74411

Заложение и развитие листа

Доклад

Биология и генетика

Сначала его клетки делятся во всех трех направлениях и зачаток листа растет в толщину и высоту. Довольно рано рост в толщину прекращается и зачаток листа становится плоским. Вначале зачаток листа не разделен на части но вскоре можно различить две части верхнюю и нижнюю причем верхняя апикальная первое время растет быстрее нижней базальной.

Русский

2014-12-31

29.5 KB

3 чел.

Заложение и развитие листа

Зачаток листа возникает экзогенно на конусе нарастания побега, несколько ниже его верхушки, как боковой вырост в виде овального бугорка. Сначала его клетки делятся во всех трех направлениях и зачаток листа растет в толщину и высоту. Довольно рано рост в толщину прекращается и зачаток листа становится плоским. Клетки на нижней, отстоящей от верхушки побега стороне делятся интенсивнее, и листовой зачаток загибается внутрь, прикрывая конус нарастания (рис. 119, 173).

 

Вначале зачаток листа не разделен на части, но вскоре можно различить две части - верхнюю и нижнюю, причем верхняя (апикальная) первое время растет быстрее нижней (базальной).

 

В отличие от оси стебля, верхушечный рост которой, как правило, неограничен, верхушечный рост листовых зачатков продолжается очень недолго. Деятельность верхушечной меристемы (акропетальный рост) прекращается очень быстро, и начинают функционировать одна или несколько вставочных меристем (базипетальный рост), т. е. перестает расти верхушка листа и начинает или, вернее, продолжает расти его основание.

Переход от акропетального к базипетальному росту у хвойных и многих однодольных происходит при величине листового зачатка в 0,3 мм.

Только у некоторых папоротников и древних по своему происхождению саговников довольно долго сохраняется типичный верхушечный рост листового зачатка. Довольно долго сохраняется он и у некоторых двудольных (Drosophyllum, Utricularia, Pinguicula).

Долго продолжающийся базипетальный рост характерен для многих однодольных, имеющих узкие длинные листья (злаки и некоторые другие растения, например ирис). Очень своеобразен рост листьев такого, весьма необычайного растения, как вельвиччия (Welwitschia mirabilis), у которой, кроме двух семядолей, образуется только одна пара супротивных листьев, нарастающих у основания за счет интеркалярного роста ежегодно в течение всей жизни, тогда как верхние участки этого бесконечно нарастающего листа постепенно разрываются и отмирают.

Из верхней части зачатка листа развиваются листовая пластинка и черешок, а из нижней - основание листа и прилистники (рис. 173).

Уже в почке бывают заложены все части листа. Когда лист выходит из почки, происходит разрастание уже заложенных частей и дифференциация их анатомической структуры. При этом последним разрастается черешок. Пластинка листа увеличивается в размерах довольно равномерно. В общих чертах большая часть листьев наземных растений построена по одному и тому же плану. Лист обладает лишь одной плоскостью симметрии, иначе говоря, лист моносимметричен, и эта плоскость перпендикулярна двум поверхностям. Одна из них - дорзальная (спинная): в почке - внутренняя, примыкающая к стеблю, а в развившемся листе - физически верхняя. Другая - вентральная (брюшная): в почке - наружная, во взрослом листе - физически нижняя. Эти признаки, отличающие в основном лист от стебля и корня, не являются абсолютными; например, у листьев некоторых растений (например, у ситников Juncus, y многих луков Allium) строение - и внешнее и внутреннее - ближе к цилиндрически радиальному, нежели к пластинчато-моносимметричному.

 


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

37750. Визначення перехідної і частотної характеристики систем 1.42 MB
  Мета роботи: Набути практичних навичок вивчення перехідної і частотних характеристик системи за їхніми передаточними функціями.
37751. КЛЮЧЕВОЙ РЕЖИМ РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА 136.97 KB
  Во время переходных процессов при переключении из одного статического состояния в другое транзистор работает в нормальном и инверсном активных режимах. ГТ Т1 г 1кн КК нк вых икэ и ч Основными параметрами переходных процессов являются: при включении ТК 1з время задержки и Сф длительность фронта а при выключении 1рас время рассасывания накопленного в базе заряда и 1с длительность среза. Время задержки {з = твх 1п 1 где твх =КбСвх ; 160 ЕБ1 начальное напряжение на Свх. Временные диаграммы работы транзисторного ключа Для...
37752. Исследование интерференционного светофильтра 402 KB
  Зеркала полупрозрачны так что часть света отражается от них R коэффициент отражения часть поглощается А коэффициент поглощения а часть проходит Т коэффициент пропускания. Основные характеристики ИФ: mx длина волны в максимального пропускания Tmx максимальный коэффициент пропускания Tmin минимальный коэффициент пропускания 05 спектральная полуширина ширина полосы на уровне 05Tmx 2 угловая ширина светового пучка К контраст отношение максимального и минимального коэффициетов пропускания Т R А = 1 для...
37755. ГРАДУИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ВОЛЬТМЕТРА С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОМЕТРА ТОМСОНА 157 KB
  ТЧЁТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ № 13 ГРАДУИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ВОЛЬТМЕТРА С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОМЕТРА ТОМСОНА Цель работы: Градуирование шкалы электростатического вольтметра с помощью абсолютного электрометра Томсона т. Стержень крепится к металлическому корпусу В вольтметра с помощью вмонтированной в него пробки из изоляционного материала. Если такой вольтметр проградуировать то им можно измерять разность потенциалов между любыми двумя проводниками...