7382

Выбор диодов СВЧ для конкретного применения. КР

Контрольная

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Диоды арсенидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные, параметрические. Предназначены для применения в параметрических усилителях сантиметрового диапазона длин волн. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами.

Русский

2014-05-10

795.5 KB

29 чел.

Выбор диодов СВЧ для конкретного применения

Выполнить:

  1.  Указать выбранные типы, обеспечивающие лучшее качество работы, и указать название, автора и страницы справочника.
  2.  Указать функциональное назначение выбранных типов диодов.
  3.  Привести параметры:

а) характеризующие качество работы;

б) номинальные электрические;

в) предельные эксплуатационные данные;

г) параметры эквивалентной схемы.

4. Привести вид и размеры корпуса.

Вариант выбрать из таблицы 1 по номеру пароля.

Таблица 1

                             n-последняя цифра пароля

                             m-предпоследняя цифра пароля.

n

Диоды

Линии

m

Диап. частоты, ГГЦ

0

Смесительный

Настроечный

Переключательный

Коаксиал. или волновод

0

3-5

1

Те же

МПЛ

(ГИС)

1

5-8

2

Детекторный

Умножительный

Параметрический

Коаксиал

или волновод

2

8-10

3

Те же

МПЛ

(ГИС)

3

10-12

4

Смесительный

Переключательный

Генераторный

Коаксиал или волновод

4

12-15

5

Те же

МПЛ

(ГИС)

5

15-18

6

Детекторный

Настроечный

генераторный

Коаксиал или волновод

6

18-21

7

Те же

МПЛ

(ГИС)

7

21-24

8

Параметрический

Переключательный

Генераторный

Коаксиал или волновод

8

24-27

9

Те же

МПЛ

(ГИС)

9

27-30

ВНИМАНИЕ! При выборе конкретного диода обращайте внимание на тип линии! В справочниках обычно указывается применение для любого диода.

Если в справочнике не указан частотный диапазон работы диода, нужно определить длины волн, соответствующие частотам задания, и подбирать диод по длине волны. Кроме того, не нужно переписывать из справочника все подряд параметры диодов. Необходимо приводить только те параметры, которые перечислены в задании.

n

Диоды

Линии

m

Диап. частоты, ГГЦ

9

Параметрический

Переключательный

Генераторный

МПЛ

(ГИС)

1

5-8

 

Для включения диодов  в микрополосковые линии предночтительна бескорпусная или таблеточная конструкция диодов. Они характеризуются малой мощностью.

Приведем  систему обозначений полупроводниковых диодов.

Система обозначений современных полупроводниковых диодов малой мощности установлена отраслевым стандартом ОСТ11336.919-81. Обозначения состоят из пяти элементов.

Первый элемент обозначения полупроводниковых приборов - буква или цифра - определяет исходный полупроводниковый материал из которого изготовлен прибор:

1 или Г - германий или соединения германия,

2 или К - кремний или соединения кремния,

3 или А - соединения галлия,

4 или И - соединения индия.

Второй элемент обозначения - буква - обозначающая подкласс (или группу) приборов:

А - диоды сверхвысокочастотные,

Третий элемент обозначения - цифра - определяющая назначение или принцип действия прибора.

Диоды сверхвысокочастотные:

1 - смесительные,

2 - детекторные,

3 - усилительные,

4 - параметрические,

5 - переключательные и ограничительные,

6 - умножительные и настроечные,

7 - генераторные,

8 - импульсные,

9 - выпрямительные.

Четвертый элемент обозначения - двухзначные числа от 01 до 99 - указывают порядковый номер разработки. Допускается использование трехзначных чисел от 101 до 999 при условии что порядковый номер разработки превышает число 99.

Пятый элемент обозначения - буква - условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии. В качестве классификационной литеры применяются буквы русского алфавита (за исключением З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э).

В качестве дополнительных элементов обозначения используется следующие символы:

Цифры 1...9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров.

Буква С после третьего элемента обозначения - для наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами;

Цифра, написанная через дефис, после пятого элемента обозначения:

- для бескорпусных приборов, цифры соответствуют следующим модификациям:

1 - с гибкими выводами без кристоллодержателя (подложки),

2 - с гибкими выводами на кристоллодержателе,

3 - с жесткими выводами без кристоллодержателя,

4 - с жесткими выводами на кристоллодержателе,

5 - с контактными площадками без кристоллодержателя и без выводов (кристалл),

6 - с контактными площадками на кристоллодержателе и без выводов (кристалл на подложке);

Буква, написанная через дефис, после последнего элемента обозначения:

Р - с парным подбором,

Т - с подбором в тройки,

Г - с подбором в четверки,

К - с подбором в шестерки,

Н - с подбором в восьмерки.

Таким образом, современная система обозначений диодов малой мощности позволяет получать значительный объем информации о свойствах прибора.

Параметрический диод 3А410А. [1]

Диоды арсенидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные, параметрические. Предназначены для применения в параметрических усилителях сантиметрового диапазона длин волн. Выпускаеются в металлическом корпусе с жесткими выводами.

Масса диода не более 0,05 г.

Габаритный чертеж прибора.

Электрические параметры

Постоянная времени при Uпр = 2В, и f = 8,6 ГГц, не более 0,8 пс.

Постоянный обратный ток, не более:

при Uобр = 2В:

Т= -196 и Т=+25 С……1 мкА

Т= +85 С………………2 мкА

при Uобр = 6 В и Т=+25 С ……..5 мкА

Общая емкость при Uпр = 0В, и f = 10 МГц ….0,55 пФ

Емкость корпуса ……..0,2..0,29 пФ

Индуктивность диода, не более …….0,2 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение:

Т= -196 …-60 С……4 В

Т= -60 …+85 С…….5 В

Т= +25 С……………6 В

Рассеиваемая мощность ……30мВт

Импульсная рассеиваемая мощность при tи = 1…4 мкс и Q = 1000 …….100мВт

Рассеиваемая мощность плоской части импульса при  Т= -60 …+85 С ….. 50 мВт

Энергия СВЧ импульсов при tи = 3…10 нс и Т= -60 …+85 С ….. 0,2*10-7 Дж

Температура окружающей среды……………………….. – 269…+85 С

Генераторный диод 3А705А. [1] 

Диоды арсенидогаллиевые, эпитаксиальные, на эффекте Ганна, генераторные. Предназначены для генерирования колебаний сантиметрового диапазона длин волн. Выпускаеются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.

Масса диода не более 0,65 г.

Габаритный чертеж прибора.

Электрические параметры

Минимальная непрерывная  выходная мощность на одной из частот диапазона 5,2…8,2 ГГц, при U=10В, не менее……………………20 мВт

Постоянный рабочий ток при U= 10 В, не более,

при Т= +25 С……………280 мА

при Т= -60 С……………370 мА

при Т= -60 С……………230 мА

Сопротивление диода при Iпр =10мА …….3…15 Ом

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное  напряжение:………..10В

Рассеиваемая мощность:

при Т= -60 С……………3,5 Вт

при Т=+25 С……………2,8 Вт

при Т= +60 С……………2,3 Вт

Температура корпуса …………………+70 С

Температура окружающей среды.……+ 60…+60 С

Данный диод удовлетворяет частотным условиям.

Переключательный диод 2А533А3. [2] 

Кремниевые планарные поверхностно-ориентированные переключательные pin-диоды. Предназначены для работы в гибридных схемах, применяемых в аппаратуре специального назначения в диапазоне частот от 100 МГц до 18 ГГц, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Выпускаются в бескорпусном исполнении с балочными выводами.

Рабочий диапазон частот: 0.1 ÷ 18 ГГц; Рабочая температура окружающей среды: минус 60 ˚С ÷ 100 ˚С;

Масса (не более): 1 мг; Бескорпусное исполнение

Прямое сопротивление потерь, Ом (Iпр.= 50 мА) не более…….6 Ом

Критическая частота, ГГц (Iпр.= 50 мА, Uобр.= 10 В, f.= 4,0 ГГц)…200ГГц

Емкость диодной структуры,…………….0,025 пФ

Нормированное постоянное обратное напряжение, (Iобр. ≤ 100 мкА).. 70 В

Пробивное напряжение, В (Iобр.= 100 мкА)…… 75 В

Время восстановления, ……50 нс

Максимально допустимый постоянный прямой ток, не более …… 100 мА

Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, не более …..50 В

Максимально допустимая рассеиваемая мощность диода, не более …100 мВт

Габаритный чертеж прибора.

Литература:

1.Справочник «Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные. Диоды импульсные. Оптоэлектронные приборы» под редакцией А.В.Голомедова, 1988г.

2. Справочник «Диоды СВЧ», ООО «Научно-производственное предприятие Томилинский электронный завод», 2008 г.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

57933. За О. Цегельською. Пригода на ковзанці. Безпечний відпочинок взимку 75.5 KB
  Мета: познайомити з оповіданням О. Цегельської; формувати вміння читати, зв’язно розповідати; розширювати знання учнів про зимові розваги; закріпити знання правил про поведінку на льоду, показати, яку небезпеку може приховувати вода; розвивати пам’ять, увагу, мислення, пізнавальний інтерес...
57934. Графічні можливості текстового процесора MS WORD 1.94 MB
  Мета: навчальна: систематизувати і узагальнити знання учнів за даною темою; розвивальна: розвинути практичні навички опрацювання графічної інформації під час роботи з текстовими документами, творчі здібності і естетичний смак, сприяти профорієнтації...
57935. Опрацювання табличних даних за допомогою будованих функцій 19.78 MB
  Учбова: Навчити дітей на практиці застосовувати набуті знання та навички з використання вбудованих функцій та формул в електронних таблицях. Виховна: Виховати у дітей естетичне оформлення файлу, створеному у середовищі табличного процесора...
57936. Виконання обчислень в середовищі табличного процесора 105.09 KB
  Мета уроку: Учбова: Навчити дітей виконувати обчислення в середовищі табличного процесора. Обладнання до уроку: проектор підставка під проектор ноутбук проекційний екран лазерний вказівник затемненн...
57937. Розвиток Архітектури Харкова у XVIII столітті 112.5 KB
  Дидактична мета: В ході уроку забезпечити засвоєння та усвідомлення учнями знань щодо розвитку архітектури Харкова у XVIII столітті історичних пам’яток нашого міста сучасного стану споруд того часу.
57938. Подорож у світ пірамід 28.5 KB
  Мета уроку: Сформувати поняття піраміди правильної та зрізаної піраміди та їх елементів. Засвоїти властивості правильних пірамід формули для обчислення площі повної та бічної поверхні піраміди.
57939. Поняття презентації та комп’ютерної презентації, їх призначення 75.5 KB
  Мета: навчальна: ознайомити учнів з поняттям презентації та комп’ютерної презентації їх призначенням зі слайдовими та потоковими презентаціями; оглянути програмні та технічні засоби призначених для створення і демонстрації презентацій...
57940. Повторення та закріплення вивченого матеріалу з теорії бухгалтерського обліку 201.5 KB
  Мета уроку: навчальна: повторити, закріпити та підсумувати навчальний матеріал з теорії бухгалтерського обліку, навчити учнів застосовувати здобуті знання на практиці та в житті...
57941. Створення звітів та макросів у Microsoft Access 2007 60.5 KB
  Мета: навчальна: ввести визначення понять звіт заголовок звіту область даних макрос; пояснити учням основні принципи створення звітів та макросів; розвивальна: формувати навички аналітикосинтетичного мислення просторову уяву науковий світогляд щодо вирішення різних задач прикладного спрямування...