86064

Расчёт характеристик ТТЛ транзистора со сложным инвертором

Курсовая

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

На базе 5В. Этого достаточно, что бы открыть pn переход. Эмиторный переход открыт; коллекторный переход открыт. Т3 переходит в режим насыщения. Как только переход открывается, на базе остаётся напряжение 0,7В, а остальное падает.

Русский

2015-04-02

2.03 MB

17 чел.

Кафедра «Электроника и электротехника»

КУРСОВАЯ  РАБОТА

на тему

«Расчёт  характеристик  ТТЛ  транзистора со сложным инвертором»

по дисциплине «Электроника»

Вариант 6

Выполнила:
Артёменко Е.А.

Руководитель:
Самбурский Л.М.


Задание на курсовой проект (Электроника):

1) описать принцип работы схемы;

2) выбрать и описать технологию изготовления схемы;

3) нарисовать структуру транзистора;

4) рассчитать параметры элементов схемы;

5) с помощью SPICE рассчитать:

а. передаточную характеристику схемы: UВЫХ (UВХ); по ней – уровни логического

нуля (U0) и единицы (U1), запас помехоустойчивости;

б. потребляемый ток: IПОТР (UВХ);

в. переходную характеристику схемы: UВЫХ (t); по ней – времена задержек и фрон-

тов переключения, максимальную рабочую частоту схемы (fmax);

г. статическую и динамическую потребляемую мощность;

6) нарисовать топологию всей схемы (в масштабе);

7) сравнить в аналогами, выпускаемыми промышленностью (из справочников).

Дано:

Минимальный размер 3мкм


Принцип работы схемы:

ТТЛ со сложным инвертором реализует логическую функцию И-НЕ.

Вариант 1

Вх. 1

Вх. 2

Вых.

0

0

1

Т1.

Этого достаточно, что бы открыть pn переход. Эмиторный переход открыт; коллекторный переход открыт. Т1 переходит в режим насыщения.  Как только переход открывается, на базе остаётся напряжение 0,7В, а остальное падает.

Потёк ток:

Т2.

На базе ноль. Было 0, пришло 0.

Эмиторный переход закрыт.

Коллеторный переход: было5, пришло 0В. :

0-5=-5В

Коллекторный переход закрыт. Режим отсечки.

Б>Э

К<Б


Т3.

На базе 5В. Этого достаточно, что бы открыть pn переход. Эмиторный переход открыт; коллекторный переход открыт. Т3 переходит в режим насыщения.  Как только переход открывается, на базе остаётся напряжение 0,7В, а остальное падает.  (Потёк большой ток, по закону ома вызывает высокое сопротивление. Напряжение падает на R3)

Потёк ток:

На выходе

Т4.

На базе ноль, так как пришло 0, было 0.

0-0 = 0.

Эмиторный переход закрыт.

Коллеторный переход закрыт.

Коллекторный переход закрыт. Режим отсечки.

Б>Э

К<Б

Вариант 2

Вх. 1

Вх. 2

Вых.

1

1

0

Т1.

На вход подаётся две единицы.

База-эмитор ноль, так как пришло 5В, было 5В.

5-5 = 0.

Эмиторный переход закрыт.

Коллекторный переход: Пришло 5В, было 0В.

Коллекторный переход открыт. Транзистр работает в инверсном режиме.

(коллектор открыт, эмитор закрыт)

Ток от эмитора к коллектору сквозной.

Т2.

Пришло 5В. Упало на 0,7

5-0,7 =4,3

Эмиторный переход открыт. Транзистр работает в режиме насыщения.

Коллекторный переход: пришло 5В, было 5В.

Т3.

На базе  ноль. Пришло 0, было 0.

0 <0,7

Эмиторный переход закрыт.

Коллеторный переход: Пришло 0, было 5.

0-5=-5В.

Коллекторный переход закрыт.

Транзистр работает в режиме отсечки. Ток от эмитора к коллектору сквозной.

Т4.

На базе: пришло 4,3 , было 0:

4,3-0= 4,3 >0,7

Эмиторный переход открыт.

Коллекторный переход: Пришло 4,3В, было 0В

4,3-0 =4,3

Коллекторный переход открыт.

Так как эмиторный переход открыт; коллекторный переход открыт. Т4 переходит в режим насыщения.  Как только переход открывается, на базе остаётся напряжение 0,7В, а остальное падает на R4 по закону Ома. Поэтому на выходе схемы логический 0.

На выходе

Вариант 3,4

Вх. 1

Вх. 2

Вых.

0

1

1

1

0

1

Ситуация схожа с Вариантом 1 но проходит медленнее

Технология изготовления схемы:

Технология изготовления БТ:

  1.  Окисление подложки р-типа.

  1.  Фотолитография под скрытый слой, ионная имплантация n+ скрытого слоя.

  1.  Эпитаксиальное осаждение n-слоя, окисление.


  1.  Фотолитография под изолятор, диффузионное легирование р+ областей изолятора.

  1.  Окисление. Фотолитография, ионная имплантация р-слоя.

  1.  Окисление. Фотолитография под базу и эмиттер, диффузионное легирование n+ областей.


  1.  Нанесение металла.

  1.  Фотолитография по металлу.

Технология изготовления Резистора:

оксид

Si

  1.  Окисление подложки р-типа.


  1.  Фотолитография под скрытый слой, ионная имплантация n+ скрытого слоя.

Наложение маски, окисление, нанесние маталла.

Для малых сопротивлений (1...50 Ом) используются высоколегированные области

(эмиттерный n+ - слой).

Технология изготовления Диода:

В качестве диодов в ПИМС используют транзисторные n-p-n структуры в диодном

включении. В быстродействующих схемах в качестве диода используют эмиттерный p-n –

переход, при этом коллекторный переход закорочен. При необходимости применения дио-

да с более высоким рабочим напряжением (до 60 В) используют коллекторный p-n – пере-

ход. Эмиттерную область в такой структуре обычно не формируют, что позволяет сущест-

венно уменьшить размеры диода.

Барьерный режим

В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмиттерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет из себя своеобразный диод, включенный последовательно с токозадающим резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, нечувствительностью к параметрам транзисторов.


Топология и разрез схемы 


Расчёт пареметров элементов схемы:

2 эмиттера

1 эмиттер

  1.  BF – коэффициент усиления тока базы в нормальном режиме.

  1. BR - коэффициент усиления тока базы в инверсном режиме.

Для 2х эмиттеров (М = 2)

6,935*10-8

*10-6

0.0691


Для 1го эмиттера (М = 1)

3.5317*10-8

4.1153*10-7

  1.  IS – ток насыщения.

Для 2х эмиттеров

8.1927*10-18

Для 1го эмиттера

4.0964*10-18

  1.  RB - сопротивление базы

Ёмкость эмиттерного p-n-перехода (CJE)

C одним эмиттером:

1.2692*10-10

С двумя эмиттерами:

2.0792*10-10


Ёмкость коллекторного p-n-перехода

C одним эмиттером:

4.6611*10-10

С двумя эмиттерами:

7.8111*10-10

NF - коэффициент эмиссии эмиттерного перехода NF = 1,1

NR — коэффициент эмиссии коллекторного перехода NR = 1,4


Расчет резисторов

        


Расчёт с помощью SPICE

Уровни логического нуля (U0) и единицы (U1):

(U0) = 0,2 mV

(U1) =3,4  V

∆Uлог = (U1)- (U0) = 3,2 V

(Uc гр) =  1,6V

Помехоустойчивость по положительным и отрицательным помехам соответственно:

(Uпом +)= (Uc гр) - (U0) = 1,4  V

(Uпом -)= (U1) - (Uc гр) = 1,8 V

Порог переключения:

(Uп)=( (U0) + (U1))/2

(Uп)= 1,8 V


Переходная характеристика

t10з =1,5 нс

t01з = 0,8нс

tф-= 1нс

tф+ = 4нс

tз= (t01з+ t10з)/2 =  1,25

сверх быстродействующие: 0,1 3 t нс

С=16,03*10^(-13) Ф

Fп = (34)^(-1) * 10^(9) =29,4 МГц

P=5^2 * 16,03*10^(-13) *(34)^(-1) * 10^(9)  = 1.2 мВт

Топология

 


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

59062. Трудове навчання. Осінні фантазії 34 KB
  Виховувати любов до природи та бережливе ставлення до неї Наочність та обладнання: репродукція картини Левітана Золота осінь грамзапис П. Чайковського Пори року відеозапис телевізор відеомагнітофон програвач казковий герой Осінь.
59063. Особливі, одиничні та суттєві ознаки. Корекційне заняття 4-й клас 38 KB
  Запитання озвучуються інші команди дають відповіді. Запрошення до зоопарку Капітан команди Євразія знайомить усіх дітей із кішкою рись. Капітан команди Африка знайомить усіх дітей із кішкою сервал яка проживає на Африканському континенті.
59064. Особливості побудови опису приміщення 31 KB
  Як ви гадаєте для чого використовуються описи приміщення Навіщо письменники їх складають Яким чином інтерєри розповідають про життя і працю людей допомагають зрозуміти внутрішній світ персонажів художніх творів Подумайте і назвіть твори в яких є описи приміщень....
59065. Оспівуючи душу... Бінарний урок позакласного читання із зарубіжної та української літератури за творчістю світових митців 45.5 KB
  Мета: зацікавити учнів у вивченні творів світової літератури; розвивати навички виразного читання, уміння аналізувати прозові та поетичні твори, критичне мислення і творчі здібності, усне та писемне звязне мовлення...
59066. Урок за поемою І. Франка Мойсей. Ось де ваш обітований край... 62.5 KB
  Мета: розкрити образ Бога в поемі як силу яка цілеспрямовує запобігає хаосу в душі людини та суспільстві; показати в образі Мойсея внутрішню боротьбу духовного з матеріалістично-корисливим що уособлене в образі Азазеля; спрямувати дітей до вищих духовних цінностей які концентруються в Богові...
59067. Перший раз у перший клас. Вручення підручників першокласникам 36 KB
  Вручення підручників першокласникам Дійові особи: Учениця-старшокласниця учень-старшокласник Листоноша Лисичка Вовчик Буквар Математика. Учениця Добрий день любі малята Для нас зміна ви завзята. Учениця Я вважаю що якраз Дарувати книги час. Учениця Ти Лисичко неправа.
59068. Побудова симетричних малюнків у графічному редакторі 28.5 KB
  Подолання вершини Снігова лавина 7 балів. Вчитель говорить: Дорогий альпіністе Якщо ти набрав більше 9 балів ти зійшов на вершину. Молодець Якщо набрав 9 балів подолав другу вершину. Якщо у тебе 7 балів ти зійшов на першу вершину.
59069. Повість Ясунарі Кавабата. Тисяча журавлів 63.5 KB
  Особливо виразно це виявилося у творах Ясунарі Кавабата 18991972. Недарма древня столиця Японії Кіото незмінно знаходиться у центрі художньої оповіді Ясунарі Кавабата. Ясунарі Кавабата один із визначних прозаїків XX століття якому в 1968 році була вручена Нобелівська премія за письменницьке мистецтво...
59070. Вистава на чотири дії. Повернуте право 42.5 KB
  З іншого боку шкутильгає хвора книга Українська мова. Українська мова. Привіт ровеснице Українська мова.