80266

ПІДГОТОВКА ПІД-ПРИЛАДУ МОДЕЛЮВАННЯ ЗМІНИ ТЕМПЕРАТУРИ - SIMULATED TEMPERATURE

Лекция

Информатика, кибернетика и программирование

Підготовка під приладу Моделювання зміни температури Simulted Temperture. Віртуальний прилад що моделює зміну температури: а контрольна панель; б блоксхема приладу. Vi для моделювання зміни температури починається з контрольної панелі на яку слід вивести девять задавачів зміни температури обєднавши їх у одномірний масив рисунок 7.

Украинкский

2015-02-16

681.5 KB

0 чел.

Лекція № 7_5к_10с_2011 (продовження теми Дослідження температури)

ПІДГОТОВКА ПІД-ПРИЛАДУ МОДЕЛЮВАННЯ ЗМІНИ ТЕМПЕРАТУРИ - SIMULATED TEMPERATURE. VI

7.1. Підготовка під приладу Моделювання зміни температури - Simulated Temperature. Vi

При контролі за температурою, яка може змінюватися призначений віртуальний прилад Simulated Temperature. Vi , рисунок 7.1.

а) 

б)

Рисунок 7.1.- Віртуальний прилад, що моделює зміну температури: а) контрольна панель; б) блок-схема приладу.

Підготовка під приладу Simulated Temperature. Vi для моделювання зміни температури починається з контрольної панелі на яку слід вивести дев’ять задавачів зміни температури об’єднавши їх у одномірний масив, рисунок 7.1. Підписати назву масив, наприклад «Зміна температури, Т, К.- Simulated Temperature». Автоматично ці задавачі виникнуть на функціональній панелі.

Використавши функцію масиву для моделювання зміни температури можливо створити віртуальний прилад, який вимірює температуру через кожні 0,25 с на протязі 10 с, рисунок 7.2. Під час отримання даних ВП демонструє результати вимірювань у реальному часі на осцилограмі. Після завершення збирання даних ВП креслить дані на графіку і обчислює мінімальне, максимальне і середнє значення температури.

а)                                                              б)

Рисунок 7.2 - Віртуальний прилад, який вимірює температуру через кожні 0,25 с на протязі 10 с: а) контрольна панель; б) блок-діаграма приладу

7.2. Збирання віртуального приладу вимірювання температури

7.2.1. Константа переліку – Enum(erate) Constant

Для створення списку значень температури, що змінюється та вимірювання її у різних системах одиниць, наприклад Цельсія і Фаренгейта використана постійна Константа переліку - Enum(erated) Constant. Вона діє майже так само, як ring constant. Але користувач має змогу передавати необхідну послідовність значень вимірюваного параметра починаючи з будь якого необхідного значення. Кількісне значення завжди інтегральне починаючи з 0 до n-1 де n – число значень параметра у вказаній константі. На відміну від постійної кільця - ring constant В отличие от постоянного кольца, позначки, що зв’язані зі значенням цілого числа, є частиною типу даних. Якщо передавати значення з enumerated constant до приймача (an indicator), LabVIEW показує позначку послідовності замість числових значень. Enumerated constant є видимою тільки з блок діаграми і не може бути видимою з передньої панелі. Користувач також не має можливості змінювати значення при запущеній на виконання програми. Вибір значення параметра повинна встановлюватися перед запуском. Використовуйте an enumerated type control для обрання необхідного значення з передньої панелі під час виконання програми. По замовчуванню чисельне представлення константи - 16-бітове ціле число без знаку. Ви можете змінити представлення константи до будь якого типу даних цілого числа без знаку за винятком 64-бітового типу даних цілого числа без знаку. 

Для виведення Константи переліку – Enum(erate) Constant на функціональну панель слід натиснути ЛКМ на вільне місце панелі. Виникає спадаюче меню Functions, в якому обирають рядок Programming. Відкривається спадаюче меню Programing. У останньому обирають піктограму Array (1,2). Виникає меню Array, в якому обирають піктограму Array constant (5,1) і не відпускаючи ЛКМ перетягують піктограму Array constant на функціональну панель. Цифри у дужках тут і надалі позначають: перша цифра – номер рядка, друга – номер колонки у матриці, тобто позицію конкретної піктограми у матриці). Піктограма Array constant буде мати вигляд прямокутника чорного кольору. Зліва зверху присутня чорна позначка зі скролінгом для визначення розмірності масиву.

Знову натиснути ЛКМ на вільному місці функціональної панелі. Виникає спадаюче меню Functions, в якому обирають рядок Programming. Відкривається спадаюче меню Programing. У останньому обирають піктограму Numeric (2,1). Відкривається меню Numeric, в якому слід обрати піктограму Numeric constant (5,1). Не відпускаючи ЛКМ перетягнути Numeric constant на функціональну панель. Константа буде мати вигляд синього прямокутника з нулем всередині, що відповідає типу І32 – числовий 32-бітовий зі знаком. (long – розмір 4 байти). По замовчуванню 0.

7.2.2. Зміна типу чисел масиву

Для зміни типу чисел масиву необхідно навести курсор мишки на константу Numeric constant і натиснути ПКМ. Відкривається меню. В цьому меню слід обрати рядок Представлення типу чисел – Representation і натиснути ЛКМ. Відкривається спадаюче меню зміни типу чисел. В останньому меню слід обрати піктограму DBL для чисел з плаваючою комою з подвійною точністю (double precision – розмір 8 байтів). По замовчанню - 0,0. Після чого Numeric constant з типу І32 синього кольору змінить тип на DBL помаранчевого кольору.

Після зміни типу чисел розміщуємо Numeric constant всередину коробки масиву чисел і розтягуємо донизу на дев’ять позицій для дев’яти значень зміни температури. Коробка чисел масиву змінює колір з чорного на помаранчевий.

7.2.3. Визначення температури у різних системах за Цельсієм або Фаренгейтом

Для визначення температури у різних системах за Цельсієм або Фаренгейтом використано віртуальний прилад, контрольна панель якого показана на рисунку 7.1 б, а функціональна панелі представлені на рисунку 7.4.(5.6).

Функціональна панель приладу визначення температури у різних системах за Цельсієм або Фаренгейтом на рисунку 7.4(5.6) представлена у двох станах. Це обумовлено тим, що віртуальний прилад зібраний з використанням функції Касетної структури - Case structure, яка надає можливість представляти декілька станів приладу. У даному випадку: “FaranheitDefault та “Celsius” . Причому у стані Фаренгейт, який прийнято по замовчуванню, прилад вимірює температуру за Фаренгейтом [1].

Рисунок 7.4. – Функціональна панель приладу визначення температури за Цельсієм або Фаренгейтом

Фаренгейта шкала температур. Температурний проміжок між точками танення льоду к кипіння води ( при нормальному атмосферному тиску) розділений на 180 частин – градусів Фаренгейта (0F), до того ж точці танення льоду надано значення 320F, а точці кипіння води 2120F. Ця шкала запропонована у 1724 році німецьким фізиком Д.Г.Фаренгейтом (1686-1736). Використовується у США.

Перехід температури за шкалою Фаренгейта (tф) до температури за Цельсієм (t) виконують за формулою: .

7.2.4. Вихідний приймач значень температури

Після виведення задавачів слід вивести на контрольну панель приймач і назвати його «Поточна температура» або «Термометр».

Вигляд цього елементу на контрольній а) і функціональній б) панелях має вигляд, який показано на Рисунку 7.5)

                а)                                                                  б)

Рисунок 7.5 – Вигляд елементу Цифровий приймач - Digital Indicator: а) на контрольній б) на функціональній панелях.

Для закінчення збирання віртуального приладу Simulated Temperature. Vi , рисунок 7.1 необхідне використання наступних функцій:

Radio Button – для переключення шкали температур з шкали Цельсія на шкалу Фаренгейта. На рисунку7.6 показано замикання контактних груп при натисканні верхньої та нижньої кнопок.

Коли кнопку натиснуто

Коли нижню кнопку натиснуто

Рисунок 7.6 - Замикання контактних груп при натисканні верхньої та нижньої кнопок.

ЛІТЕРАТУРА

1 Большая советская енциклопедія Т3 стр.

1 Енохович А.С. Краткий справочник по физике [Текст]/А.С.Енохович. М.: Высш. Школа, 1976. – 288 с.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

29768. Поликристаллический кремний. Применение, свойства, получение 26.53 KB
  Применение поликристаллического кремния Поликристаллический кремний весьма распространённый материал в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Возможность получения поликристаллического кремния с электрическим сопротивлением отличающимся на несколько порядков а также простота технологии привели к тому что он используется в технологии интегральных схем с одной стороны в качестве высокоомного материала затворов нагрузочных резисторов а с другой в качестве низкоомного материала межсоединений. Достоинства разводки на основе...
29770. Полупроводниковые соединения типа 29.44 KB
  Лазеры на основе соединений типа используются в телекоммуникационных устройствах волоконнооптических линий связи принтерах устройствах записи и считывания CD и DVD дисках. Свойства соединений типа Соединения типа образуются в результате взаимодействия элементов 3ей А подгруппы периодической системы с элементами 5ой В подгруппы за исключением висмута и таллия. Соединения типа классифицируются по элементу пятой группы т.
29771. Полупроводниковые соединения типа. Свойства соединений типа 23.32 KB
  Применение соединений типа Наиболее широкое применение соединения находят в качестве люминофоров и материалов для фоторезистов. Изготовление фоторезистов на основе соединений типа связано прежде всего с использованием сульфида кадмия селенида кадмия твёрдые растворы на основе . На основе полупроводников типа изготавливают датчики различного диапазона излучения.
29772. Диэлектрические материалы 37.85 KB
  Пассивные это электроизоляторные и конденсаторные материалы. Пассивные неорганические диэлектрики применяемые в электронной технике можно разделить на стекловидные диэлектрики керамику монокристаллические диэлектрические материалы органические и композиционные материалы. Активные диэлектрики это материалы свойствами которых можно управлять в широких пределах с помощью внешних воздействий.
29773. Классификация и особенности материалов электронной техники. Структура материалов. Обозначение кристаллографических плоскостей и направлений кристалла 25.27 KB
  Структура материалов. Классификация и особенности материалов электронной техники. Электрофизические свойства являются одним из основных свойств материалов определяют их применение в электронной технике.
29774. Способы представления сложных структур. Типичные кристаллические структуры материалов, применяемых в электронной технике 87.11 KB
  Структура типа алмаз. Элементарные полупроводники кремний и германий кристаллизуются в структуру типа алмаз. В структуре типа алмаз атомы образуют плотнейшую ГЦК решётку в которой половина 4 из 8ми тетраэдрических пустот заняты атомами того же сорта. Структура типа алмаз может быть представлена как две взаимно проникающие подрешётки типа ГЦК которые смещены относительно друг друга по пространственным диагоналям на её длины.
29775. Дефекты в кристаллах. Классификация дефектов. Точечные, линейные и поверхностные дефекты 30.5 KB
  Линейные дефекты К линейным дефектам кристаллической решётки относятся дислокации. Различают краевые и винтовые дислокации. Линия дислокации в этом случае это граница экстраплоскости. Винтовую дислокацию в кристалле можно определить как сдвиг одной части кристалла относительно другой но в отличие от краевой дислокации линия винтовой дислокации параллельна вектору сдвига.
29776. Цепь посылки вызова от ТА-57 на станцию ЦБ по структурной схеме 210.5 KB
  Кроме того оборудование комплекса позволяет образовать типовые каналы ТЧ 03 34 кГц каналы служебной связи 16; 192; 2275 кбит с прозрачные телеграфные каналы до 200 бод а также синхронные контрольные каналы 2037 и 4074 бит с. Кроме указанных выше цифровых каналов на каждой ступени образуются следующие дополнительные каналы: прозрачные телеграфные каналы ПТК; служебные телеграфные каналы СТК; синхронные контрольные каналы СКК; синхронные каналы служебной связи СКСС. Телеграфные каналы образуемые комплексом...