83900

Хирургическое лечение рака толстой кишки

Доклад

Медицина и ветеринария

Радикальное иссечение опухоли тослтой кишки вместе с соответствующей частью брыжейки с сосудами и сопровождающими лимфатическими сосудами и узлами является наиболее подходящей операцией для локального устранения опухоли. Виды резекции толстой кишки в зависимости от локализации патологического процесса: Правосторонняя гемиколэктомия удаление всей правой половины толстой кишки захватывая 1015 см конечного отрезка подвздошной кишки слепую восходящую ободочную правый изгиб и правую треть поперечной ободочной кишки с последующим наложением...

Русский

2015-03-16

49.17 KB

0 чел.

Хирургическое лечение рака толстой кишки.

Радикальное иссечение опухоли тослтой кишки вместе с соответствующей частью брыжейки с сосудами и сопровождающими лимфатическими сосудами и узлами является наиболее подходящей операцией для локального устранения опухоли.

Виды резекции толстой кишки в зависимости от локализации патологического процесса:

  1.  Правосторонняя гемиколэктомия - удаление всей правой половины толстой кишки, захватывая 10-15 см конечного отрезка подвздошной кишки, слепую, восходящую ободочную, правый изгиб и правую треть поперечной ободочной кишки, с последующим наложением илеотрансверзоа- настомоза конец в бок или бок в бок.

Показания: локализация злокачественной опухоли в правой половине толстой кишки (в слепой, восходящей ободочной кишке или в правом изгибе ободочной кишки), при сквозных ранениях восходящей ободочной кишки.

  1.  Резекция поперечной ободочной кишки - удаление участка поперечной ободочной кишки с последующим наложением трансверзотрансверзоанастомоза конец в конец.

Показания: локализация опухоли либо ранений на подвижной части поперечной ободочной кишки.

  1.  Левосторонняя гемиколэктомия - удаление левой трети поперечной ободочной кишки, левого изгиба, нисходящей ободочной и сигмовидной кишок до средней трети с последующим наложением трансверзосигмоанастомоза конец в конец.

Показания: локализация опухоли или сквозных ранений в селезеночном изгибе и нисходящей части ободочной кишки, осложненный неспецифический язвенный колит.

  1.  Резекция сигмовидной ободочной кишки - удаление участка сигмовидной ободочной кишки е последующим наложением деецендоректального анастомоза конец в конец.

Показания: опухоли, обширные ранения сигмовидной кишки, мегасигма с рецедивами заворота.

  1.  Краевая резекция восходящей (нисходящей) ободочной кишки с анастомозом в три четверти - клиновидное иссечение поврежденного участка передней стенки толстой кишки в пределах здоровых тканей под углом 45° (удаление ¼ части) с последующим сшиванием оставшейся 3/4 части трехрядным швом.

Показания: значительное повреждение только передней, покрытой брюшиной стенки восходящей или нисходящей ободочной кишок.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

74217. Жүккөтеру машиналарының жіктелуі. Әр типті крандардың қызмет көрсету аймағы. Негізгі параметрлері мен индексация жүйесі 4.35 MB
  Бас параметрі – жүккөтергіштігі. Сондай-ақ жүккөтергіш машиналар жұмыс жасау аймағымен, асымен, қуатымен, тірек күштерімен, жүк моментімен сипатталады.
74218. Биполярные транзисторы. Типы, структура, режимы. Модель Эберса - Молла 2.11 MB
  Условные обозначения обоих типов транзисторов рабочие полярности напряжений и направления токов показаны на рисунке. Режим отсечки оба pn перехода закрыты при этом через транзистор обычно идет сравнительно небольшой ток. По характеру движения носителей тока в базе различают диффузионные и дрейфовые биполярные транзисторы.
74219. Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой 2.3 MB
  Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой Основными величинами характеризующими параметры биполярного транзистора являются коэффициент передачи тока эмиттера α сопротивление эмиттерного rэ и коллекторного rк переходов а также коэффициент обратной связи эмиттер коллектор μэк. Из полученного соотношения следует что для эффективной работы биполярного транзистора pnp типа ток эмиттера Jэ должен быть в основном дырочным Jэp. По этой причине эмиттер биполярного транзистора должен быть легирован...
74220. Тиристоры. Феноменологическое описание ВАХ динистора 1.78 MB
  Тиристор – это полупроводниковый прибор с тремя и более рn переходами, вольтамперная характеристика которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением и который используется для переключения.
74221. Полевые транзисторы Приборы с зарядовой связью (ПЗС) 356.5 KB
  При этом уменьшается поперечное сечение канала а следовательно увеличивается его сопротивление. Приложенное напряжение истоксток VDS вызовет ток в цепи канала полевого транзистора. Здесь как и ранее ось у направим вдоль канала ось х по ширине канала ось z по глубине канала. Обозначим длину ширину и высоту канала при отсутствии напряжения на транзисторе...
74222. Фотоприемники. Оптроны 681 KB
  Оптроны В качестве фотоприемников могут использоваться различные вакуумные газоразрядные и полупроводниковые фотоэлектрические приборы у которых выходным параметром является изменяющийся во времени импеданс ZФD. Различают оптроны с внешней оптической и внутренней электрической связью с внешней электрической и внутренней оптической связью. Такие оптроны могут использоваться для преобразования электрических сигналов: усиления генерирования переключения формирования и т. В электронных схемах регенеративные оптроны могут выполнять функции...
74223. ПЛАНЕТА ЗЕМЛЯ: НЕТРАДИЦИОННАЯ МЕЖДУНАРОДНАЯ КООПЕРАЦИЯ И ЗАХОРОНЕНИЕ ЯДЕРНЫХ ОТХОДОВ Е.В. Комлева 278 KB
  Рассмотрены некоторые антропосоциальные аспекты феномена ядерной энергии, идея долговременной подземной изоляции ядерных материалов международными усилиями. Представлены российские версии. Отмечена необходимость разработки адекватных юридических, финансовых и экономических механизмов, социокультурных оснований и критериев реализации идеи
74224. Электронная эмиссия. Катоды 172.5 KB
  Катоды Электронная эмиссия процесс испускания электронов каким либо телом. Распределение электронов по энергиям в металле подчиняется статистике Ферми Дирака. Согласно последней число электронов имеющих энергию в интервале от W до WdW будет...
74225. ЭЛЕКТРОННО-ИОННАЯ ПЛАЗМА 84.5 KB
  Развитие физики плазмы диктуется чисто практическими целями: новые источники энергии управляемый термоядерный синтез преобразователи непосредственно тепловой энергии в электрическую МГД генераторы и т. Если возникает неравенство зарядов возникает поляризация плазмы следовательно возникает электрическое поле. Аналогично в течении малых промежутков времени возможно разделение зарядов поляризация плазмы но масштаб этой поляризации обратно пропорционален времени существования.