7382

Выбор диодов СВЧ для конкретного применения. КР

Контрольная

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Диоды арсенидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные, параметрические. Предназначены для применения в параметрических усилителях сантиметрового диапазона длин волн. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами.

Русский

2014-05-10

795.5 KB

29 чел.

Выбор диодов СВЧ для конкретного применения

Выполнить:

  1.  Указать выбранные типы, обеспечивающие лучшее качество работы, и указать название, автора и страницы справочника.
  2.  Указать функциональное назначение выбранных типов диодов.
  3.  Привести параметры:

а) характеризующие качество работы;

б) номинальные электрические;

в) предельные эксплуатационные данные;

г) параметры эквивалентной схемы.

4. Привести вид и размеры корпуса.

Вариант выбрать из таблицы 1 по номеру пароля.

Таблица 1

                             n-последняя цифра пароля

                             m-предпоследняя цифра пароля.

n

Диоды

Линии

m

Диап. частоты, ГГЦ

0

Смесительный

Настроечный

Переключательный

Коаксиал. или волновод

0

3-5

1

Те же

МПЛ

(ГИС)

1

5-8

2

Детекторный

Умножительный

Параметрический

Коаксиал

или волновод

2

8-10

3

Те же

МПЛ

(ГИС)

3

10-12

4

Смесительный

Переключательный

Генераторный

Коаксиал или волновод

4

12-15

5

Те же

МПЛ

(ГИС)

5

15-18

6

Детекторный

Настроечный

генераторный

Коаксиал или волновод

6

18-21

7

Те же

МПЛ

(ГИС)

7

21-24

8

Параметрический

Переключательный

Генераторный

Коаксиал или волновод

8

24-27

9

Те же

МПЛ

(ГИС)

9

27-30

ВНИМАНИЕ! При выборе конкретного диода обращайте внимание на тип линии! В справочниках обычно указывается применение для любого диода.

Если в справочнике не указан частотный диапазон работы диода, нужно определить длины волн, соответствующие частотам задания, и подбирать диод по длине волны. Кроме того, не нужно переписывать из справочника все подряд параметры диодов. Необходимо приводить только те параметры, которые перечислены в задании.

n

Диоды

Линии

m

Диап. частоты, ГГЦ

9

Параметрический

Переключательный

Генераторный

МПЛ

(ГИС)

1

5-8

 

Для включения диодов  в микрополосковые линии предночтительна бескорпусная или таблеточная конструкция диодов. Они характеризуются малой мощностью.

Приведем  систему обозначений полупроводниковых диодов.

Система обозначений современных полупроводниковых диодов малой мощности установлена отраслевым стандартом ОСТ11336.919-81. Обозначения состоят из пяти элементов.

Первый элемент обозначения полупроводниковых приборов - буква или цифра - определяет исходный полупроводниковый материал из которого изготовлен прибор:

1 или Г - германий или соединения германия,

2 или К - кремний или соединения кремния,

3 или А - соединения галлия,

4 или И - соединения индия.

Второй элемент обозначения - буква - обозначающая подкласс (или группу) приборов:

А - диоды сверхвысокочастотные,

Третий элемент обозначения - цифра - определяющая назначение или принцип действия прибора.

Диоды сверхвысокочастотные:

1 - смесительные,

2 - детекторные,

3 - усилительные,

4 - параметрические,

5 - переключательные и ограничительные,

6 - умножительные и настроечные,

7 - генераторные,

8 - импульсные,

9 - выпрямительные.

Четвертый элемент обозначения - двухзначные числа от 01 до 99 - указывают порядковый номер разработки. Допускается использование трехзначных чисел от 101 до 999 при условии что порядковый номер разработки превышает число 99.

Пятый элемент обозначения - буква - условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии. В качестве классификационной литеры применяются буквы русского алфавита (за исключением З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э).

В качестве дополнительных элементов обозначения используется следующие символы:

Цифры 1...9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров.

Буква С после третьего элемента обозначения - для наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами;

Цифра, написанная через дефис, после пятого элемента обозначения:

- для бескорпусных приборов, цифры соответствуют следующим модификациям:

1 - с гибкими выводами без кристоллодержателя (подложки),

2 - с гибкими выводами на кристоллодержателе,

3 - с жесткими выводами без кристоллодержателя,

4 - с жесткими выводами на кристоллодержателе,

5 - с контактными площадками без кристоллодержателя и без выводов (кристалл),

6 - с контактными площадками на кристоллодержателе и без выводов (кристалл на подложке);

Буква, написанная через дефис, после последнего элемента обозначения:

Р - с парным подбором,

Т - с подбором в тройки,

Г - с подбором в четверки,

К - с подбором в шестерки,

Н - с подбором в восьмерки.

Таким образом, современная система обозначений диодов малой мощности позволяет получать значительный объем информации о свойствах прибора.

Параметрический диод 3А410А. [1]

Диоды арсенидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные, параметрические. Предназначены для применения в параметрических усилителях сантиметрового диапазона длин волн. Выпускаеются в металлическом корпусе с жесткими выводами.

Масса диода не более 0,05 г.

Габаритный чертеж прибора.

Электрические параметры

Постоянная времени при Uпр = 2В, и f = 8,6 ГГц, не более 0,8 пс.

Постоянный обратный ток, не более:

при Uобр = 2В:

Т= -196 и Т=+25 С……1 мкА

Т= +85 С………………2 мкА

при Uобр = 6 В и Т=+25 С ……..5 мкА

Общая емкость при Uпр = 0В, и f = 10 МГц ….0,55 пФ

Емкость корпуса ……..0,2..0,29 пФ

Индуктивность диода, не более …….0,2 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение:

Т= -196 …-60 С……4 В

Т= -60 …+85 С…….5 В

Т= +25 С……………6 В

Рассеиваемая мощность ……30мВт

Импульсная рассеиваемая мощность при tи = 1…4 мкс и Q = 1000 …….100мВт

Рассеиваемая мощность плоской части импульса при  Т= -60 …+85 С ….. 50 мВт

Энергия СВЧ импульсов при tи = 3…10 нс и Т= -60 …+85 С ….. 0,2*10-7 Дж

Температура окружающей среды……………………….. – 269…+85 С

Генераторный диод 3А705А. [1] 

Диоды арсенидогаллиевые, эпитаксиальные, на эффекте Ганна, генераторные. Предназначены для генерирования колебаний сантиметрового диапазона длин волн. Выпускаеются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.

Масса диода не более 0,65 г.

Габаритный чертеж прибора.

Электрические параметры

Минимальная непрерывная  выходная мощность на одной из частот диапазона 5,2…8,2 ГГц, при U=10В, не менее……………………20 мВт

Постоянный рабочий ток при U= 10 В, не более,

при Т= +25 С……………280 мА

при Т= -60 С……………370 мА

при Т= -60 С……………230 мА

Сопротивление диода при Iпр =10мА …….3…15 Ом

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное  напряжение:………..10В

Рассеиваемая мощность:

при Т= -60 С……………3,5 Вт

при Т=+25 С……………2,8 Вт

при Т= +60 С……………2,3 Вт

Температура корпуса …………………+70 С

Температура окружающей среды.……+ 60…+60 С

Данный диод удовлетворяет частотным условиям.

Переключательный диод 2А533А3. [2] 

Кремниевые планарные поверхностно-ориентированные переключательные pin-диоды. Предназначены для работы в гибридных схемах, применяемых в аппаратуре специального назначения в диапазоне частот от 100 МГц до 18 ГГц, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Выпускаются в бескорпусном исполнении с балочными выводами.

Рабочий диапазон частот: 0.1 ÷ 18 ГГц; Рабочая температура окружающей среды: минус 60 ˚С ÷ 100 ˚С;

Масса (не более): 1 мг; Бескорпусное исполнение

Прямое сопротивление потерь, Ом (Iпр.= 50 мА) не более…….6 Ом

Критическая частота, ГГц (Iпр.= 50 мА, Uобр.= 10 В, f.= 4,0 ГГц)…200ГГц

Емкость диодной структуры,…………….0,025 пФ

Нормированное постоянное обратное напряжение, (Iобр. ≤ 100 мкА).. 70 В

Пробивное напряжение, В (Iобр.= 100 мкА)…… 75 В

Время восстановления, ……50 нс

Максимально допустимый постоянный прямой ток, не более …… 100 мА

Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, не более …..50 В

Максимально допустимая рассеиваемая мощность диода, не более …100 мВт

Габаритный чертеж прибора.

Литература:

1.Справочник «Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные. Диоды импульсные. Оптоэлектронные приборы» под редакцией А.В.Голомедова, 1988г.

2. Справочник «Диоды СВЧ», ООО «Научно-производственное предприятие Томилинский электронный завод», 2008 г.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

63989. АНАЛИЗ СИСТЕМЫ УЧЕТА И ВНУТРЕННЕГО КОНТРОЛЯ ЗА ДВИЖЕНИЕМ ДЕНЕЖНЫХ СРЕДСТВ НА ПРЕДПРИЯТИИ 280.85 KB
  Цель исследования – разработать пути совершенствования учёта денежных средств на предприятии ЗАО Туринский ЦБЗ. Степень внедрения – рекомендации и предложения нашли применение в практической деятельности ЗАО Туринский ЦБЗ.
63990. Словообразование в американском варианте современного английского языка 476 KB
  Основные различия американского и британского вариантов английского языка. Проблема определения мирового статуса американского варианта английского языка. Американский вариант английского языка в современном мире.
63991. Тактика осмотра места происшествия 442.5 KB
  Целью данной дипломной работы является рассмотрение понятия, сущности осмотра места происшествия, а также тактики осмотра места происшествия в помещении. Для достижения указанной цели нужно найти ответы на следующие вопросы: изучить сущность осмотра места происшествия...
63992. Особенности представлений о браке у мужчин и женщин с различными уровнями удовлетворенности браком 556.5 KB
  Ценностные ориентации супругов в браке. Межличностное взаимодействие супругов представляет основу семейного благополучия и психологического комфорта ее членов. Качество брачных отношений во многом обусловлено совместимостью супругов социальным и психофизическим...
63993. Учет затрат и калькулирования себестоимости продукции животноводства на примере ООО «Лидер» 116.52 KB
  Задачи процесса производства продукции и нормативные документы. Методы учета затрат и калькулирование себестоимости продукции. Синтетический и аналитический учет затрат на производство продукции животноводства.
63994. Формирование психолого–педагогической компетентности будущих воспитателей по вопросам гендерной социализации 401.69 KB
  Формы и содержание профессиональной подготовки будущих воспитателей ориентированные на формирование психолого педагогической компетентности по вопросам гендерной социализации детей дошкольного возраста. Теоретико-прикладные аспекты гендерной социализации детей дошкольного возраста.
63996. Современная система ценообразования малоэтажного строительства с применением легких стальных тонкостенных конструкций 220.5 KB
  Цель работы: раскрыть содержание современной системы ценообразования и сметного нормирования в строительстве с применением легких стальных тонкостенных конструкций и произвести анализ в экономичности их применения при малоэтажном строительстве жилья.
63997. Совершенствование бухгалтерского учета и внутрихозяйственного контроля на предприятии ОАО «Комбинат строительных конструкций» 403 KB
  Целью дипломной работы является рассмотрение организации учета и проведение анализа состояния и эффективности использования собственных основных средств ОАО «Комбинат строительных конструкций».