84500

Електроліти плазми крові. Осмотичний тиск крові і його регуляція

Доклад

Биология и генетика

Осмотичний тиск Росм. Загальний осмотичний тиск плазми крові пов’язаний в основному з розчиненими в ній йонами 80 Росм. Певну роль в утворені Росм. Осмотичний тиск є силою що змушує розчинник рухатись через напівпроникну мембрану з розчину де концентрація осмотично активних речовин Росм.

Украинкский

2015-03-19

44.63 KB

1 чел.

Електроліти плазми крові. Осмотичний тиск крові і його регуляція.

Вміст йонів в плазмі крові складає близько 310 ммоль/л; на долю катіонів та аніонів припадає по 155 ммоль/л. З катіонів плазми найбільш важливими є йони Na+ (142 ммоль/л) та К+ (5 ммоль/л). З аніонів – йони хлора (Сlˉ – 103 ммоль/л) та бікарбонати (НСО3ˉ - 27 ммоль/л). Хлорид натрію складає 80% від загального вмісту йонів плазми крові; йони натрію, калію, хлора та бікарбоната складають 90% від загального вмісту йонів плазми. Ізойонія необхідна для нормального функціонування всіх клітин, а особливо збудливих, так як від величини градієнта концентрації залежить величина ПС клітинної мембрани  здатність до генерації ПД. В забезпеченні ізойонії велику роль відіграють гормони (гормон кіркової речовини наднирників альдостерон, стимулює реабсорбцію йонів Na+ та секрецію йонів К+ канальцями нирок, гормони тиреокальцитонін та паратгормон забезпечують гомеостаз йонів К+).

Осмотичний тиск (Росм.) плазми крові складає біля 7,6 атм (біля 5500 мм рт. ст.). Осмотичний тиск – тиск розчинника на напівпроникну мембрану, якщо вона розділяє розчини з різною концентрацією осмотично активних речовин. Загальний осмотичний тиск плазми крові пов’язаний, в основному, з розчиненими в ній йонами (80% Росм. створюється йонами Na+ та Сlˉ, ще 10% – йонами К+ та НСО3ˉ). Певну роль в утворені Росм. крові відіграють й інші осмотично активні речовини – глюкоза, моноцукриди, амінокислоти і т.д.

Напівпроникна мембрана пропускає молекули розчинника та не пропускає осмотично осмотично активні речовини. Осмотичний тиск є силою, що змушує розчинник рухатись через напівпроникну мембрану з розчину, де концентрація осмотично активних речовин (Росм.) нижча, в розчин, де концентрація осмотично активних речовин вища.

По відношенню до загального осмотичного тиску крові, напівпроникною є зовнішня клітинна мембрана, бо вона вільно пропускає молекули води, але не пропускає йони та інші речовини, що створюють осмотичний тиск. Саме тому, загальний осмотичний тиск впливає на обмін води між внутрішньоклітинним та інтерстиційним (позаклітинним) середовищем.

Підвищення Росм. наприклад, до 8,5 атм. може бути наслідком:

- втрати води організмом без втрати еквівалентної кількості солей;

- введення в організм надлишку солей, наприклад при вживанні дуже солоної їжі.

Підвищення Росм. позаклітинної рідини (інтерстиційної рідини та плазми крові) призводить до виходу води з усіх клітин організму  їх зморщування (порушення структури)  порушення функції клітин. Найбільш чутливими до таких змін є клітини ЦНС, а особливо – клітини головного мозку.

При пониженні Росм., що може спричинити надходженням надлишку води, або втрата солей організмом, проходять протилежні зміни: за градієнтом осмотичного тиску вода рухається в клітини  клітини набухають  порушується їх структура та функції. Але і в даному випадку найбільше страждають клітини КГМ.

В підтриманні постійності Росм. найбільшу роль відіграють нирки, які при збільшенні Росм. здійснюють:

- затримку води в організмі (при цьому посилюється виділення гормона вазопресина, який посилює проникність дистальних канальців нефрона та збиральних трубочок для води  її посилена реабсорбція  врівноваження Росм.

- виводять із організму надлишок солей, а особливо хлорид натрію (при цьому пригнічується секреція гормона альдостерона, який посилює реабсорбцію йонів натрію і секрецію йонів калію  посилення виведення йонів натрію, а разом з ним і йонів хлору з організму.

При підвищенні Росм. затримка води та виведення солей нирками сприяють нормалізації цього показника. Окрім того, у людини виникає мотивація спраги  пошук та вживання води  нормалізація Росм.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

36897. Адміністрування локальної мережі з використанням FRIENDLY PINGER 1.75 MB
  ІНСТРУКЦІЯ до проведення лабораторної роботи №19 Адміністрування локальної мережі з використанням FRIENDLY PINGER Предмет: Комп’ютерна практика Автор і дата затвердження програми: Новиченко В. Київ Лабораторна робота № 19 Адміністрування локальної мережі з використанням FRIENDLY PINGER 1 Мета роботи Ознайомитись з можливостями програми FRIENDLY PINGER призначеної для адміністрування моніторингу й інвентаризації комп'ютерних мереж. Побудувати топологію локальної мережі згідно з варіантом завдання 2. Сучасні комп’ютерні мережі.
36898. Исследование характеристик усталостной прочности конструкционных материалов при циклических испытаниях 730.5 KB
  Цель работы: Ознакомиться с проблемой усталости авиационных конструкций; параметрами характеризующими цикл нагружения; существующими разновидностями цикла напряжения; характеристиками сопротивления усталости при регулярном напряжении; кривой усталости. ВОПРОСЫ Перечислить основные этапы в гражданской авиации которые связаны с проблемой усталости конструкции самолета. Чем они характеризуются Дать определение...
36899. Ознакомление с работой на учебной микро-ЭВМ 171.73 KB
  Задание 1 Краткое назначение блоков структурной схемы микроЭВМ БП – блок микропроцессора и схем обрамления обеспечивающих его работу формирующий МД МА и сигналы управления микроЭВМ. БУ – блок управления режимами работы МП. БИСМ – блок индикации состояния магистралей. БУКП – блок управления картой памяти.
36900. Изучение принципа работы ОЗУ 356.65 KB
  Изучение принципа работы ОЗУ Цель работы: исследование принципа работы ОЗУ и мультиплексного способа организации общей шины. Задание 1 УГО ОЗУ в соответствии с рисунком 1 А0А3 – адресные входы; CS – выбор микросхемы; W R – запись считывание; DIO1DIO8 – совмещенные информационные вводывыводы Рисунок 1 Задание 2 Провести очистку ячеек памяти ОЗУ по адресам 0 1 2 3 4 D E F Задание 3 Записать 10 8 по адресам 6 11 считать записанную информацию Задание 4 Составить алгоритм работы ОЗУ Алгоритм работы ОЗУ в соответствии с рисунком 2...
36901. КОНТРОЛЬ РАЗМЕРОВ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ 353 KB
  Цель работы приобрести первичные практические навыки в выполнении измерений с помощью различных универсальных измерительных средств приобрести навыки в оценке годности детали по линейным размерам I. С помощью выбранных универсальных измерительных средств определить действительные размеры проверяемой детали результаты занести в столбцы 712 таблицы 1 и дать заключение о ее годности. Варианты заданий Номер Контролируемые параметры детали образцов А1 А2 А3 А4 А5 А6 А7 1 130 4011 30 50 185H9 32h12 34h8 2 130 395h9 30 50 185D10...
36902. Изучение среды и простейших элементов 405.5 KB
  Домашнее задание выполняется по различным вариантам. В данном варианте меняется только цвет фона всей формы и цвет фона окна Text3. Варианты индивидуальных заданий. Разработать Windowsприложение вычисления значения функции у средствами Visul Bsic Вариант №1 у = b^2 c^2 –t^2 Вариант №2 y = bc^3 – c t^2 Вариант №3 y = b^3 c t^2 Вариант №4 y = c3 t c^2 Вариант №5 y = c^2 b t^2 Вариант №6 y = tk^5 c b^3 Вариант №7 y = c^3 t^2 b^5 Вариант №8 y = c^2 t b^2 Вариант №9 y = c^3 t b^2...
36903. Разработка приложений с разветвляющимися алгоритмами 359 KB
  Lbel1 Cption При х = Lbel2 Cption Функция вычисляется по формуле: Lbel3 Cption Получен результат Y = Lbel4 Cption Lbel5 Cption Лабораторная работа 2.Вариант 37 Text1 Text Text2...
36904. Изучение основных явлений поляризации света 483 KB
  Изучение основных явлений поляризации света. Цель работы: Получение и исследование поляризованного света и исследование свойств обыкновенных и необыкновенных лучей полученных с помощью двояко преломляющего кристалла. Принципиальная схема установки или её главных узлов: 1 упражнение: 2 упражнение: ИС – источник света; ИС – источник света; П – поляроид 1поляризатор; Д...
36905. Изучение физических явлений, лежащих в основе работы полупроводникового фотоэлемента с запирающим слоем, определение зависимости фототока от освещенности, снятие ширины запрещенной зоны полупроводника 713 KB
  Цель работы: Изучение физических явлений лежащих в основе работы полупроводникового фотоэлемента с запирающим слоем определение зависимости фототока от освещенности снятие ширины запрещенной зоны полупроводника. На рисунке выше Ес – энергия дна свободной зоны Ев – энергия потолка валентной зоны; Fм Fп – уровни Ферми металла и полупроводника Ам Ап – работы выхода электрона из металла и полупроводника. Если уровень Ферми изолированного металла Fм лежит выше уровня Ферми полупроводника Fп – т. Ам Ап то в первый момент их...