74359

Расчет режима сети с различными номинальными напряжениями

Доклад

Энергетика

Пересчет сети к одному номинальному напряжению лучше выполнять в разветвленной части схеме. В данном случае таковой является участок содержащий ЛЭП 110 и трансформатор.

Русский

2014-12-31

42.5 KB

6 чел.

56

Расчет режима сети с различными номинальными напряжениями.

Пересчет сети к одному номинальному напряжению лучше выполнять в разветвленной части схеме. В данном случае таковой является участок содержащий ЛЭП 110 и трансформатор.

Необходимо параметры ЛЭП 10 кВ превести к напряжению 110 кВ

Z2`=Z2 k2

После этого идеальный трансформатор К из схемы можно опустить

Значение мощностей при пересчете не изменяется.

Расчет также начинается со второй точки. При этом потери мощности

S2 = (S2U2`)2Z2`

U2`=U2 k

Дальше происходит тоже самое.

Потокораспределение как в исходной, так и в приведенной схеме не изменяется, мы только учитываем пересчет напряжения в узлах в исходной схеме

U2`=U2`/k,   U1`=U1`/k


Б

SБ3

U2`

2

U1`

2

S1Б

S31

Z1

ZT

Z2`

S2

3

1

S12

SW`

SW``

S2

ST

∆ǓT

SX

S1

∆Ǔ1T

2


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

19858. Принцип действия растрового электронного микроскопа. Схема РЭМ. Понятие увеличения в РЭМ 137.5 KB
  Лекция 23 Принцип действия растрового электронного микроскопа. Схема РЭМ. Понятие увеличения в РЭМ. Детектор электронов. Растровый электронный микроскоп РЭМ является одним из наиболее распространенных аналитических приборов используемых как в исследовательских ла
19859. Понятие контраста в растровом электронном микроскопе. Определение предельного разрешения РЭМ. Формирование топографического контраста в РЭМ 553 KB
  Лекция 24 Понятие контраста в растровом электронном микроскопе. Определение предельного разрешения РЭМ. Формирование топографического контраста в РЭМ. Для того чтобы на экране ЭЛТ можно было наблюдать картину отображения образца необходимо чтобы интенсивность свеч
19860. Физические основы рентгеновского микроанализа. Количественный рентгеновский микроанализ с использованием метода трех поправок 604 KB
  Лекция 25 Физические основы рентгеновского микроанализа. Количественный рентгеновский микроанализ с использованием метода трех поправок. Как было отмечено ранее при взаимодействии электронного пучка с образцом генерируется характеристическое рентгеновское излуче...
19861. Физические основы метода Оже-электронной спектроскопии. Необходимое оборудование. Модуляционная методика в Оже-электронной спектроскопии 189 KB
  Лекция 26 Физические основы метода Ожеэлектронной спектроскопии. Необходимое оборудование. Модуляционная методика в Ожеэлектронной спектроскопии. В прошлом семестре был подробно рассмотрен процесс Ожеэлектронной эмиссии. Кратко напомним схему образования Ожеэле
19862. Проведение количественного анализа в Оже-спектроскопии методом внешних эталонов и методом коэффициентов элементной чувствительности 255.5 KB
  Лекция 27 Проведение количественного анализа в Ожеспектроскопии методом внешних эталонов и методом коэффициентов элементной чувствительности. Растровая Ожеэлектронная спектроскопия. Метод ОЭС позволяет проводить как качественный так и количественный элементный
19863. Физические основы метода вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС). Аппаратура, необходимая для реализации метода ВИМС 115 KB
  Лекция 28 Физические основы метода вторичной ионной массспектрометрии ВИМС. Аппаратура необходимая для реализации метода ВИМС. Возможности метода ВИМС. Массспектрометрический анализ нейтральных распыленных частиц. Метод вторичной ионной массспектрометрии ВИМС ...
19864. Метод резерфордовского обратного рассеяния (РОР). Форма спектра обратнорассеянных ионов. Аппаратура, необходимая для реализации метода РОР 194 KB
  Лекция 29 Метод резерфордовского обратного рассеяния РОР. Форма спектра обратнорассеянных ионов. Аппаратура необходимая для реализации метода РОР. Первая работа посвященная анализу образца с помощью обратнорассеянных ионов появилась в 1968 г. В основе метода лежит м
19865. Определение стехиометрии образца методом РОР. Разрешение метода по глубине. Определение толщины пленки методом РОР 157 KB
  Лекция 30 Определение стехиометрии образца методом РОР. Разрешение метода по глубине. Определение толщины пленки методом РОР. С помощью метода Резерфордовского обратного рассеяния можно определить стехиометрический состав однородного образца не прибегая к использо
19866. Определение элементного состава образца методом PIXE (Proton Induced X-ray Emission) 85.5 KB
  Лекция 31 Определение элементного состава образца методом PIXE Proton Induced Xray Emission. Метод PIXE русский аналог РФА – рентгеновский флуоресцентный анализ является малораспространенным как следует из его названия основан на возбуждении ускоренными протонами линий характе...