76893

Проводящие пути проприоцептивной чувствительности мозжечкового и коркового направления

Доклад

Биология и генетика

1е нейроны псевдоуниполярные находятся в спинномозговых узлах. 2е нейроны лежат в тонком и клиновидном ядрах продолговатого мозга их аксоны формируют: внутренние дугообразные волокна начало медиальной петли перекрест ее происходит на уровне нижнего угла ромбовидной ямки; передние наружные дугообразные волокна перекрещиваются и уходят в нижнюю мозжечковую ножку и кору полушарий мозжечка; задние наружные дугообразные волокна не перекрещиваются и уходят в нижнюю ножку мозжечка и кору червя. 3и нейроны расположены в коре червя...

Русский

2015-02-01

181.16 KB

1 чел.


 Проприоцептивные проводящие пути

Проводящие пути проприоцептивной чувствительности мозжечкового и коркового направления.

Восходящие (чувствительные) проприоцептивные пути начинаются нервными окончаниями в надкостнице, суставных капсулах, связках, апоневрозах, фасциях и мышцах.

Бульботаламический путь мышечно-суставного чувства перекрещен в продолговатом мозге на уровне медиальной петли, имеет корковое направление с ответвлением в мозжечок.

  1.  1-е нейроны, псевдоуниполярные, находятся в спинномозговых узлах. Короткие отростки в составе задних корешков проходят мимо заднего рога сразу в задний канатик спинного мозга. Причем тонкий пучок несет импульсы от нижних конечностей и нижней половины туловища, а клиновидный - от верхней части туловища и верхних конечностей.
  2.  2-е нейроны лежат в тонком и клиновидном ядрах продолговатого мозга, их аксоны формируют:
  3.  внутренние дугообразные волокна - начало медиальной петли - перекрест ее происходит на уровне нижнего угла ромбовидной ямки;
  4.  передние наружные дугообразные волокна, перекрещиваются и уходят в нижнюю мозжечковую ножку и кору полушарий мозжечка;
  5.  задние наружные дугообразные волокна не перекрещиваются и уходят в нижнюю ножку мозжечка и кору червя.
  6.  3-и нейроны расположены в коре червя мозжечка и дорсолатеральном ядре таламуса; их аксоны проходят через внутреннюю капсулу в составе таламической лучистости.
  7.  4-е нейроны располагаются в постцентральной извилине и верхней теменной дольке.

Передний спинно-мозжечковый путь мышечно-суставного чувства дважды перекрещивается - первый раз в спинном мозге, второй раз в ромбовидном перешейке заднего мозга.

  1.  1-е нейроны, псевдоуниполярные - в спинномозговом узле.
  2.  2-е нейроны - в центральном промежуточном веществе спинного мозга, которое примыкает к грудному ядру с латеральной стороны. Аксоны, перекрещиваясь в спинном мозге, идут в его боковых канатиках и в дорзальной части ствола мозга. В нем на уровне ромбовидного перешейка они совершают второй перекрест и уходят через нижнюю ножку мозжечка в кору червя.
  3.  3-и нейроны - в коре червя, аксоны имеют ответвления к зубчатому ядру мозжечка и красному ядру среднего мозга а потом направляются в заднюю ножку внутренней капсулы.
  4.  4-е нейроны - в постцентральной извилине и верхней теменной дольке.

Задний спинно-мозжечковый путь мышечно-суставного чувства не перекрещивается.

  1.  1-е нейроны, псевдоуниполярные, - в спинномозговых узлах;
  2.  2-е нейроны - в грудном ядре Кларка, которое имеет медиальное положение в основании задних рогов спинного мозга. Аксоны проходят в боковом канатике спинного мозга и продолговатом мозге. Через нижнюю мозжечковую ножку волокна пути входят в червь мозжечка.
  3.  3-и нейроны - кора червя.

Мозжечково-покрышечный путь

  1.  1-е нейроны - в коре червя и зубчатом ядре - аксоны перекрещиваются в среднем мозге, его покрышке.
  2.  2-е нейроны - в красном ядре среднего мозга и таламусе, аксоны проходят через заднюю ножку внутренней капсулы.
  3.  3-и нейроны - в постцентральной извилине.

Мозжечково-преддверный пучок

  1.  1-е нейроны - шаровидное и зубчатое ядро, аксоны проходят в нижней ножке мозжечка.
  2.  2-е нейроны - вестибулярные ядра заднего мозга.

21  


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

29764. Фазовое равновесие в гетерогенных системах. Правило фаз Гиббса. Диаграммы состояния 32.71 KB
  Правило фаз Гиббса. Фазовое равновесие в гетерогенных системах. Правило фаз Гиббса. При рассмотрении фазовых равновесий в системах необходимо различать фазы компоненты соединения твёрдые растворы и механические смеси.
29765. Классификация проводящих материалов, особенности тонкоплёночных металлов, проводящие материалы в микроэлектронике 52.44 KB
  Удельное сопротивление алюминия в 16 раза больше удельного сопротивления меди но алюминий в 35 раза легче меди. Недостатками меди являются её подверженность атмосферной коррозии с образованием оксидных и сульфидных плёнок. Например электропроводность меди очень чувствительна к наличию примеси. Содержание в меди 05 никеля олова или алюминия снижает электропроводность меди от 25 до 40.
29766. Классификация полупроводниковых материалов. Собственные и примесные полупроводники. Примеси в полупроводниках 29.49 KB
  Примеси в полупроводниках. Преднамеренное введение примеси называется легированием соответствующие примеси – легирующие а полупроводник – легированным или примесным. Кроме легирующих примесей существуют случайные или фоновые примеси непреднамеренно вводимые в полупроводник в процессе его производства и обработки. Фоновые примеси как правило ухудшают основные свойства материала и затрудняют управление ими.
29767. Монокристаллический кремний. Его применение, получение и свойства 36.46 KB
  Применение полупроводникового кремния. тонн кремния ежегодно Япония США Германия. Это базовый материал микроэлектроники который потребляет 80 полупроводникового кремния. Более 90 всех солнечных элементов изготавливаются из кристаллического кремния.
29768. Поликристаллический кремний. Применение, свойства, получение 26.53 KB
  Применение поликристаллического кремния Поликристаллический кремний весьма распространённый материал в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Возможность получения поликристаллического кремния с электрическим сопротивлением отличающимся на несколько порядков а также простота технологии привели к тому что он используется в технологии интегральных схем с одной стороны в качестве высокоомного материала затворов нагрузочных резисторов а с другой в качестве низкоомного материала межсоединений. Достоинства разводки на основе...
29770. Полупроводниковые соединения типа 29.44 KB
  Лазеры на основе соединений типа используются в телекоммуникационных устройствах волоконнооптических линий связи принтерах устройствах записи и считывания CD и DVD дисках. Свойства соединений типа Соединения типа образуются в результате взаимодействия элементов 3ей А подгруппы периодической системы с элементами 5ой В подгруппы за исключением висмута и таллия. Соединения типа классифицируются по элементу пятой группы т.
29771. Полупроводниковые соединения типа. Свойства соединений типа 23.32 KB
  Применение соединений типа Наиболее широкое применение соединения находят в качестве люминофоров и материалов для фоторезистов. Изготовление фоторезистов на основе соединений типа связано прежде всего с использованием сульфида кадмия селенида кадмия твёрдые растворы на основе . На основе полупроводников типа изготавливают датчики различного диапазона излучения.
29772. Диэлектрические материалы 37.85 KB
  Пассивные – это электроизоляторные и конденсаторные материалы. Пассивные неорганические диэлектрики применяемые в электронной технике можно разделить на стекловидные диэлектрики керамику монокристаллические диэлектрические материалы органические и композиционные материалы. Активные диэлектрики – это материалы свойствами которых можно управлять в широких пределах с помощью внешних воздействий.