ПЗУ будут записаны коды F (все выходные сигналы пассивны). Активному (нулевому) первому выходному сигналу при пассивных остальных будет соответствовать двоичный код данных 1110 (16-ричный код - Е), активному второму выходному сигналу будет соответствовать двоичный код 1101 (16-ричный - D), активному третьему выходному сигналу - двоичный код 1011 (или В), активному четвертому выходному сигналу - двоичный код 0111 (или 7). То есть только содержимое четырех ячеек памяти будет отличаться от F.

Например, код Е будет записан в ячейку с таким адресом, пять младших разрядов которого (A0...А4) равны селектируемому входному коду 11001, разряд А5 равен нулю (сигнал «Разр.» активен), разряд А6 равен нулю (сигнал «Строб 1» активен), а разряд А7 равен единице (сигнал «Строб 2» пассивен). Таким образом, получаем двоичный код адреса 10011001 (или в 16-ричном коде 99). Точно так же код D будет записан в ячейку с адресом 01011001 (то есть 16-ричное 59), код В - в ячейку с адресом 10010011 (то есть 93), а код 7 - в ячейку с адресом 01010011 (то есть 53). Получившаяся карта прошивки ПЗУ приведена в таблице. 12.2.

Таблица 12.2. Карта прошивки ПЗУ для замены комбинационной схемы

Адрес 

0

1 

2 

3

4 

5 

6

7 

8 

9

A 

B 

C

D 

E 

F 

00

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

10

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

20

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

30

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

40

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

50

F

F

F

7

F

F

F

F

F

D

F

F

F

F

F

F

60

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

70

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

80

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

90

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

A0

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

B0

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

C0

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

D0

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

E0

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F0

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

Она полностью совпадает с таблицей истинности заменяемой комбинационной схемы.

Микросхемы ПЗУ могут заменять собой любые комбинационные микросхемы: дешифраторы, шифраторы, компараторы кодов, сумматоры, мультиплексоры, преобразователи кодов и т.д.

В общем случае ПЗУ можно рассматривать как преобразователь входного кода (кода адреса) в выходной код (код данных) по произвольному закону, задаваемому разработчиком. Это позволяет не только преобразовывать друг в друга различные стандартные коды, но и выполнять множество других функций, например, использовать ПЗУ как простейший табличный вычислитель. Для этого нужно на адресные разряды ПЗУ подать код входного числа (аргумента), а на выходах разрядов данных получить код выходного числа (функции). Такой табличный вычислитель имеет очень высокое быстродействие по сравнению с другими типами вычислителей (время вычисления функции равно задержке выборки адреса ПЗУ).

В качестве простейшего примера рассмотрим вычислитель для возведения в квадрат 4-разрядного двоичного числа (Рис. 12.11). Вычислитель выполнен на микросхеме ПЗУ типа РЕ3, у которого использованы четыре разряда адреса и восемь разрядов данных. Он позволяет получать двоичные коды квадратов любых чисел в диапазоне от 0 (или в двоичном коде 0000, в 16-ричном коде 0) до 15 (или в двоичном коде 1111, в 16-ричном коде F), которые принимают значения от 0 (или в двоичном коде 00000000, в 16-ричном -00) до 225 (или в двоичном коде 11100001, в 16-ричном -E1).


Рис. 12.11.  Вычислитель квадратов входных чисел

Карта прошивки ПЗУ вычислителя квадратов (таблица. 12.3) будет очень проста: код данных в каждой ячейке равен квадрату кода адреса этой ячейки. Используется всего 16 ячеек памяти, содержимое остальных 16 ячеек не имеет значения (что обозначено в таблице ХХ).

Таблица 11.3. Карта прошивки ПЗУ-вычислителя квадратов

Адрес 

0

1 

2 

3

4 

5 

6

7 

8 

9

A 

B 

C

D 

E 

F 

00

00

01

04

09

10

19

24

31

40

51

64

79

90

A9

C4

E1

10

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

Одно из наиболее распространенных применений ПЗУ как преобразователя кодов - это построение на их основе всевозможных индикаторов, отображающих на экране буквы и цифры. ПЗУ в данном случае переводит код (номер) буквы или цифры в ее изображение. Конечно, в данном случае заменить ПЗУ комбинационной схемой совершенно невозможно, так как букв и цифр очень много, а их изображения очень разнообразны.

Простейший пример данного применения ПЗУ - это управление знаковым семисегментным индикатором, знакомым всем по калькуляторам, кассовым аппаратам, электронным часам, весам и т.д. В семисегментных индикаторах изображение всех цифр от 0 до 9 строится всего из семи сегментов (отрезков линий) (Рис 12.12.).


Рис. 12.22.  Дешифратор знакового семисегментного индикатора на ПЗУ

Чтобы отобразить в виде цифры 4-разрядный двоичный код, надо этот код преобразовать в 7-разрядный код, каждому разряду которого будет соответствовать один сегмент индикатора. То есть коду 0000 должно соответствовать изображение нуля (6 сегментов, расположенных по периметру), а коду 0001 — изображение единицы (два правых вертикальных сегмента). Для повышения универсальности индикатора удобно дополнить десять цифр еще и шестью буквами, использующимися в 16-ричном коде (A, B, C, D, E, F). Семь сегментов индикатора позволяют сделать и это, правда, изображения букв получаются не слишком качественными.

ПЗУ типа РЕ3, используемое в качестве дешифратора индикатора, имеет 4 входа и 7 выходов (старший разряд адреса и старший разряд данных не используются). Карта прошивки ПЗУ приведена в табл. 12.4. Нулевой сигнал на каждом из выходов данных ПЗУ зажигает соответствующий ему сегмент.

Таблица 12.4. Карта прошивки ПЗУ для дешифратора знакового индикатора

Адрес 

0

1 

2 

3

4 

5 

6

7 

8 

9

A 

B 

C

D 

E 

F 

00

40

79

24

30

19

12

02

78

00

10

08

03

46

21

06

0E

10

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

XX

12.5. Применение ОЗУ

Как уже отмечалось, оперативная память бывает двух основных видов: с раздельными шинами входных и выходных данных (в основном это одноразрядная память) и с двунаправленной (совмещенной) шиной входных и выходных данных (многоразрядная память). Некоторые простейшие примеры микросхем памяти обоих этих видов приведены на рис. 12.23.

Выходы данных микросхем памяти имеют тип ОК (довольно редко) или 3С. Управляющие сигналы - это сигнал выбора микросхемы CS (иногда их несколько), сигнал записи WR (обычно отрицательный) и иногда сигнал разрешения выхода OE.

Микросхема оперативной памяти К155РУ7 (аналог - F9342APC) имеет организацию 1Кх1 и раздельные входной и выходной сигналы данных. Выход микросхемы - типа 3С. Управление работой микросхемы производится двумя управляющими сигналами CS и WR. Режимы работы микросхемы приведены в таблице 12.5.

Таблица 12.5. Режимы работы оперативной памяти К155РУ7

Входы и выходы

Режим работы

-CS

-WR

A0…A9

DI

DO

1

Х

Х

Х

Хранение

0

0

Адрес

0

Запись 0

0

0

Адрес

1

Запись 1

0

1

Адрес

Х

Данные

Чтение

Рис. 12.23.  Примеры микросхем статических ОЗУ

Микросхема КМ132РУ10 отличается от К155РУ7 в основном большим объемом (организация 64К х 1) и несколько меньшим быстродействием. Назначение управляющих сигналов и таблица режимов работы у этих микросхем совпадают.

Микросхема КР541РУ2 (аналог - IM7147L-3) относится к другой разновидности микросхем памяти. У нее четыре двунаправленных вывода данных типа 3С. Управляющие сигналы те же самые: –CS и –WR. Таблица режимов работы (таблице 12.26) также похожа на таблицу для одноразрядных микросхем. Главное отличие состоит в том, что в режиме записи на входах/выходах данных присутствует записываемая информация.

Таблица 12.26. Режимы работы оперативной памяти КР541РУ2

Входы и выходы

Режим работы

-CS

-WR

A0…A9

DIO0…DIO3

1

Х

Х

Хранение

0

0

Адрес

Запись 0

0

0

Адрес

Запись 1

0

1

Адрес

Данные

Чтение

Микросхема HM62256 фирмы Hitachi отличается от КР541РУ2 прежде всего организацией (32К х 8) и управляющими сигналами (добавлен сигнал разрешения выхода –OE). Когда этот сигнал пассивен (равен единице), входы/выходы данных микросхемы находятся в состоянии 3С независимо от режима работы. Введение дополнительного сигнала позволяет более гибко управлять работой микросхемы. К тому же обычно в подобных микросхемах при пассивном сигнале –CS (равном единице) значительно уменьшается потребляемая мощность.

В настоящее время имеется огромный выбор микросхем памяти с разным объемом (от нескольких байт до нескольких мегабайт), с разным количеством разрядов (обычно 1, 4, 8, 16 разрядов), с разными методами управления, с разным потреблением и быстродействием. В каждом конкретном случае надо подбирать оптимальную память, в наибольшей степени удовлетворяющую требованиям решаемой задачи.

Таблицы режимов работы (таблицы истинности) микросхем памяти не дают достаточно информации для их практического использования. Для микросхем памяти очень важны временные параметры (задержки сигналов относительно друг друга) и порядок выставления и снятия сигналов адреса, данных и управления. Всю эту информацию дают временные диаграммы циклов записи в память и чтения (считывания) из памяти, приводимые в справочниках.

Самые главные временные параметры оперативной памяти следующие:

  •  время выборки адреса (задержка между изменением адреса и выдачей данных);
  •  время выборки микросхемы (задержка выдачи данных по выставлению сигнала -CS);
  •  минимальная длительность сигнала записи -WR;
  •  минимальная длительность сигнала -CS.

Типичные временные диаграммы циклов записи и чтения приведены на Рис. 12.24. Конкретные временные диаграммы для каждого типа памяти необходимо смотреть в справочниках.


Рис. 12.24.  Типичные временные диаграммы записи в память (а) и чтения из памяти

Для записи информации в память надо выставить код адреса на адресных входах, выставить код записываемых в этот адрес данных на входах данных, подать сигнал записи –WR и подать сигнал выбора микросхемы –CS. Порядок выставления сигналов бывает различным, он может быть существенным или несущественным (например, можно выставлять или снимать –CS раньше или позже выставления или снятия –WR). Собственно запись обычно производится сигналом -WR или –CS, причем данные должны удерживаться в течение всего сигнала –WR (или –CS) и заданное время после его окончания.

Сигнал –CS у некоторых микросхем памяти допускается держать активным (нулевым) для всех записываемых адресов и при этом подавать импульсы –WR для каждого адреса. Точно так же у некоторых микросхем допускается держать активным (нулевым) сигнал записи -WR, но при этом подавать импульсы –CS.

В случае микросхем памяти с двунаправленной шиной данных необходимо использовать источник записываемых данных с выходом 3С или ОК, чтобы избежать конфликта данных, записываемых в память, с данными, выдаваемыми из памяти в режиме чтения.

Для чтения информации из памяти надо выставить код адреса читаемой ячейки и подать сигналы –CS и –OE (если он имеется). Сигнал -WR в процессе чтения должен оставаться пассивным (равным единице). В некоторых микросхемах памяти (называемых нетактируемыми, например, К155РУ7, КР541РУ2, HM62256) можно держать активным (нулевым) сигнал –CS для всех читаемых адресов. В других микросхемах (называемых тактируемыми, например, КМ132РУ10, К537РУ8) необходимо подавать свой импульс –CS для каждого читаемого адреса. Понятно, что нетактируемые микросхемы гораздо удобнее в применении, чем тактируемые.

Рис. 12.25.  Объединение микросхем памяти для увеличения разрядности шины данных

Микросхемы оперативной памяти довольно часто объединяются для увеличения разрядности данных или разрядности адреса.

На рис. 12.25 показано объединение четырех микросхем К155РУ7 для получения памяти с организацией 1Кх4. Точно так же могут быть объединены и микросхемы с двунаправленной шиной данных. К примеру, из четырех микросхем памяти с организацией 1Кх4 можно получить память с организацией 1Кх112.

Для увеличения количества адресных разрядов используются те же методы, что и в случае ПЗУ (см. рис. 12.25). Если объединяются всего две микросхемы памяти, то можно обойтись без применения дешифраторов, выбирающих одну из объединяемых микросхем.


Рис. 12.26.  Объединение микросхем памяти для увеличения разрядности шины адреса

На рис. 12.26 показан вариант схемы объединения двух микросхем HM62256 для получения памяти с организацией 64Кх8. Дополнительный старший адресный разряд управляет прохождением сигнала –CS на одну из микросхем (при нулевом уровне на дополнительном адресном разряде сигнал –CS проходит на левую по рисунку микросхему, при единичном уровне - на правую по рисунку микросхему).

Интересной особенностью микросхем оперативной памяти является возможность произвольного изменения порядка сигналов адресных разрядов без всяких последствий для функционирования памяти. Например, сигнал, поступающий на разряд А0, можно с тем же успехом подавать на А7, сигнал, приходящий на А7, подавать на А3, сигнал, приходящий на А3, подавать на А10 и т.д. Дело в том, что информация в оперативную память записывается по тем же самым адресам, по которым потом и читается, и перестановка адресных разрядов изменяет только номер ячейки, в которую записывается информация и из которой затем читается эта же информация. Такая взаимозаменяемость адресных входов оперативной памяти бывает полезной при проектировании разводки печатных плат. В случае ПЗУ это правило не работает, так как там информация записана раз и навсегда, и читать ее надо по тем же адресам, по которым ее ранее записали.

12.6 Контрольные вопросы

  1.  Какие единицы измерения используются для обозначения количества ячеек памяти?
  2.  Что обозначает организация памяти 124Кх16?
  3.  Дайте опеделение ОЗУ?
  4.  Какая память называется постоянной?
  5.  Что такое буферная память?
  6.  Что представляет собой стековая память?
  7.  Какая память называется СОЗУ?
  8.  Нарисуйте классификацию микросхем памяти.
  9.  Нарисуйте обобщенную структурную схему запоминающего устройства.
  10.  Нарисуйте условное обозначение микросхемы ОЗУ с двунаправленной шиной данных. Поясните назначение выводов.
  11.  Нарисуйте условное обозначение микросхемы ПЗУ. Поясните назначение выводов.
  12.  Нарисуйте условное обозначение микросхемы ОЗУ с с раздельными шинами входных и выходных данны. Поясните назначение выводов.
  13.  Как обозначается выход с тремя состояниями?
  14.  Как обозначатся выход с открытым  коллектором (стоком)?
  15.  Как обозначатся выход с открытым  эмиттером (истоком)?
  16.  Назовите основные временные характеристики микросхем ПЗУ.
  17.  Что такое задержка выборки адреса памяти?
  18.  Что такое задержка выборки микросхемы?
  19.  Назовите основные параметры оперативной памяти.
  20.  Нарисуйте временную диаграмму записи в оперативную память.
  21.  Нарисуйте временную диаграмму чтения из оперативной памяти.
  22.  Как объединяюится микросхемы памяти для увеличения разрядности шины адреса?
  23.  Как объединяются микросхемы памяти для увеличения разрядности шины данных?

12.7.  Индивидуальные задания

Задание 1. Согласно заданному преподавателем варианту нарисуйте накопитель памяти

№ вар.

Память

Объем накопителя

Микросхема

1

ОЗУ

8К*8

К155 РУ7

2

ОЗУ

16К*8

К155 РУ7

3

ОЗУ

8К*16

К155 РУ7

4

ОЗУ

12К*8

Рис.12.6.а

5

ОЗУ

100К*8

НМ62256

6

ОЗУ

40К*16

КМ 132РУ10

7

ОЗУ

6К*16

КР541РУ2

8

ОЗУ

100К*16

НМ62256

9

ОЗУ

8К*16

Рис.12.6.а

10

ОЗУ

12К*8

КМ 132РУ10

11

ОЗУ

10К*16

Рис.12.6.а

12

ПЗУ

80К*8

КР566РТ4

13

ПЗУ

40К*16

КР566РТ4

14

ПЗУ

60К*8

КР566РТ18

15

ПЗУ

100К*8

КР566РТ18

16

ПЗУ

120К*8

Рис.12.6.г

17

ПЗУ

1024К*8

КР566РТ18

18

ПЗУ

80К*16

Рис.12.6.г

19

ПЗУ

100К*16

Рис.12.6.д

20

ПЗУ

80К*16

КР566РТ4

Цифровая электроника. Часть 12. Память  


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

25232. Еллінізм: відкриття духовної реальності (Сенека, Епіктет) 29.5 KB
  Саме тут вперше на основі причасності всіх людей логосу формується ідея спільного братства на місце ідеалу національної держави приходить космополітизм. Нехай з середини ти будеш інший у всьому а ззовні ми не повинні відрізнятись від людей.€ Перше що обіцяє дати філософія – це вміння жити серед людей. Епіктет проповідував близькі до християнства ідеї про різку відмінність Духа від тіла про братську любов до всіх людей про необхідність постійного звернення людини до бога.
25233. Епікуреїзм: таємниця «паренклізісу» (самочинне відхилення атомів від лінії необхідності) 22.5 KB
  грекоримський епікуреїзм – середній Сад епікуреїзм у Римі – пізній Сад.
25234. К. Леві-Строс Структурна антропологія 33.5 KB
  полягає в застосуванні структурного методу до аналізу історикоетнографічних процесів культури – як окремого людського буття так і етногенезу в цілому а також до становлення окремих форм соціального буття. полягає в тому щоб в процесі аналізу конкретної етнографічної проблематики наблизитися до осягнення проблеми становлення і формування людського суспільства і людської культури. З огляду на це вивчення життя первісних народів є ключем для розуміння загальних закономірностей культури. Енґельса оскільки момент якісного стрибка від...
25235. Поняття історичних законів у новоєвропейській філософії історії 25 KB
  Поняття історичних законів у новоєвропейській філософії історії. Поняття історичної закономірності у новоєвропейській філософії співіснує із поняттям прогресу.Час дух осягає себе в поняттях. Яскравої конкретизації поняття історичної закономірності набуває в марксизмі.
25236. Поняття системи у філософії науки 27 KB
  Поняття системи розкривається в двох основних значеннях – онтологічному та методологічному. В методології широко використовується поняття теоретичної системи знання яке описує встановлення єдності між різними елементами знання на основі певних семантичних та синтаксичних правил. Онтологічний зміст поняття система розкривається в формі опису складно існуючої реальності яку поділяють на елементи зв’язки між ними і характеризують як цілісне утвореня. Специфічне тлумачення поняття система набуває в рамках діалектики та синергетики де вона...
25237. Проблема міфології у філософській спадщині Лосєва 41 KB
  Проблема міфології у філософській спадщині Лосєва Олексій Лосєв 1893 1988 – представник російської філософії її €œзолотого віку€. Головні праці: €œФілософія імені€ €œМузика як предмет логіки€ €œДіалектика міфу€ €œІсторія античної естетики€. Міфологічна проблематика займає центральне місце в філософській спадщіні Лосєва. Сам себе він називава філософом міфу оскільки всі його роботи в тій чи іншій мірі спроба відкрити світ міфу для читатача.
25238. Проблеми єдності онтології та гносеології 23 KB
  Критика марксизму виявила неприйнятність в межах філософського осмислення буття науки тези Леніна про єдність онтології та гносеології оскільки людина як суб’єкт без їх відокремлення нездатна встановлювати осмислене відношення до буття на основі методів. Онтологія дає нам знання про буття а гносеологія про пізнання цього буття. Кожній частині буття відповідає своє адекватне пізнання. Постмодерний дискурс критикуючи раціонально зцентровану гносеологію виявляє ірраціональні елементи як онтологічні ознаки людського буття.
25239. Життєвий світ і система 32 KB
  Габермас досліджує шлях уречевлення комунікації визначаючи його як роз'єднання системи і життєвого світу. Концепція життєвого світу дістає своє емпіричне втілення за Габермасом в архаїчних суспільствах де структури нормативної інтеграції опосередковані мовленнєвою комунікацією водночас становлять системні структури. Тому архаїчне родове суспільство Габермас розглядає як втілення єдності системи й життєвого світу. Однак ця система зберігає своє відношення хоча й перетворене до життєвого світу.
25240. Життєвий світ та система 22 KB
  Поняття життєвого світу пов’язане з горизонтом. Розрізняють внутрішній та зовнішній горизонти. Внутрішній горизонт – це сукупність припущень якими ми керуємося в сприйнятті та розумінні речей. Зовнішній горизонт – це сукупність речей через яку ми сприймаємо річ.