84515

Механізми утворення слини, первинна та вторинна слина

Доклад

Биология и генетика

В дольках ацинусах слинних залоз утворюється первинний секрет який є ізотонічним однаковим за йонним складом по відношенню до плазми крові і містить ферменти що секретуються ацинарними клітинами. Секреторний цикл це послідовна зміна станів секреторних клітин які виділяють ферменти та слиз. Для клітин які виділяють ферменти можна визначити такі фази секреторного циклу: 1.

Украинкский

2015-03-19

41.82 KB

0 чел.

Механізми утворення слини, первинна та вторинна слина.

В дольках (ацинусах) слинних залоз утворюється первинний секрет, який є ізотонічним (однаковим за йонним складом) по відношенню до плазми крові, і містить ферменти, що секретуються ацинарними клітинами. При проходженні цієї (первинної слини) через протоки, вона зазнає змін: більша частина натрію реабсорбується, обмінюючись на калій; хлор поглинається пасивно – в обмін на гідрокарбонат, до неї додається слиз, що секретується протоковими клітинами. Тому в кінцевій (вторинній) слині йонів Na+ та Cl- стає менше в 7-10 разів, а йонів К+ та HCO3- в 2-3 рази більше. Протоки майже непроникні для води, тому при проходженні через протоки слина стає гіпоосмічною. Електролітний склад слини істотно залежить від швидкості секреції – при високій швидкості концентрації натрію та хлору зростають, оскільки не встигає відбуватися реабсорбція.

творення ферментів та слизу – активний процес, тобто відбувається з затратами енергії.

Секреторний цикл – це послідовна зміна станів секреторних клітин, які виділяють ферменти та слиз. Для клітин, які виділяють ферменти можна визначити такі фази секреторного циклу:

1.Надходження з крові в секреторну клітину низькомолекулярних речовин, які необхідні для синтезу ферментів.

2.Синтез просекрету, іде на рибосомах, далі просекрет переходить в апарат Гольджі.

3.Дозрівання секрету в апараті Гольджі.

4.Упакування секрету в гранули. В цих гранулах секрет зберігається до тих пір, доки не надійде сигнал клітині про необхідність виділення секрету.

5.Через апікальний полюс відбувається виділення секрета (найчастіше це кальцій залежний процес).

У людини слина виділяється постійно, а у тварин лише під час їжі.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

37899. Исследование космического излучения 1.03 MB
  Изучение поглощения космического излучения в свинце9 3. Изучение углового распределения интенсивности космического излучения.12 Лабораторная работа № 88 Исследование космического излучения 1. Цель работы 1 изучение зависимости интенсивности космического излучения от толщины пройденных им свинцовых пластин; 2 проверка феноменологической формулы зависимости интенсивности космического излучения от угла наблюдения.
37900. ИЗУЧЕНИЕ ПРОБЕГА -ЧАСТИЦ В ВОЗДУХЕ 568.16 KB
  Методические указания знакомят студентов с явлением радиоактивности и с механизмами потери энергии электронов при их прохождении через вещество. Студентам предоставляется возможность эксперементально исследовать зависимость интенсивности лучей от толщины слоя воздуха и определить линейный коэффициент поглащения а также оценить верхнюю границу энергии спектра и выявить наиболее важный механизм потерь энергии электронов при их движении в воздухе. Оценить верхнюю границу энергии спектра и выявить наиболее важный механизм...
37901. Изучение явления внешнего фотоэффекта 70.5 KB
  Контрольные вопросы8 Список литературы8 Лабораторная работа № 93 Изучение явления внешнего фотоэффекта 1. Цель работы Снятие вольт амперной характеристики внешнего фотоэффекта изучение законов внешнего фотоэффекта определение постоянной Планка. Типичная вольт амперная характеристика фотоэффекта т. Таким образом опытным путем установлены следующие основные законы внешнего фотоэффекта: 1.
37902. Определение концентрации и подвижности носителей тока в полупроводнике методом эффекта холла 335.5 KB
  Эффект Холла 4 2. Физическая природа эффекта Холла 5 3. Контрольные вопросы 13 Список литературы 13 Лабораторная работа № 98 Определение концентрации и подвижности носителей тока в полупроводнике методом эффекта холла 1.
37903. ИЗУЧЕНИЕ ДИФРАКЦИИ СВЕТА НА ПРОСТЕЙШИХ ПРЕГРАДАХ И ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКЕ 260.5 KB
  Дифракция света на щели. Экспериментальное определение с помощью дифракции света ширины щели и размеров мельчайших круглых частиц. Дифракция света на щели Рассмотрим дифракцию в параллельных лучах дифракцию Фраунгофера на одной щели.2 и пусть b λ это условие позволяет не учитывать так называемые краевые эффекты обусловленные взаимодействием электромагнитного поля падающей световой волны с веществом щели.
37904. КАЧЕСТВЕННЫЙ И ПОЛУКОЛИЧЕСТВЕННЫЙ СПЕКТРАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ СПЛАВОВ 4.23 MB
  Определить процентное содержание химического элемента в сплаве. Спектр каждого элемента является строго его индивидуальной характеристикой и поэтому может быть использован для анализа вещества. Атом состоит из положительно заряженного ядра в котором сосредоточена практически вся его масса и отрицательно заряженных электронов число которых в нейтральном атоме совпадает с порядковым номером элемента в периодической системе Менделеева. На энергетических схемах возможные значения энергии атома изображаются горизонтальными линиями причем все...
37905. Исследования полупроводникового диода 566 KB
  С точки зрения зонной теории полупроводниками являются кристаллические вещества у которых при 0 К валентная зона полностью заполнена электронами а ширина запрещенной зоны невелика например для германия она равна 072 эВ. Выясним природу этих носителей на примере полупроводника из германия. Все атомы германия нейтральны и связаны друг с другом ковалентными связями. Чтобы создать проводимость необходимо разорвать хотя бы одну из связей удалив из атома германия электрон и перенеся его в какуюлибо другую кристаллическую ячейку где все...
37906. Изучение статических характеристик и определение коэффициента усиления транзистора 84.5 KB
  Инжекция носителей тока. Инжекция носителей тока В основе работы транзистора лежит явление полупроводников р и n типа рn переход к которому приложено внешнее электрическое поле в пропускном прямом направлении рис.1 В этом случае потенциальный барьер основных носителей на границе рn перехода снижается и под влиянием внешнего поля дырки переходят из р в n полупроводник а электроны в обратном направлении из n в р полупроводник и в цепи возникает прямой ток. Процесс рекомбинации происходит не...
37907. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ 4.96 MB
  Электропроводность зависит от температуры структуры вещества и от внешних воздействий напряженности электрического поля магнитного поля облучения и т. Характер зависимости σ от температуры Т различен у разных веществ. Увеличение температуры приводит к возрастанию тепловых колебаний кристаллической решетки на которых рассеиваются электроны и σ уменьшается. при более низких температурах когда влиянием тепловых колебаний на рассеяние электронов можно пренебречь сопротивление практически не зависит от температуры.