83872

Хирургическое лечение пупочной грыжи, грыжи белой линии, послеоперационной вентральной грыжи

Доклад

Медицина и ветеринария

Способ Лексера Применяется чаще у детей при небольших пупочных грыжах: полулунный разрез кожи окаймляющий грыжевое выпячивание снизу; выделение грыжевого мешка вскрытие и вправление содержимого если дно грыжевого мешка интимно спаяно с пупком то выделяют шейку грыжевого мешка вскрывают ее и грыжевое содержимое вправляют в брюшную полость; прошивание шейки мешка нитью перевязка и отсечение мешка: закрытие грыжевых ворот под контролем указательного пальца введенного в пупочное кольцо на апоневроз вокруг кольца накладывают...

Русский

2015-03-16

49.13 KB

0 чел.

Хирургическое лечение пупочной грыжи, грыжи белой линии, послеоперационной вентральной грыжи.

 Способ Лексера

Применяется чаще у детей при небольших пупочных грыжах:

  1.  полулунный разрез кожи, окаймляющий грыжевое выпячивание снизу;
  2.  выделение грыжевого мешка, вскрытие и вправление содержимого (если дно грыжевого мешка интимно спаяно с пупком, то выделяют шейку грыжевого мешка, вскрывают ее и грыжевое содержимое вправляют в брюшную полость);
  3.  прошивание шейки мешка нитью, перевязка и отсечение мешка:
  4.  закрытие грыжевых ворот (под контролем указательного пальца, введенного в пупочное кольцо, на апоневроз вокруг кольца накладывают капроновый кисетный шов. который затем затягивают и завязывают): наложение поверх кисетного шва 3-4 узловых швов на передние стенки влагалищ прямых мышц живота

 Способ Сапежко

Применяется при пупочных грыжах и грыжах белой линии живота:

  1.  разрез кожи по срединной линии живота;
  2.  отсепаровка кожных лоскутов вправо и влево до появления грыжевых ворот:
  3.  выделение грыжевого мешка;
  4.  рассечение грыжевых ворот по зонду вверх и вниз по белой линии живота;
  5.  обработка и удаление грыжевого мешка:
  6.  подшивание правого края апоневроза к левому с внутренней стороны;
  7.  фиксация свободного левого края апоневроза к передней стенке влагалища прямой мышцы живота (этим достигается апоневротическое удвоение брюшной стенки в продольном направлении).

Способ Мейо

  1.  овальный разрез кожи и подкожной клетчатки:
  2.  отсепаровка кожи с пупком;
  3.  обнажение грыжевых ворот и их рассечение по зонду в поперечном направлении;
  4.  обработка и удаление грыжевого мешка вместе с кожным лоскутом;
  5.  подтягивание нижнего края апоневроза под верхний П- образными швами: одшивание верхнего лоскута к нижнему узловыми капроновыми швами (формируется дубликатура апоневрозов в поперечном направлении).

 

Для лечения послеоперационной вентральной грыжи маленьких размеров применимы традиционные методы, но основным и радикальным методом лечения вентральных грыж любого размера в сети наших клиник является оперативное вмешательство. В последние годы врачи-хирурги для иссечения и устранения дефектов грыж пользуются так называемыми «сетчатыми протезами» брюшной стенки. Этот протез представляет собой проленовую сетку. Пластика проленовой сеткой проводится после удаления грыжи, с помощью этой сетки укрепляются ворота грыжи.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

74224. Электронная эмиссия. Катоды 172.5 KB
  Катоды Электронная эмиссия – процесс испускания электронов каким либо телом. Распределение электронов по энергиям в металле подчиняется статистике Ферми Дирака. Согласно последней число электронов имеющих энергию в интервале от W до WdW будет...
74225. ЭЛЕКТРОННО-ИОННАЯ ПЛАЗМА 84.5 KB
  Развитие физики плазмы диктуется чисто практическими целями: новые источники энергии управляемый термоядерный синтез преобразователи непосредственно тепловой энергии в электрическую МГД – генераторы и т. Если возникает неравенство зарядов возникает поляризация плазмы следовательно возникает электрическое поле. Аналогично в течении малых промежутков времени возможно разделение зарядов – поляризация плазмы но масштаб этой поляризации обратно пропорционален времени существования.
74226. Приборы тлеющего разряда 397 KB
  Приборы дугового разряда с накаленным и холодным катодом. Использование газового разряда в приборах квантовой электроники. Особенности приборов тлеющего разряда Простейшие приборы – двухэлектродные.
74227. Светодиоды. Структуры. Материалы 571 KB
  Для генерации полезного излучения такой носитель практически потерян. С увеличением температуры наблюдается уменьшение ширины запрещенной зоны и как следствие увеличение длины волны излучения. При любом механизме рекомбинации длина волны излучения определяется соотношением...
74228. Свойства полупроводников 583 KB
  Дискретные моноэнергетические уровни атомов составляющие твердое тело расщепляются в энергетические зоны. Наибольшее значение для электронных свойств твердых тел имеют верхняя и следующая за ней разрешенные зоны энергий. И наконец если ширина запрещенной зоны Eg лежит в диапазоне...
74229. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике 753.5 KB
  Напомним что значком ni принято обозначать концентрацию собственных носителей заряда в зоне проводимости и в валентной зоне. концентрация собственных носителей определяется в основном температурой и шириной запрещенной зоны полупроводника...
74230. Р-п переход. Образование и зонная диаграмма р-n перехода 1.57 MB
  Образование и зонная диаграмма рn перехода Электронно-дырочным или pn переходом называют контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости электронным и дырочным. Классическим примером pn перехода являются: nSi – pSi nGe – pGe.8 приведены зонные диаграммы иллюстрирующие этапы формирования электронно-дырочного перехода...
74231. Контакт металл – полупроводник. Барьер Шоттки 1.2 MB
  В зависимости от этих соотношений в области контакта могут реализоваться три состояния. Второе состояние соответствует условию обогащения приповерхностной области полупроводника дырками в pтипе и электронами в nтипе в этом случае реализуется омический контакт. И наконец в третьем состоянии приповерхностная область полупроводника обеднена основными носителями в этом случае в области контакта со стороны полупроводника формируется область пространственного заряда ионизованных доноров или акцепторов и реализуется блокирующий контакт или...
74232. Полупроводниковые диоды. Характеристики идеального диода на основе pn перехода 1.29 MB
  В зависимости от внутренней структуры типа количества и уровня легирования внутренних элементов диода и вольтамперной характеристики свойства полупроводниковых диодов бывают различными. Характеристики идеального диода на основе pn перехода Основу выпрямительного диода составляет обычный электроннодырочный переход. Как было показано в главе 2 вольтамперная характеристика такого диода имеет ярко выраженную нелинейность приведенную на рисунке 4. В прямом смещении ток диода инжекционный большой по величине и представляет собой...