86064

Расчёт характеристик ТТЛ транзистора со сложным инвертором

Курсовая

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

На базе 5В. Этого достаточно, что бы открыть pn переход. Эмиторный переход открыт; коллекторный переход открыт. Т3 переходит в режим насыщения. Как только переход открывается, на базе остаётся напряжение 0,7В, а остальное падает.

Русский

2015-04-02

2.03 MB

17 чел.

Кафедра «Электроника и электротехника»

КУРСОВАЯ  РАБОТА

на тему

«Расчёт  характеристик  ТТЛ  транзистора со сложным инвертором»

по дисциплине «Электроника»

Вариант 6

Выполнила:
Артёменко Е.А.

Руководитель:
Самбурский Л.М.


Задание на курсовой проект (Электроника):

1) описать принцип работы схемы;

2) выбрать и описать технологию изготовления схемы;

3) нарисовать структуру транзистора;

4) рассчитать параметры элементов схемы;

5) с помощью SPICE рассчитать:

а. передаточную характеристику схемы: UВЫХ (UВХ); по ней – уровни логического

нуля (U0) и единицы (U1), запас помехоустойчивости;

б. потребляемый ток: IПОТР (UВХ);

в. переходную характеристику схемы: UВЫХ (t); по ней – времена задержек и фрон-

тов переключения, максимальную рабочую частоту схемы (fmax);

г. статическую и динамическую потребляемую мощность;

6) нарисовать топологию всей схемы (в масштабе);

7) сравнить в аналогами, выпускаемыми промышленностью (из справочников).

Дано:

Минимальный размер 3мкм


Принцип работы схемы:

ТТЛ со сложным инвертором реализует логическую функцию И-НЕ.

Вариант 1

Вх. 1

Вх. 2

Вых.

0

0

1

Т1.

Этого достаточно, что бы открыть pn переход. Эмиторный переход открыт; коллекторный переход открыт. Т1 переходит в режим насыщения.  Как только переход открывается, на базе остаётся напряжение 0,7В, а остальное падает.

Потёк ток:

Т2.

На базе ноль. Было 0, пришло 0.

Эмиторный переход закрыт.

Коллеторный переход: было5, пришло 0В. :

0-5=-5В

Коллекторный переход закрыт. Режим отсечки.

Б>Э

К<Б


Т3.

На базе 5В. Этого достаточно, что бы открыть pn переход. Эмиторный переход открыт; коллекторный переход открыт. Т3 переходит в режим насыщения.  Как только переход открывается, на базе остаётся напряжение 0,7В, а остальное падает.  (Потёк большой ток, по закону ома вызывает высокое сопротивление. Напряжение падает на R3)

Потёк ток:

На выходе

Т4.

На базе ноль, так как пришло 0, было 0.

0-0 = 0.

Эмиторный переход закрыт.

Коллеторный переход закрыт.

Коллекторный переход закрыт. Режим отсечки.

Б>Э

К<Б

Вариант 2

Вх. 1

Вх. 2

Вых.

1

1

0

Т1.

На вход подаётся две единицы.

База-эмитор ноль, так как пришло 5В, было 5В.

5-5 = 0.

Эмиторный переход закрыт.

Коллекторный переход: Пришло 5В, было 0В.

Коллекторный переход открыт. Транзистр работает в инверсном режиме.

(коллектор открыт, эмитор закрыт)

Ток от эмитора к коллектору сквозной.

Т2.

Пришло 5В. Упало на 0,7

5-0,7 =4,3

Эмиторный переход открыт. Транзистр работает в режиме насыщения.

Коллекторный переход: пришло 5В, было 5В.

Т3.

На базе  ноль. Пришло 0, было 0.

0 <0,7

Эмиторный переход закрыт.

Коллеторный переход: Пришло 0, было 5.

0-5=-5В.

Коллекторный переход закрыт.

Транзистр работает в режиме отсечки. Ток от эмитора к коллектору сквозной.

Т4.

На базе: пришло 4,3 , было 0:

4,3-0= 4,3 >0,7

Эмиторный переход открыт.

Коллекторный переход: Пришло 4,3В, было 0В

4,3-0 =4,3

Коллекторный переход открыт.

Так как эмиторный переход открыт; коллекторный переход открыт. Т4 переходит в режим насыщения.  Как только переход открывается, на базе остаётся напряжение 0,7В, а остальное падает на R4 по закону Ома. Поэтому на выходе схемы логический 0.

На выходе

Вариант 3,4

Вх. 1

Вх. 2

Вых.

0

1

1

1

0

1

Ситуация схожа с Вариантом 1 но проходит медленнее

Технология изготовления схемы:

Технология изготовления БТ:

  1.  Окисление подложки р-типа.

  1.  Фотолитография под скрытый слой, ионная имплантация n+ скрытого слоя.

  1.  Эпитаксиальное осаждение n-слоя, окисление.


  1.  Фотолитография под изолятор, диффузионное легирование р+ областей изолятора.

  1.  Окисление. Фотолитография, ионная имплантация р-слоя.

  1.  Окисление. Фотолитография под базу и эмиттер, диффузионное легирование n+ областей.


  1.  Нанесение металла.

  1.  Фотолитография по металлу.

Технология изготовления Резистора:

оксид

Si

  1.  Окисление подложки р-типа.


  1.  Фотолитография под скрытый слой, ионная имплантация n+ скрытого слоя.

Наложение маски, окисление, нанесние маталла.

Для малых сопротивлений (1...50 Ом) используются высоколегированные области

(эмиттерный n+ - слой).

Технология изготовления Диода:

В качестве диодов в ПИМС используют транзисторные n-p-n структуры в диодном

включении. В быстродействующих схемах в качестве диода используют эмиттерный p-n –

переход, при этом коллекторный переход закорочен. При необходимости применения дио-

да с более высоким рабочим напряжением (до 60 В) используют коллекторный p-n – пере-

ход. Эмиттерную область в такой структуре обычно не формируют, что позволяет сущест-

венно уменьшить размеры диода.

Барьерный режим

В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмиттерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет из себя своеобразный диод, включенный последовательно с токозадающим резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, нечувствительностью к параметрам транзисторов.


Топология и разрез схемы 


Расчёт пареметров элементов схемы:

2 эмиттера

1 эмиттер

  1.  BF – коэффициент усиления тока базы в нормальном режиме.

  1. BR - коэффициент усиления тока базы в инверсном режиме.

Для 2х эмиттеров (М = 2)

6,935*10-8

*10-6

0.0691


Для 1го эмиттера (М = 1)

3.5317*10-8

4.1153*10-7

  1.  IS – ток насыщения.

Для 2х эмиттеров

8.1927*10-18

Для 1го эмиттера

4.0964*10-18

  1.  RB - сопротивление базы

Ёмкость эмиттерного p-n-перехода (CJE)

C одним эмиттером:

1.2692*10-10

С двумя эмиттерами:

2.0792*10-10


Ёмкость коллекторного p-n-перехода

C одним эмиттером:

4.6611*10-10

С двумя эмиттерами:

7.8111*10-10

NF - коэффициент эмиссии эмиттерного перехода NF = 1,1

NR — коэффициент эмиссии коллекторного перехода NR = 1,4


Расчет резисторов

        


Расчёт с помощью SPICE

Уровни логического нуля (U0) и единицы (U1):

(U0) = 0,2 mV

(U1) =3,4  V

∆Uлог = (U1)- (U0) = 3,2 V

(Uc гр) =  1,6V

Помехоустойчивость по положительным и отрицательным помехам соответственно:

(Uпом +)= (Uc гр) - (U0) = 1,4  V

(Uпом -)= (U1) - (Uc гр) = 1,8 V

Порог переключения:

(Uп)=( (U0) + (U1))/2

(Uп)= 1,8 V


Переходная характеристика

t10з =1,5 нс

t01з = 0,8нс

tф-= 1нс

tф+ = 4нс

tз= (t01з+ t10з)/2 =  1,25

сверх быстродействующие: 0,1 3 t нс

С=16,03*10^(-13) Ф

Fп = (34)^(-1) * 10^(9) =29,4 МГц

P=5^2 * 16,03*10^(-13) *(34)^(-1) * 10^(9)  = 1.2 мВт

Топология

 


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

48094. ЗЕМЕЛЬНЕ ПРАВО 61 KB
  Предмет система і джерела земельного права; земельна реформа в Україні. Предмет методи принципи і система земельного права. Джерела земельного права України їх класифікація.
48095. Навчально-методичні матеріали. Земельне право 409.5 KB
  В сучасних умовах актуальність цих відносин значно підвищилась у звязку з проведенням земельної реформи приватизації землі прийняттям нового Земельного Кодексу України. Проблеми даної навчальної дисципліни висвітлюються на базі сучасних і нормативних документів: Конституції України Земельного кодексу України Кодексів інших галузей права указів Президента України декретів і постанов Кабінету Міністрів України відомчих нормативних актів що регулюють земельні правовідносини в державі. Джерела земельного права України і їх...
48096. НАЦІОНАЛЬНА ЕКОНОМІКА: ЗАГАЛЬНЕ ТА ОСОБЛИВЕ 2.5 MB
  Теоретичні аспекти виникнення та розвитку науки національної економіки Основоположником науки про національну економіку є німецький економіст Ф. Лістом у вказаній праці можна звести до трьох взаємоповязаних підходів: 1 теорії продуктивних сил; 2 концепції стадійного економічного розвитку; 3 положення про активну економічну роль держави. Вона є результатом попереднього розвитку відкриттів удосконалень традицій досвіду знань. Ліст справедливо відзначає що істинні багатство і добробут нації зумовлюються не кількістю мінових...
48097. Планирование персонала на ОАО «Реал-Моторс» 240.5 KB
  Проблемы усиливается в большей мере в связи с развитием рыночной системы в России, в которой большую важность приобретает рынок трудовых ресурсов. Поэтому политика предприятия по отбору и набору персонала является приоритетной для фирмы, поскольку она играет важную роль для достижения миссии и целей организации.
48098. МЕНЕДЖМЕНТ ЯК СПЕЦИФІЧНА СФЕРА ЛЮДСЬКОЇ ДІЯЛЬНОСТІ 2.97 MB
  Сутність категорій “управління†та “менеджментâ€. Менеджмент як система наукових знань та мистецтво управління. КЛЮЧОВІ СЛОВА: менеджмент управління менеджер організація об'єкт менеджменту суб'єкт менеджменту.
48099. НТФ Комерційний відділ. Опорний конспект лекцій 508.5 KB
  В залежності від обיєкта рекламування розрізняють два види реклами: реклама товару товарна реклама; реклама з метою створення іміджу престижу фірми престижна реклама. Товарна реклама здійснює пропаганду товару інформує покупця про переваги і якості товару. Товарна Престижна Переконуюча Заохочує покупця віддати переваги саме цьому товару. Змінює сприйняття споживачем властивостей товару.
48100. Регіональна економіка 350.5 KB
  В основі вивчення регіональної економіки є дослідження розвитку продуктивних сил що являє собою розподіл за територією трудових ресурсів і засобів виробництва всіх основних компонентів соціальноекономічних відносин. Оскільки РПС розглядається як динамічний стан процесу їх розвитку у просторі і в часі форми зосередження виробничої діяльності постійно змінюються. В процесі вивчення регіонального розвитку визначаються комплексні завдання цієї науки а саме: вивчення ТПП регіонів і їх спеціалізації; вдосконалення внутрішньорегіональних та...
48101. ФІНАНСОВИЙ МЕНЕДЖМЕНТ. ОПОРНИЙ КОНСПЕКТ ЛЕКЦІЙ 1.01 MB
  З огляду на це найманого менеджера підприємства іноді розглядають як фінансового посередника. Найбільший вплив на вибір типу фінансової політики підприємства здійснює саме субєктивний фактор тип фінансового менеджера. Унітарне підприємство створюється одним засновником який виділяє необхідне для того майно формує відповідно до закону статутний фонд не поділений на частки паї затверджує статут розподіляє доходи безпосередньо або через керівника який ним призначається керує підприємством і формує його трудовий колектив на засадах...
48102. Техноекологія. Опорний конспект лекцій 368.5 KB
  Контроль забруднення довкілля. Якість вимірювань складу та властивостей об'єктів довкілля та джерел їх забруднення В. Отже антропогенне забруднення атмосфери спричиняється насамперед роботою промислових сільськогосподарських підприємств а також підприємств енергетики автотранспорту тощо що може призвести до таких негативних наслідків: перевищення гранично допустимих концентрацій ГДК багатьох токсичних речовин у містах і населених пунктах; утворення смогу і кислотних дощів; поява парникового ефекту підвищення середньої...