78371

Кинетика хемостимулированного окисления полупроводников (на примерах кремния и соединений AIIIBV)

Лекция

Химия и фармакология

Целью данной работы являлось установление механизма хемостимулирующего действия ванадия и его оксида на оксидирование GaAs и InP.

Русский

2017-10-11

29 KB

3 чел.

Кинетика хемостимулированного окисления полупроводников (на примерах кремния и соединений AIIIBV)

При собственном оксидировании полупроводников AIIIBV стадии окисления компонентов A и B сопряжены через так называемый «отрицательный реакционный канал». В случае InP в результате оксидирования образуются оксиды индия и фосфора. Помимо этого протекает взаимодействие между оксидом индия и диффундирующим фосфором, в результате чего выделяется индий в свободном состоянии, что ведет к металлизации растущих слоёв на поверхности фосфида индия и испарению оксида фосфора. Для арсенида галлия при оксидировании наблюдается взаимодействие первоначально образующегося оксида мышьяка с галлием, приводящее к накоплению мышьяка на внутренней границе раздела (ГР), что негативно отражается на качестве формируемой гетероструктуры.

C целью увеличения эффективности окисления компонентов полупроводников и улучшения качества оксидных пленок используют хемостимулированное оксидирование AIIIBV . Сущность его заключается во введении в систему веществ-хемостимуляторов, которые, изменяя механизм оксидирования за счет кинетического обхода отрицательного реакционного канала, ускоряют рост пленок на поверхности полупроводника и могут улучшать их характеристики. В качестве хемостимуляторов способны выступать оксиды, сульфиды, хлориды, оксохлориды и некоторые другие соединения. При оксидировании полупроводниковых соединений с летучим компонентом, каковыми и являются AIIIBV , наибольшая эффективность может быть достигнута созданием ограниченного источника хемостимулятора в виде нанесенного слоя. Взаимодействие хемостимулятора с полупроводником может протекать по транзитному и каталитическому механизмам . Транзитное взаимодействие заключается в ускоренной передаче кислорода хемостимулятором или его превращёнными формами компонентам подложки без значимого повторного оксидирования действующего элемента-хемостимулятора, а каталитическое – предусматривает быструю регенерацию высокой степени окисления активного элемента хемостимулятора. В первом случае эффективная энер-гия активации (ЭЭА) процесса может быть как ниже, так и выше по сравнению с таковой для собственного окисления, во втором, при реализации синхронного механизма процесса – заметно ниже. Для осуществления каталитического механизма необходимы наличие у действующего элемента хемостимулятора нескольких стабильных степеней окисления и способность этого элемента переходить из одной степени окисления в другую с достаточ- ной лёгкостью. Каталитическая активность хемостимулятора может сильно зависеть от его кислотно-основной природы, что связано с потенциальной возможностью его связывания в неактивные формы (например, в фосфаты) в течение всего процесса оксидирования. Для выявления закономерностей начального этапа каталитического оксидирования AIIIBV возникает необходимость перехода от сплошных тонкоплёночных структур к от- дельным наноразмерным островкам хемостимулятора на поверхности полупроводника, служащих активными центрами оксидирования подложки. Целью данной работы являлось установление механизма хемостимулирующего действия ванадия и его оксида на оксидирование GaAs и InP.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

2684. Расчет среднегодовых технико-экономических производственно-отопительной котельной 142.28 KB
  В связи с ростом промышленного производства и развитием социальной структуры населенных пунктов, ежегодно возрастает потребность тепловой энергии на технологические нужды, отопление и вентиляцию. Темой курсовой работы является проект котель...
2685. Проектирование металлорежущих инструментов 423.52 KB
  Проектирование круглого фасонного резца. Назначение фасонных резцов. Анализ исходных данных. Выбор инструментального материала. Выбор формы передней и задней поверхности резца и его геометрических параметров в базовой точке...
2686. Волны в упругих средах 957.5 KB
  Волны в упругих средах  Волновые процессы Предположим, что точка, совершающая колебание находится в среде, все частицы которой связаны между собой. Тогда энергия ее колебания может передаваться окружаю - щим точкам, вызывая их колебание. Явлени...
2687. Электроизмерительные приборы 217 KB
  Цель работы: Изучить физические принципы действия и основные характеристики электроизмерительных приборов. На основе электромеханического стрелочного прибора М-93 собрать и исследовать миллиамперметр постоянного тока и вольтметры для измерения...
2688. Коллекторские свойства горных пород 2.73 MB
  коллекторские Свойства горных пород Типы пород–коллекторов Коллектором называется горная порода (пласт, массив), обладающая способностью к аккумуляции и фильтрации воды, нефти и газа. Под горной породой понимается естественный твердый минера...
2689. Разработка годовой производственной программы строительной организации 89.89 KB
  Курсовой проект по дисциплине Экономика предприятия включает в себя разработку годовой производственной программы строительной организации, формирование и распределение прибыли, составление календарного плана строительства, расчёт налогов...
2690. 20-ти річчя Незалежності України 7.34 MB
  Відкрита виховна година на тему: 20-ти річчя Незалежності України 24 серпня 2011 року український народ відзначив 20 - річчя Незалежності. Протягом початку  XX  століття незалежність проголошувалась п’ять разів, і ті...
2691. Український ярмарок 33.5 KB
  Український ярмарок Мета: Виявити та узагальнити ознаки осені в природі, сприяти розвиткові творчих здібностей учнів; виховувати любов і повагу до природи. Формувати уміння розкрити красу пори року. Виховувати любов до рідної природи, бажання оберіг...
2692. Що таке щастя 53.5 KB
  Тема: Що таке щастя? Мета: спонукати учнів на самовиховання, сформувати негативне ставлення до примітивного розуміння щастя, заснованого на матеріальних цінностях, виховувати в учнів високі моральні якості. Форма роботи: дискусія Обладнання: чисті а...