77

Разработка методики проектирования схемы малошумящего усилителя

Реферат

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Усилитель выполнен в виде монолитной микроволновой интегральной схемы, цепи усилителя состоят из элементов с сосредоточенными параметрами. Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) усилителя без согласующих цепей.

Русский

2012-05-26

498.5 KB

227 чел.

Разработка методики проектирования схемы малошумящего усилителя

Техническое задание

Требуется разработать методику проектирования схемы малошумящего усилителя на полевом транзисторе с барьером Шотки структуры HEMT. Проектирование должно быть осуществлено с помощью программы Microwave Office. К усилителю предъявляются следующие требования.

1. Частота 37 ГГц.

2. Полоса пропускания не менее 5% от частоты сигнала.

3. Коэффициент шума минимальный.

3. Коэффициент усиления наибольший

5. Коэффициент стоячей волны напряжений входа не более 2.

6. Ток потребления не более 60 мА.

7. Напряжение питания 3 – 4 В.

8. Габариты 2х1х0,2 мм

В процессе работы следует определить условия получения минимального коэффициента шума при высоком коэффициенте усиления мощности

Предполагается, что усилитель будет выполнен в виде монолитной микроволновой интегральной схемы, поэтому цепи усилителя должны состоять из элементов с сосредоточенными параметрами.

Содержание

1.Обшие сведения о малошумящих усилителях на полевых транзисторах.

1.1 Состав малошумящего усилителя

1.2. Модель полевого транзистора структуры HEMT.

1.3. Расчет статических вольтамперных характеристик транзистора в программе Microwave Office

1.3.1. Семейство выходных статических ВАХ

1.3.2. Переходная характеристика транзистора

  1.   Режим работы транзистора по постоянному току
  2.  Проектирование малошумящего усилителя.

2.1 Выходная согласующая цепь

2.1.1. Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) усилителя без согласующих цепей.

2.1.2. Определение оптимального сопротивления нагрузки транзистора ..

2.1.3. Аналитический расчет выходной согласующей цепи.

2.1.4. Амплитудно-частотная характеристика усилителя с Г-образной выходной согласующей цепочкой.

2.2. Входная согласующая цепь

2.2.1. Компенсация мнимой части входного сопротивления транзистора

2.2.2. Расчет параметров входной цепи.

2.3. Цепь смещения

2.3.1. Цепь смещения с отдельным источником

2.3.2. Применение автоматического смещения.

2.3.3.Усилитель с автосмещением и согласующими цепями

3. Основные характеристики спроектированного усилителя.

3.1.Зависимости токов и напряжений электродов транзистора от времени.

Заключение.

Литература.

Приложение.


1.Обшие сведения о малошумящих усилителях.

1.1 Состав малошумящего усилителя.

Малошумящий усилитель содержит следующие элементы:

- активный элемент (транзистор), предназначенный для преобразования энергии источника питания в энергию колебаний,

- источник питания,

- входная и выходная согласующие цепи,

- цепи питания и смещения.

Входная согласующая цепь предназначена для преобразования входного сопротивления транзистора в сопротивление, равное внутреннему сопротивлению источника колебаний, подводимых к усилителю. Выходная согласующая цепь преобразует сопротивление нагрузки усилителя в сопротивление на выходных электродах транзистора, при котором транзистор работает в оптимальном режиме. Если усилитель узкополосный, то указанные преобразования сопротивлений осуществляются на рабочей частоте. В широкополосных усилителях преобразования происходят в заданной полосе частот.

Цепь питания предназначена для того, чтобы подвести постоянное напряжение между стоком и истоком транзистора и, при этом, разделить пути протекания постоянного и переменного токов. Цепь смещения обеспечивает подачу постоянного напряжения между затвором и истоком транзистора с тем, чтобы она не влияла на режим работы по переменному току.

В настоящей работе исследуется методика проектирования малошумящего усилителя на полевом транзисторе структуры HEMT. Современные транзисторы диапазона СВЧ изготавливают из арсенида галлия n-типа. Обычно транзистор включают по схеме с общим истоком, при этом источник питания подключают положительным электродом к стоку, отрицательным – к истоку. Для создания оптимального режима работы транзистора между затвором и истоком включают постоянное напряжение смещения отрицательной полярности на затворе.

Функциональная схема малошумящего усилителя приведена на рис.1. К затвору транзистора подведено напряжение колебаний от входного источника с внутренним сопротивлением . Постоянные напряжения затвора  и стокаподводят к электродам транзистора через блокировочные индуктивности. На выходе усилителя включено сопротивление нагрузки .

Рис.1 Функциональная схема усилителя мощности

(1 – входная согласующая цепь, 2 – выходная согласующая цепь)

1.2. Модель полевого транзистора структуры HEMT.

Простейшей моделью транзистора является эквивалентная схема, выполненная на

элементах с сосредоточенными параметрами. Для транзистора с HEMT - структурой воспользуемся вариантом,  приведенном в работе [1] – рис.2.

Рис.2. Эквивалентная схема транзистора структуры HEMT.

На рис. 2 применены следующие обозначения:

- паразитная емкость затвор-подложка,

- индуктивность затвора,

- сопротивление потерь затвора,

- емкость затвор- исток,

- емкость затвор-сток,

- линейная часть емкости затвор - исток,

- линейная часть емкости затвор-сток,

- напряжение на затворе,

- напряжение затвор-сток, барьера

- сопротивление канала затвор- исток,

- сопротивление канала затвор-сток,

- генератор тока стока,

- напряжение стока,

- емкость сток-исток,

, - цепочка, моделирующая тепловые свойства транзистора,

- сопротивление потерь стока,

-индуктивность стока,

- сопротивление потерь истока,

- индуктивность истока.

В соответствии с рис.2 разработана модель ANGELOV 2 транзистора структуры HEMT, параметры которой приведены в Приложении 1.

1.3. Расчет статических вольтамперных характеристик транзистора в программе Microwave Office.

1.3.1. Семейство выходных статических ВАХ

Составляется электрическая схема, включающая транзистор и прибор IVCURVE, предназначенный для измерения статических ВАХ. На рис.3 показана схема , в которой применен транзистор, представленный моделью ANGELOV 2. . Перед проведением расчетов были установлены границы и шаг изменений напряжений на электродах транзистора. Как видно из рис.3, напряжение на стоке  плавно изменяется (sweep) от 0 до 5 В с шагом 0,25 В, а напряжение на затворе  меняется скачками (step) от -2 до 0 В с шагом 0,2 В. Расчет проводился в нелинейном режиме путем вызова команд Current, IVCurve.

. Рис.3. Электрическая схема для расчета выходных ВАХ

Рассчитанные характеристики изображены на рис. 4.

, мА

 

Рис.4. Семейство выходных статических ВАХ полевого транзистора

(верхняя кривая соответствует напряжению на затворе транзистора = 0 В, нижняя – напряжению = -2 В)

1.3.2. Переходная характеристика транзистора

Для того, чтобы рассчитать статическую переходную характеристику транзистора, то есть зависимость тока стока  от напряжения на затворе  нужно составить электрическую схему, показанную на рис.5.

Рис.5. Схема для расчета переходной ВАХ транзистора

Схема состоит из модели транзистора ANGELOV 2, источника постоянного напряжения DCVS, подаваемого на сток, источника перестраиваемого напряжения DCVSS, подводимого к затвору, и амперметра I METER, измеряющего ток стока. Напряжение  на затворе изменяется от -2.5 до 0 В с шагом 0,25 В. Напряжение на стоке установлено постоянным =3 В. Результат представлен на рис.6.

, мА

Рис. 6. Переходная характеристика ПТШ

По горизонтальной оси отложено напряжение на затворе. В процессе расчетов использовались команды Current, Icomp.

1.4. Режим работы транзистора по постоянному току

Рассчитанные ВАХ (рис.4 и рис.6) дают возможность выбрать постоянное напряжение питания  и постоянное напряжение смещения , которые необходимо подвести к электродам транзистора. Для того, чтобы транзистор не вышел из строя, мгновенное напряжение на стоке должно изменяться в пределах 0 < <6 В, а напряжение на затворе не должно превышать 0 В. Учитывая изложенное и принимая во внимание графики рис. 4 и рис 6, выбираем следующие постоянные напряжения: на затворе = -1,2 В, на стоке =3 В.

Электрическая схема, обеспечивающая режим работы транзистора по постоянному току, приведена на рис. 7.

Рис.7. Схема подачи питания и смещения на транзистор

К входу транзистора подключен источник колебаний мощностью -20 дБм

(10 мкВт) с внутренним сопротивлением 50 Ом. Частота колебаний может быть перестроена в диапазоне 35 -39 ГГц при помощи команды Project Option в программе Microwave Office. Для того, чтобы цепи питания и смещения не влияли на протекание переменного тока в усилителе, применены блокировочные индуктивности достаточно больших номиналов. С целью измерения токов и напряжений на электродах транзистора в схему включены амперметры и вольтметры.

  1.  Проектирование малошумящего усилителя.

В соответствии с рис.1, усилитель состоит из транзистора, цепей питания и смещения, а также входной и выходной согласующих цепей. Целесообразно применить следующий порядок проектирования:

1) составление и расчет выходной согласующей цепи,

2) проектирование входной согласующей цепи,

3) уточнение цепей питания и смещения,

4) расчет основных характеристик усилителя,

5) моделирование усилителя во временной области,

6) корректировка схемы и параметров усилителя.

Проектируем оптимальный малошумящий усилитель, критерий оптимальности – минимум коэффициента шума N при наибольшем коэффициенте усиления мощности  (PGAIN). Весьма полезна при проектировании усилителей с помощью программы Microwave Office работа [2]/

2.1. Выходная согласующая цепь

Выходная согласующая цепь предназначена для преобразования сопротивления нагрузки усилителя  (обычно 50 Ом) в сопротивление, равное оптимальной величине , при которой усилитель имеет максимальный .Это сопротивление оказывается подключенным к выходным электродам транзистора: сток – исток. Проектирование выходной цепи осуществляем в следующем порядке:

- рассчитываем  путем моделирования схемы рис.7 в программе Microwave Office при разных сопротивлениях нагрузки и находим оптимальное значение , при котором коэффициент усиления максимален;

- рассчитываем по аналитическим формулам согласующую цепь, преобразующую сопротивление нагрузки  в сопротивление, равное ;

- рассчитываем зависимость коэффициента усиления мощности от частоты входных колебаний (амплитудно-частотную характеристику усилителя) с сформированной выходной цепью;

- учитывая, что при оптимальном сопротивлении нагрузки транзистора его выходное сопротивление в общем случае содержит мнимую часть , скорректируем параметры выходной цепи с целью компенсации  по критерию максимума  на рабочей частоте.

Рассмотрим применение изложенной методики для проектирования выходной цепи узкополосного усилителя, для работы на частоте 37 1ГГц.

2.1.1. Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) усилителя без согласующих цепей.

На рис.8 показана АЧХ усилителя, рассчитанная по схеме рис.7 в программе Microwave Office. При расчете сопротивление выходного порта P2 было принято равным 50 Ом.

, дБ

Рис. 8. АЧХ усилителя без согласующих цепей

2.1.2. Определение оптимального сопротивления нагрузки транзистора .

На данном этапе рассчитываем АЧХ при разных сопротивлениях нагрузки усилителя  (разных значениях Z порта P2 – рис.8). Расчеты показали, что  на частоте 37 ГГц. максимален при сопротивлении 28 Ом . На рис. 9 изображена АЧХ при сопротивлении выходного порта, равном 28 Ом.

Как видно из сравнения рис. 8 и 9, уменьшение сопротивления нагрузки от 50 до 28 Ом привело к увеличению коэффициента усиления мощности от 5,23 до 5,635 дБ . Для того, чтобы усилитель эффективно работал на стандартное сопротивление = 50 Ом, нужно применить согласующую цепь, которая преобразует сопротивление = 50 Ом в сопротивление = 28 Ом на выходных электродах транзистора,

, дБ

Рис.9. АЧХ усилителя при сопротивлении нагрузки = 28 Ом.

2.1.3. Аналитический расчет выходной согласующей цепи.

Простейшей узкополосной согласующей цепью, преобразующей большее сопротивление в меньшее, является Г-образная цепочка. Варианты Г-образных цепочек изображены на рис.10.

а) б)

Рис. 10. Простейшие согласующие цепочки.

Необходимость включить разделительную емкость на выходе усилителя приводит к целесообразности применения цепочки, изображенной на рис.10,б. Аналитический расчет подобной цепочки можно провести по методике, изложенной в работе [3]. Воспользуемся для расчета следующими формулами:

1) , 2) , 3) ,

где  - добротность,  - элементы цепочки.

Подставляя в эти формулы =28 Ом, =50 Ом,  = 2, = 37* 10 Гц, получим: =0,9, C =0,17 пФ, L = 0,23 нГн.

2.1.4. Амплитудно-частотная характеристика усилителя с Г-образной выходной согласующей цепочкой.

Индуктивность, примененную на выходе транзистора в схеме рис.7 для блокировки источника питания, можно использовать для компенсации мнимой части выходного сопротивления транзистора.. Применяя цепочку рис.10, б, получим выходную согласующую цепь, показанную на рис.11.

Рис. 11. Электрическая схема усилителя с выходной цепью.

Элементы согласующей цепочки , были оптимизированы в процессе моделирования схемы. Амплитудно-частотная характеристика усилителя с выходной согласующей цепью (рис.11) приведена на рис.12.

, дБ

Рис.12. АЧХ усилителя с выходной согласующей цепью

Как видим, коэффициент усиления мощности усилителя при стандартной нагрузке = 50 Ом (5,689 дБ) сравнялся с величиной, полученной при сопротивлении 28 Ом (5,635 дБ), благодаря применению выходной согласующей цепи.

2.2. Входная согласующая цепь

Входную согласующую усилителя можно спроектировать следующим образом:

- рассчитать зависимость от частоты входного сопротивления транзистора  в нелинейном режиме с помощью программы Microwave Office,

- мнимую часть  компенсировать на заданной частоте, подключая последовательно или параллельно к входу транзистора реактивное сопротивление противоположного знака и подбирая его величину,

- рассчитать действительную часть  и сравнивая ее с стандартным сопротивлением 50 Ом, выбрать конфигурацию входной согласующей цепи,

- рассчитать входную согласующую цепь, преобразующую  в сопротивление, равное внутреннему сопротивлению входного источника = 50 Ом,

- моделировать схему усилителя с входной и выходной согласующими цепями, рассчитать ее АЧХ. и уточнить параметры согласующих цепей.

2.2.1. Компенсация мнимой части входного сопротивления транзистора.

На рис.13 приведена зависимость от частоты действительной  и мнимой  части входного сопротивления транзистора., рассчитанная для схемы рис.11.

,, Ом

Рис. 13. Зависимость от частоты входного импеданса транзистора

(Δ - , □ - )

Как видно из рис.13, мнимая часть  входного сопротивления положительна в заданном диапазоне частот, то есть имеет индуктивный характер. Для компенсации  можно использовать емкость в входной цепи транзистора, рассчитывая ее величину. Поскольку =3,166, то величина компенсирующей емкости определяется выражением

.

Легко подсчитать, что =1,36 пФ.

При подключении компенсирующей емкости схема усилителя приобретает вид рис.14.

Рис. 14. Схема усилителя с компенсирующей емкостью во входной цепи.

Зависимость от частоты действительной и мнимой частей входного сопротивления транзистора в схеме рис.14 показана на рис. 15.

,, Ом

.

Рис.15. Зависимость от частоты составляющих входного импеданса транзистора.

(Δ - , □ - )

Как видим, мнимая часть входного сопротивления транзистора на частоте 37 ГГц близка к нулю, при этом. действительная часть входного сопротивления  на этой частоте оказалась равной 9 Ом. Таким образом, следует выбрать согласующую цепь, преобразующую меньшее сопротивление (9 Ом) в большее (50 Ом), например имеющую вид схемы рис.10, а.

2.2.2. Расчет параметров входной цепи.

Для расчета входной согласующей цепи, преобразующей сопротивление = 9 Ом в сопротивление = 50 Ом, воспользуемся формулами:

, , .

В результате получим: =2, 0,08 нГн, = 0,17 пФ. Электрическая схема усилителя с входной цепью приведена на рис. 16.

Рис.16.Схема усилителя с согласующими цепями.

Параметры входной цепи  были оптимизированы в процессе расчета входного импеданса схемы рис.16 таким образом, чтобы на частоте 37 ГГц выполнялись соотношения: =50 Ом , =0. Зависимость и  от частоты приведена на рис.17.

Легко видеть из рис.17, что ожидаемые условия выполнены.

,, Ом

Рис. 17.Зависимость от частоты действительной и мнимой частей входного импеданса усилителя.

(Δ - , □ - )

Амплитудно-частотная характеристика схемы усилителя по схеме рис.16 показана на рис. 18.

, дБ

Рис. 18. АЧХ усилителя с входной и выходной согласующей цепью

Из рис. 18 следует, что коэффициент усиления мощности увеличился на 2 дБ за счет применения входной цепи.

2.3. Цепь смещения

2.3.1. Цепь смещения с отдельным источником.

Для того, чтобы переменный ток не попадал в источник смещения, подаваемого на затвор транзистора, в схеме рис.16 применена блокировочная индуктивность достаточно большой величины (100 нГн). Такая индуктивность нереализуема в монолитной интегральной схеме, поэтому ее целесообразно заменить отрезком линии с распределенными параметрами. Чтобы линия вместе с источником смещения не влияла на протекание переменного тока, ее электрическая длина должна быть равна 90 градусов на частоте 37 ГГц.

Блокировочную линию можно выполнить в виде отрезка микрополосковой линии. Волновое сопротивление линии установим равным 50 Ом. Размеры линии найдем, используя команды Tools, TXLine. Микросхему выполняем на арсениде галлия, относительная диэлектрическая проницаемость которого равна 12,9, а эффективная диэлектрическая проницаемость равна 10. Если высоту подложки принять равной 100 мкм, то длина отрезка линии составит 714,3 мкм, а его ширина 66 мкм.

Схема усилителя с блокировочным отрезком линии показана на рис.19.

Рис.19. Схема усилителя с отрезком микрополосковой линии в цепи смещения транзистора

Для того, чтобы в схеме был определен тип линии, нужно использовать команды:

Elements, Microstrip, Lines, выбрать тип микрополосковой лини MLIN, далее Substrates и выбрать MSUB.

С целью увеличения коэффициента усиления напряжение смещения было установлено равным -1,4 В. Основные характеристики схемы рис.19 показаны на рис. 20 и 21.

, дБ

Рис. 20. АЧХ схемы, изображенной на рис.19.

 N

Рис.21. Зависимость от частоты коэффициента шума усилителя по схеме рис.20

Для расчета коэффициента шума усилителя в рисунок с его схемой нужно поместить зонд NLNOISE, для чего использовать команды MeasDevice, Controls. При расчете вызываем команды NOISE, NF SSB0.

2.3.2. Применение автоматического смещения.

Постоянное напряжение между затвором и стоком  можно создать, включая в цепь истока транзистора активное сопротивление смещения . В этом случае

,

где  - постоянный ток истока. Для расчета , который практически одинаков с постоянным током стока, получим спектр тока стока. Расчет проводим в нелинейном режиме, используя команды Current, Iharm и устанавливая частоту 37 ГГц. Результат показан на рис.22.

 

 

Рис. 22. Спектр тока стока

Сопротивление автосмещения определим по формуле

== 52,2 Ом.

Включим последовательно с истоком транзистора сопротивление  и параллельно ему блокировочную емкость, а источник смещения уберем. В этом случае изменится входное сопротивление усилителя и придется заново проектировать входную цепь. Схема усилителя с автосмещением без входной цепи изображена на рис.23. Сопротивление автосмещения скорректировано для того, чтобы постоянное напряжение затвор-исток осталось равным –1,4 В. Входной импеданс усилителя показан на рис.24.

 Как следует изрис.24, задачей входной согласующей цепи является преобразование входного сопротивления = 8 Ом в сопротивление источника возбуждения = 50 Ом, в то время как мнимая часть входного сопротивления близка к 0.

Рис. 23. Схема усилителя с автосмещением без входной согласующей цепи

,, Ом

Рис.24. Зависимость от частоты входного импеданса схемы рис.23

(Δ - , □ - )

2.3.3.Усилитель с автосмещением и согласующими цепями.

Схемы простейших согласующих цепочек изображены на рис.10. Применим схему рис. 10,б. Для расчета воспользуемся соотношениями

, , ,

где =2πf, а f =37 ГГц. В результате получаем Q = 2,25, C = 0,24 пФ, L = 0,1 нГн.

Схема усилителя с автосмещением, входной и выходной цепями изображена на рис. 25. На входе включена разделительная емкость 2 пФ.

Рис.25. Схема усилителя с согласующими цепями и автосмещением.

3. Основные характеристики спроектированного усилителя

Амплитудно-частотная характеристика усилителя схемы (рис. 25) изображена на рис. 26. Зависимость коэффициента шума от частоты показана на рис. 27, а спектр выходных колебаний при входной частоте 37 ГГц – на рис. 28. Как видно из рисунков, в заданной полосе частот коэффициент усиления мощности превышает 8,3 дБ, коэффициент шума меньше 1,9 дБ, вторая гармоника меньше первой на 36 дБ.

Для проверки правильности расчета входной цепи определены:

- входной импеданс усилителя,

- модуль коэффициента отражения напряжения от входа усилителя в зависимости от частоты входных колебаний - ,

- коэффициент стоячей волны напряжения на входе усилителя.

, дБ

Рис.26. АЧХ усилителя, выполненного по схеме рис.25.

 N, дБ

Рис. 27. Зависимость от частоты коэффициента шума усилителя, выполненного по схеме рис.25.

, дБм

Рис.28. Спектр выходных колебаний усилителя.

 G

Рис. 29. Зависимость от частоты коэффициента отражения от входа усилителя.

,, Ом

Рис. 30. Входной импеданс схемы рис.25.

(Δ - , □ - )

 

Рис. 31. Коэффициент стоячей волны напряжения на входе усилителя

Указанные зависимости приведены на рис. 29, 30, 31. Из рисунков видно, что схема усилителя настроена на частоту 37 ГГц, при этом коэффициент стоячей волны напряжения в заданном диапазоне не превышает 1,26, что соответствует техническому заданию. При расчете использовались команды Linear, VSWR/

Еще одна важная характеристика усилителя – амплитудная , то есть зависимость коэффициента усиления мощности от входной мощности - приведена на рис. 32. Для ее расчета использовался входной порт PS1 с регулируемой величиной входной мощности. Применялись команды Nonlinear, Power, PGain, устанавливалась частота 37 ГГц, а по оси X откладывалась входная мощность с помощью команды Use for x-axis.

, дБ

Рис. 32. Зависимость коэффициента усиления мощности усилителя от входной мощности.

3.1.Зависимости токов и напряжений электродов транзистора от времени.

Включенные в схему усилителя (рис. 25) амперметры и вольтметры дают возможность рассчитать зависимости от времени тока и напряжения затвора, а также тока и напряжения стока: , , , . Для расчета токов используются команды Current, Itime и устанавливается частота 37 ГГц. Для расчета напряжений – команды Voltage, Vtime. Графики указанных зависимостей приведены на рис. 33.

, мА

а)

, В

б)

 , мА

в)

 

 

г)

Рис. 33. Зависимости от времени токов и напряжений транзистора

Из рис. 33 видно, что транзистор усилителя работает в линейном режиме, а из рис.32 следует, что линейный режим сохраняется от самых малых входных мощностей до приблизительно – 10 дБм.

Заключение.

В результате разработана методика проектирования электрических схем малошумящих усилителей с помощью программы MICROWAVE OFFICE, исследована возможность получения минимального коэффициента шума при наибольшем коэффициенте усиления в миллиметровом диапазоне длин волн. В качестве примера спроектирована схема усилителя частоты 37±1 ГГц. Параметры схемы приведены в таблице. Окончательная схема дана в Приложении 2.

Диапазон частот, ГГц

Коэффициент усиления мощности, дБм

Коэффициент шума, дБ

Коэффициент стоячей волны напряжения

Напряжение питания, В

Потребляемый ток, мА

36 -38

> 8,3

< 1,9

< 1,3

3

27

Литература

  1.  Описание программы MICROWAVE OFFICE, раздел Examle.
  2.  С.А.Бахвалова, В.В.Курганов. Исследование СВЧ устроцств с помощбю пакета программ Microwave Office. М. МИЭТ,2008.
  3.  Б.Е.Петров, В.А.Романюк. Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. М. «Высшая школа», 1989.

Приложения

Приложеие 1. Модель транзистора ANGELOV 2

ANGELOV 2

  •  

 

  •  

 

Приложение 2. Электрическая схема усилителя


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

75526. Классификация и краткая характеристика моделей данных 172 KB
  Классификация и краткая характеристика моделей данных Одними из основополагающих в концепции баз данных являются обобщенные категории данные и модель данных. Понятие данные в концепции баз данных это набор конкретных значений параметров характеризующих объект условие ситуацию или любые другие факторы. Примеры данных: Петров Николай Степанович 30 и т. Поэтому центральным понятием в области баз данных является понятие модели.
75527. Последовательность действий при разработке проекта в ИС Project Expert 25 KB
  Последовательность действий при разработке проекта в ИС Project Expert Раздел Проект состоит из шести модулей. В этом диалоге отображается информация введенная присоздании проекта в диалоге Новый проект . Информация введенная в диалоге Список продуктов будет использована программой в модулях раздела Операционный план при планировании стратегии производства и сбыта сформированного перечня продуктов услуг проекта а также в модуле Стартовый баланс раздела Компания при описании активов и пассивов действующего предприятия. Текстовое...
75528. Основные требования к организации и формированию БД 26 KB
  Основные требования к организации и формированию БД База данных БД именованная совокупность данных отражающая состояние объектов и их отношений в рассматриваемой предметной области. К таким требованиям можно отнести...
75529. Хозяйственные операции и их регистрация в системе 1С 21 KB
  Ведение финансово-хозяйственных операций неразрывно связан с регистрацией первичных документов и формированию на их основ бухгалтерских проводок. Документы одного вида группируются в журнал. Кроме обычных журналов объединяющих все документы определенного вида видов существует общий журнал в который попадет все документы. Документ может находиться в двух состояниях не проведен и проведен.
75530. Характеристика и принципы построения сетевых (распределенных) БД 35.5 KB
  Характеристика и принципы построения сетевых распределенных БД Под распределенными базами данных РБД понимаются БД применяемые в вычислительной компьютерной сети. По типологии РБД делятся на: РБД централизованного хранения РБД распределенного хранения. При централизованном хранении вся РБД хранится на одном компьютере сервере а программы с остальных компьютеров клиентов обращаются к нему. Проектирование структуры такой РБД ничем не отличается от проектирования структуры обычных БД.
75531. Основные понятия и принципы инфологического моделирования 39.5 KB
  Основными конструктивными элементами инфологических моделей являются сущности связи между ними и их свойства атрибуты. Необходимо различать такие понятия как тип сущности и экземпляр сущности. Понятие тип сущности относится к набору однородных личностей предметов событий или идей выступающих как целое. Экземпляр сущности относится к конкретной вещи в наборе.
75532. Відвідування театру. Враження від вистави. План-конспект уроку з англійської мови для учнів 9-х класів 55 KB
  Т: The topic of our lesson is Going to the thetre Describing performnce . By the end of the lesson you should be ble: to review nd ctivize the words nd wordcombintions to the topic Going to th thetre nd Describing performnce ; to predict fcts nd events from the newspper rticle by its hedline; to understnd the gist nd detils of the newspper rticle despite the nturl difficulties; to express your opinions bout performnce. I went to the thetre lst Sundy. Do you often go to the thetre Why Cn you sy wht the thetre is Where re the best sets in...
75533. Великий Кобзар, Тарас Шевченко, відомий у всьому світі 66.5 KB
  Т: Wht is this rticle bout Look t the newspper hedline of ex. Predict wht is this rticle bout 2 WhileReding ctivities. Wht kind of the text is it Wht kind of newspper is it tken from Wht is this rticle bout б Scnning. Where do monuments to gret poets of the world literture Ukrinin Trs Shevchenko Russin lexnder Pushkin Byelorussin Ynk Kupl nd mericn Wlt Whitmn stnd nerby on one lwn In wht town is rrow Prk situted Wht poem by Trs Shevchenko resounded in the prk on tht dy Who lid flowers t the monuments to the luminries of...
75534. Кіно в Україні 58 KB
  Т: The topic of our lesson is Cinem in Ukrine Describing film . By the end of the lesson you should be ble: to review the words nd wordcombintions to the topic Going to the cinem Describing film ; to understnd the gist nd detils of the text for reding; to express your opinion bout film you hve recently seen. Т: Red the quottion bout films find Ukrinin equivlent. Повторення ЛО теми Going to the cinem Describing film .