76366

МПД-контроль

Лекция

Физика

Технологическая схема МПД контроля. Дефектоскопические средства: приборы средства контроля материалы. Размагничивание изделий после контроля. Паспортизация результатов МПДконтроля.

Русский

2015-01-30

300.19 KB

0 чел.

Лекция 7.  МПД-контроль

   Поан лекции. Способы намагничивания контролируемых изделий. Технологическая схема

МПД- контроля. Дефектоскопические средства: приборы, средства контроля, материалы. Размагничивание изделий после контроля. Паспортизация результатов МПД-контроля

. 

Основы метода. В намагниченное изделии магнитный поток, встречая препятствия с малой магнитной проницаемостыс (трещины, неметаллические включения), рассеивается, и, если эти препятствия (дефекты) расположены неглубоко, на поверхности изделия в месте выхода силовых линий потока рассеивания создается магнитная поляризация, которая может быть обнаружена специальными магнитными индикаторами (например, частицы ферромаг-нитных веществ и, в частности, окислы железа). Наиболее интенсивное рассеивание силовых линий происходит при направлении магнитного потока перпендикулярно направлению дефекта, что необходимо учитывать при намагничивании изделия. В зависимости от магнитных свойств материала контролируемого изделия применяются два метода контроля.

А. Контроль на остаточной намагниченности, заключающийся в том, что подлежащую контролю деталь предварительно намагничивают и уже после прекращения действия намагничивающего поля поливают магнитной суспензией, т. е. взвесью ферромагнитных частиц в жидкости.

Этот метод применяется для контроля деталей из материалов, обладающих коэрци-тивной силой не ниже 10—12 Эрст, т. е. большинства конструкционных и инструментальных сталей после закалки или закалки и отпуска.

Б. Контроль в приложенном магнитном поле, заключающийся в том, что поливка магнитной суспензией производится во время намагничивания. Этот метод применяется для контроля деталей из материалов, имеющих коэрцитивную силу меньше 10 Эрст (малоугле-родистые стали, конструкционные стали после отжига), а также в ряде случаев для контроля деталей сложной формы и значительных сечений.

Способы намагничивания. Намагничивание деталей осуществляется следующими способами:

а) в поле постоянного или переменного тока большой силы, пропускаемого через деталь (рис. 7. 1, А') или через медный проводник (стержень), вставленный внутрь пустотелой детали (рис. 7.1, А); при этом деталь намагничивается циркулярным потоком магнитных силовых линий, расположенных в плоскости, перпендикулярной направлению тока, и имеющих вид замкнутых контуров (рис. 7. 2, а);

б) в поле соленоида (рис. 7.1. Б') при этом достигается продольное или поперечное намагничивание;

в) в поле электромагнита — продольное или поперечное намагничивание (рис. 7. 1, Б).

Возможно также комбинированное намагничивание (рис. 7. 1, В и В') путем одновре-менного воздействия продольного и поперечного или циркулярного и поперечного намагни-чивающего поля, создаваемого постоянным и переменным током.

Рисунок 7.1 Схема намагничивания. – А, А’ – циркулярное; Б, Б’ – полюсное;

В, В – комбинированное.

   Рисунок  7.2  Направление магнитных силовых линий при  циркулярном (а)

             и полюсном (б) намагничивании.

Циркулярное намагничивание имеет существенное преимущество благодаря отсутствию полюсности на концах детали, что позволяет контролировать и эти концы.

Порядок проведения магнитной дефектоскопии

  1.  Очистка
  2.  Намагничивание для получения поля рассеивания, рис. 7.3
  3.  Операция регистрации МПР, т.е. выявление дефектов
  4.  Размагничивание, обязательная операция

Рисунок  7.3  Образование МПР при МПД. - α1, α2 – Углы входа и выхода

              магнитных силовых линий. МПР – магнитное поле рассеивания,

              Ф – магнитный поток, Н – напряженность магнитного поля.

Дефектоскопические средства. Аппаратура для намагничивания. Для циркулярного намагничивания необходимо иметь: а) источник постоянного или переменного тока низкого напряжения (4 - 12 в) и большой силы (до 10000 а и больше) и б) контактное устройство идя подвода тока к детали.

Источником постоянного тока могут служить аккумуляторы, или выпрямители соответствующей мощности.

Для намагничивания особо крупных изделий применяются тороидные и соленоидные обмотки из гибкого провода (кабеля) большого сечения, наматываемые непосредственно на деталь и питаемые от дефектоскопов или непосредственно от соответствующего трансформатора.

    Магнитный порошок представляет собой магнитную закись — окись железа (Fe3O4)> измельченную до величины частиц порядка 5—10 мк. Магнитная суспензия составляется из расчета 50 г порошка на 1 л трансформаторного масла. Н рис. 7.4 магнитная суспензия ф. Helling GmbH, Германия.   Обладает очень высокой чувствительностью. Средний размер зерен 4 мкм. Готовая форма для применения. Суспензия магнитных частиц в слабо пахнущем масле-носителе с высокой температурой вспышки. Является хорошим ингибитором коррозии. 

Рисунок 7.4   Флуоресцентная магнитная суспензия NRF 101

Чувствительность метода магнитного порошка. Чувствительность зависит от свойств порошка, магнитных характеристик металлов, режимов намагничивания и геометрических размеров дефектов.

Чувствительность метода в случае контроля конструкционной стали после закалки и отпуска характеризуется следующими размерами и расположением дефектов:

а) крупные, вытянутые в глубь металла дефекты — непровары, трещины с большой высотой (3—4 мм) и малой шириной (0,01— 0,2 мм) четко выявляются при глубине залегания от поверхности до 2,5 мм при контроле в приложенном постоянном поле электромагнита, до 1,5 мм при контроле в приложенном поле переменного тока и до 1 мм в случае контроля на остаточной намагниченности;

б) волосовины шириной 0,04—0,3 мм, высотой 0,05—0,7 мм обнаруживаются соответственно на глубине до 1; 0,5 и 0,3 мм.

Область применения МПД. Метод применяется для выявления волосовин, крупных шлаковых включений, флокенов, закатов, заковов, расслоев, трещин (закалочных, ковочных, штамповочных, сварочных, шлифовочных, усталостных) и непроваров (в стыкокромочных соединениях), залегающих неглубоко от поверхности детали.

Контроль может быть проведен на деталях, покрытых тонкими слоями (до 20 мк) защитных (немагнитных) покрытий лака, краски, хрома, кадмия, цинка.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

19334. УСКОРЕНИЕ ЦЕЛОЧИСЛЕННОГО УМНОЖЕНИЯ 195 KB
  АК ЛЕКЦИЯ № 11 УСКОРЕНИЕ ЦЕЛОЧИСЛЕННОГО УМНОЖЕНИЯ Методы ускорения умножения можно условно разделить на аппаратные и логические. Те и другие требуют дополнительных затрат оборудования которые при использовании аппаратных методов возрастают с увеличением разряднос...
19335. УСКОРЕНИЕ ЦЕЛОЧИСЛЕННОГО ДЕЛЕНИЯ. АУ ДЛЯ ЧИСЕЛ С ПЛАВАЮЩЕЙ ЗАПЯТОЙ 82.5 KB
  АК ЛЕКЦИЯ № 12 УСКОРЕНИЕ ЦЕЛОЧИСЛЕННОГО ДЕЛЕНИЯ. АУ ДЛЯ ЧИСЕЛ С ПЛАВАЮЩЕЙ ЗАПЯТОЙ Ускорение целочисленного деления Следует отметить что операция деления предоставляет не слишком много путей для своей оптимизации по времени. Тем не менее определенные возможности ...
19336. УПРАВЛЯЮЩИЕ УСТРОЙСТВА С ПРОГРАММИРУЕМОЙ ЛОГИКОЙ 181 KB
  АК ЛЕКЦИЯ № 13 УПРАВЛЯЮЩИЕ УСТРОЙСТВА С ПРОГРАММИРУЕМОЙ ЛОГИКОЙ Функции центрального устройства управления Устройство управления УУ вычислительной машины реализует функции управления ходом вычислительного процесса обеспечивая автоматическое выполнение ком
19337. АДРЕСАЦИЯ МК. СТРУКТУРА УПРАВЛЯЮЩЕЙ ПАМЯТИ 177.5 KB
  АК ЛЕКЦИЯ № 14 АДРЕСАЦИЯ МК. СТРУКТУРА УПРАВЛЯЮЩЕЙ ПАМЯТИ Адресация микрокоманд При выполнении микропрограммы адрес очередной микрокоманды относится к одной из трех категорий: определяется кодом операции команды; является следующим по порядку адресом;
19338. ОРГАНИЗАЦИЯ ВНУТРИМАШИННОГО ОБМЕНА ИНФОРМАЦИЕЙ. ОБЩИЕ ВОПРОСЫ 177.5 KB
  АК ЛЕКЦИЯ № 15 ОРГАНИЗАЦИЯ ВНУТРИМАШИННОГО ОБМЕНА ИНФОРМАЦИЕЙ. ОБЩИЕ ВОПРОСЫ. Совокупность трактов объединяющих между собой основные устройства ВМ центральный процессор память и модули ввода/вывода образует структуру взаимосвязей вычислительной машины. Структур...
19339. АРБИТРАЖ ШИН 163.5 KB
  АК ЛЕКЦИЯ № 16 АРБИТРАЖ ШИН В реальных системах на роль ведущего вправе одновременно претендовать сразу несколько из подключенных к шине устройств однако управлять шиной в каждый момент времени может только одно из них. Чтобы исключить конфликты шина должна предус...
19340. СИСТЕМА ВВОДА-ВЫВОДА 222.5 KB
  АК ЛЕКЦИЯ № 17 СИСТЕМА ВВОДАВЫВОДА Помимо центрального процессора ЦП и памяти третьим ключевым элементом архитектуры ВМ является система ввода/вывода СВВ. Система ввода/вывода призвана обеспечить обмен информацией между ядром ВМ и разнообразными внешними устройс...
19341. МОДУЛЬНАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ ВНУТРЕННЕЙ ПАМЯТИ 140.5 KB
  АК ЛЕКЦИЯ № 18 МОДУЛЬНАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ ВНУТРЕННЕЙ ПАМЯТИ Блочная организация основной памяти Емкость основной памяти современных ВМ слишком велика чтобы ее можно было реализовать на базе единственной интегральной микросхемы ИМС. Необходимость объединения нес...
19342. КЭШ-ПАМЯТЬ 159 KB
  АК ЛЕКЦИЯ № 19 КЭШПАМЯТЬ Кэшпамять Как уже отмечалось в качестве элементной базы основной памяти в большинстве ВМ служат микросхемы динамических ОЗУ на порядок уступающие по быстродействию центральному процессору. В результате процессор вынужден простаивать не