87656

Причины и пути возникновения государства

Доклад

Государство и право, юриспруденция и процессуальное право

В зонах посевного земледелия строились ирригационные оросительные сооружения там возникали и появлялись первые государства это требовало большого количества людей и территорий а следовательно централизованного управления и создания специального аппарата то есть органа должностных лиц которые бы такое управление осуществляли. Органы общественного управления и должностные лица создавались для выполнения и других функций. Постепенно должностные лица выполняли функции общественного управления превращались в чиновников...

Русский

2015-04-21

35.54 KB

0 чел.

Причины и пути возникновения государства.

Человек появился на Земле примерно 2 млр. лет назад. То общество определяется, как родоплеменное. То было время присваивающего хозяйства, т.е. люди занимались охотой, рыболовством, сбором растений.

Ячейкой общества первобытного человека была родовая община, основанная на кровном родстве и совместно ведущая хозяйство.

В осуществлении Общественной власти участвовали все взрослые члены рода, как мужчины, так и женщины. Особо важные дела решались Общим собранием. Существовали выборные должности, происходила сменяемость вождей (в военное время) и совета старейшин (в мирное).

Примерно 10-12 тыс. лет назад начался Переход от присваивающего хозяйства к производящей экономике – скотоводству, земледелию. Произошла неолитическая революция.

1. Неолитическая революция (эпоха позднего неолита нового каменного века, продолжалась несколько тысячелетий). Привела к возникновению ранних земледельческих обществ (которые формировались в долинах крупных рек).

2. Производящая экономика сопровождается разделением труда. Выделяют 3 крупных общественных разделения труда: 1)выделение пастушьих племен, 2)отделение ремесла от земледелия, 3)появление купечества.

3. Появление избыточного продукта: приводит к росту населения; эксплуатации человеком человека; выделяются семьи, в руках которых сосредотачиваются материальные блага, богатства. Появляются богатые и знатные люди происходит имущественное и социальное расслоение людей на социальные группы, сословия, касты, появляются классы.

2пути возникновения государства:

Восточный (азиатский) - данный путь является универсальным, по этому пути возникали и развивались государства Азии, Африки и Америки. Для него характерно то, что сохранились общины и общинная собственность на землю. В зонах посевного земледелия строились ирригационные (оросительные) сооружения, (там возникали и появлялись первые государства) это требовало большого количества людей и территорий, а, следовательно, централизованного управления и создания специального аппарата, то есть органа, должностных лиц, которые бы такое управление осуществляли. Органы общественного управления и должностные лица создавались для выполнения и других функций. Постепенно должностные лица выполняли функции общественного управления, превращались в чиновников (привилегированную замкнутую социальную прослойку), которая явилась прообразом будущего государственного аппарата управления.

Западный (европейский) - дынный путь является уникальным (Греция, Италия, Германия, Польша). Для него характерно то, что основным государство образующим фактором было то, что общины распались земля и др. средства производства оказались в частной собственности, это привело к разделению общества на классы. И зарождению ране феодальной монархии.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

37905. Исследования полупроводникового диода 566 KB
  С точки зрения зонной теории полупроводниками являются кристаллические вещества у которых при 0 К валентная зона полностью заполнена электронами а ширина запрещенной зоны невелика например для германия она равна 072 эВ. Выясним природу этих носителей на примере полупроводника из германия. Все атомы германия нейтральны и связаны друг с другом ковалентными связями. Чтобы создать проводимость необходимо разорвать хотя бы одну из связей удалив из атома германия электрон и перенеся его в какуюлибо другую кристаллическую ячейку где все...
37906. Изучение статических характеристик и определение коэффициента усиления транзистора 84.5 KB
  Инжекция носителей тока. Инжекция носителей тока В основе работы транзистора лежит явление полупроводников р и n типа рn переход к которому приложено внешнее электрическое поле в пропускном прямом направлении рис.1 В этом случае потенциальный барьер основных носителей на границе рn перехода снижается и под влиянием внешнего поля дырки переходят из р в n полупроводник а электроны в обратном направлении из n в р полупроводник и в цепи возникает прямой ток. Процесс рекомбинации происходит не...
37907. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ 4.96 MB
  Электропроводность зависит от температуры структуры вещества и от внешних воздействий напряженности электрического поля магнитного поля облучения и т. Характер зависимости σ от температуры Т различен у разных веществ. Увеличение температуры приводит к возрастанию тепловых колебаний кристаллической решетки на которых рассеиваются электроны и σ уменьшается. при более низких температурах когда влиянием тепловых колебаний на рассеяние электронов можно пренебречь сопротивление практически не зависит от температуры.
37908. Определение постоянной Планка методом задерживающего потенциала 120 KB
  Михайлов Определение постоянной Планка методом задерживающего потенциала: Методические указания к лабораторной работе № 80 по курсу общей физики Уфимск. Методические указания знакомят студентов с уравнением Эйнштейна для фотоэффекта и с методом задерживающего потенциала позволяющего определять постоянную Планка. Студентам предлагается экспериментально получить график зависимости задерживающего потенциала от частоты падающего на фотокатод света и вычислить постоянную Планка и работу выхода.
37909. ДИФРАКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ 951 KB
  Гипотеза деБройля 4 2. Контрольные вопросы 11 Список литературы 11 ЭЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 85 ДИФРАКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ Цель работы Изучение гипотезы деБройля о волновых свойствах микрочастиц. Определение длины волны деБройля электронов дифрагированных на образцах с кубической кристаллической решеткой. Теоретическая часть Гипотеза деБройля В 1924 г.
37910. Исследование зависимости теплового излучения абсолютно черного тела от температуры 104 KB
  Лабораторная работа № 86 Исследование зависимости теплового излучения абсолютно черного тела от температуры 1. Цель работы Исследование зависимости интегральной излучательной способности абсолютно черного тела от температуры и проверка выполнения закона СтефанаБольцмана. зависит от температуры тела. Для спектральной характеристики теплового излучения вводится понятие излучательной способности тела или спектральной плотности излучательности 2.
37911. Изучение поляризованного света и внутренних напряжений в твердых телах оптическим методом 338.5 KB
  16 Лабораторная работа № 66 Изучение поляризованного света и внутренних напряжений в твердых телах оптическим методом 1. Закон Малюса Из электромагнитной теории света вытекает что световые волны поперечны. Естественные источники света излучают волны неполяризованные. При взаимодействии света с веществом основное действие оказывает электрическая составляющая электромагнитного поля световой волны электрические взаимодействия сильнее магнитных.
37912. ИЗУЧЕНИЕ ДИСПЕРСИИ СВЕТА 641.5 KB
  2 угол при вершине которой т. преломляющий угол равен P падает световая волна частоты ω угол падения равен i1. Угол наименьшего отклонения δ преломляющий угол P и показатель преломления связаны между собой соотношением .2 Угол отклонения лучей призмой тем больше чем больше преломляющий угол призмы.
37913. ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЯ ПОГЛОЩЕНИЯ СВЕТА ВЕЩЕСТВОМ 1.85 MB
  13 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 68 ИЗУЧЕНИЕ Явления ПОГЛОЩЕНИЯ СВЕТА ВЕЩЕСТВОМ 1. Определение коэффициентов поглощения исследуемых растворов в зависимости от длины волны поглощаемого света. Явление поглощения света веществом можно объяснить как с точки зрения волновых представлений так и с точки зрения квантовых представлений. С точки зрения квантовых представлений удается вычислить собственные частоты колебаний атомов и молекул на основе спектров поглощения.