73885

Фізична природа власної полярності кристалів

Доклад

Физика

Природа спонтанної поляризації піроелекrpиків (і, тим більше, власної полярності пєзоелекrpиків) не зводиться тільки до зсувів іонних пiдгpаток, але має бути врахована конфіrypація структури кристала.

Украинкский

2014-12-21

40 KB

0 чел.

26. Фізична природа власної полярності кристалів

Природа спонтанної поляризації піроелекrpиків (і, тим більше, власної полярності п'єзоелекrpиків) не зводиться тільки до зсувів іонних пiдгpаток, але має бути врахована конфіrypація структури кристала. Наприклад, вуглець кристалізуєтьcя в структурі алмазу. Крім найпоширенішої в природі кубічної (центpocиметричної) структури алмазу, кристалічний вуглець може іноді мати й піроелектpичну модифікацію. Особливості розподілу електронної щільності в кристалі істотньо впливають на симетрію кристалічних фаток. У зв'язку з цим відзначимо, що навіть прості за хімічним складом кристали хімічних елементів: селен Se і телур Те мають досить складну кристалічну структуру, - вони належать до п'єзоелектpиків типy кварцу (клас симетрії 32). Власну полярність згаданих одноатомних кристалів, мабуть, зумовлено симетрією електронної структури.

У зв'язку з розглядом уявлень про латентну (приховану) полярність важливо відзначити тісне споріднення фізичних механізмів піроелектриків і п'єзоелектриків.  

3в'язок між піроелектрикою і п'єзоелектрикою випливає із електрично індукованих ефектів: прикладене іззовні електричне поле  у будь-якому твердому діелектрику індукує полярну вісь (і піро електричні властивості). Очевидно, що з появою полярної осі центр симетрії зникає, при цьому штучно отримана «піроелектрика» супроводжується п'єзоефектом. Отже, у разі електричного зсуву (індукованої поляризації) виникають одночасно як піроефект, так і п'єзоефект. Важливо відзначити, що прикладеним іззовні електричним зсувом ці ефекти неможливо одержати роздільно - вони з'являються разом. Зв'язок обох ефектів у цьому разі очевидний. Прояв індукованих електричним зсувом ефектів залежить від величини діелектричної проникності.

Латентна полярність виявляється в нецентросиметричних кристалах. Наприклад, у п'єзоелектриках (як і в піроелектриках) спостерігається уніполярність хімічних властивостей. Так, у кристалах кварцу хімічне травлення відбувається набагато інтенсивніше у «додатному» напрямі полярно-нейтральної осі Х порівняно з травленням у «від'ємному» напрямі тієї ж осі. Через це «фігури травлення» на «+» і «-» поверхнях Х-зрізів кварцу значно розрізняються. Так само і в кубічному кристалі арсеніду галію хімічні властивості двох протилежних поверхонь (111 )-зрізу кристала сильно відрізняються одна від одної.

Латентна полярність впливає не тільки на хімічні властивості поверхні п'єзоелектриків, але й виявляється в ЇХ об'ємних властивостях: відомо, що в додатному і від'ємному напрямах полярно-нейтральних осей п'єзоелектриКЇв (наприклад, кварцу) розрізняються механічні властивості (наприклад, міцність, твердість).

Отже, подібність фізичних властивостей полярних кристалів різних класів симетрії очевидна. Власні електричні моменти в них характеризуються різними мультиполями, які можна подати для кожного класу симетрії певним набором мультиполів. У піроелектриках домінує дипольний мотив структури. їх секступоль можна подати як полярнонейтральне об'єднання трьох диполів, а октуполь - як суму трьох секступолей. у разі «істинних» п'єзоелектриків їх внутрішня полярність скомпенсована, але внявлятись вона може за певних граничних умов, спотворюючи форму секступолів й октуполів. Певне спотворення мультиполів призводить до «виділення» з них дипольного моменту - тобто вектора «спонтанної» поляризації. П'єзоелектрик перетворюється в «штучно створений піроелектрик.

  1.  Механічні властивості діелектриків

 

За своїми механічнимu властивостями кристалічні діелектрики вирізняються більшою крихкістю і твердістю, тоді, як метали більш пластичні й пружні. Це зумовлено впливом вільних електронів на властивості металів, що кристалізуються в прості, щільно упаковані гpатки, де переважною силою взаємодії є металевий зв'язок (інші види електричного зв'язку між атомами екрануються вільними електронами). у діелектриках, навпаки, часто утворюються складні багатоатомні структури з різними за фізичною природою взаємодіями структурних елементів.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

37688. Багатовимірні масиви. Функції. Обробка двовимірних масивів 563.03 KB
  Мета: вивчити засоби опису функцій користувача та задання багатовимірних масивів, навчитись застосовувати функції користувача та алгоритми обробки багатовимірних масивів, зокрема двовимірних.
37689. Вибір векторної норми і знаходження коефіцієнта стиску 41 KB
  Вибір векторної норми і знаходження коефіцієнта стиску. Скористаємось програмою NormMatr. Після її виконання маємо. Всі ці норми менше одиниці. Тому можна вибрати будь-яку векторну норму з цих норм. Але зручно вибрати ту векторну норму, для якої відповідна підлегла норма матриці буде найменшою. Тому виберемо векторну m-норму , для якої коефіцієнт стиску дорівнює
37691. Складні структури даних. Структури. Об’єднання. Бітові поля 143.69 KB
  Мета: навчитись проводити обробку складних структур даних і вирішувати задачі з використанням різних методів сумісного збереження даних різноманітних типів.
37692. Робота з масивами. Затримки і інтервали. Вивід інформації у вікно документа. Об’єкти String 49.5 KB
  Об’єкти String†Мета: Отримати теоретичні знання про масиви і навчитися їх використовувати при написанні скриптів на JvScript Навчитись використовувати затримки та інтервали та виводити інформацію увікно документа. Організувати miniтест з 5 питань що йдуть послідовно питань на тему “Синтаксис JvScriptâ€. №1 html hed title Задание 1 title hed body script type= text jvscript document. Організувати miniтест з 5 питань що йдуть послідовно питань на тему “Синтаксис JvScriptâ€.
37693. Что такое комбинационный сумматор и где сумматоры используются 84.33 KB
  Параллельные многоразрядные сумматоры предназначены для одновременного суммирования двух многоразрядных чисел и характеризуются различными способами передачи сигналов переноса от младших разрядов сумматора к старшим. Принципы построения и работы сумматора вытекают из правил сложения двоичных цифр. Схема сумматора также является регулярной и широко используется в ЭВМ.1 Таблица истинности комбинационного полусумматора Входы Выходы i bi Si Pi 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 Логические зависимости: 1.