89398

Схемы включения транзистора

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Транзисторные каскады в зависимости от вариантов подключения транзисторов подразделяются на: Каскад с общим эмиттером на схеме показан каскад с фиксированным током базы это одна из разновидностей смещения транзистора. Рассмотрим работу каскада подробнее: при подаче на базу входного напряжения входной ток протекает через переход базаэмиттер транзистора что вызывает открывание транзистора и в следствии этого увеличение коллекторного тока. В цепи эмиттера транзистора протекает ток равный сумме тока базы и тока...

Русский

2015-05-12

39.53 KB

0 чел.

Схемы включения транзистора.

      Любой усилитель, независимо от частоты, содержит от одного до нескольких каскадов усиления. Для того, чтобы иметь представление по схемотехнике транзисторных усилителей, рассмотрим более подробно их принципиальные схемы.

      Транзисторные каскады, в зависимости от вариантов подключения транзисторов, подразделяются на:

1 Каскад с общим эмиттером (на схеме показан каскад с фиксированным током базы - это одна из разновидностей смещения транзистора).

2 Каскад с общим коллектором

3 Каскад с общей базой

       Каскад с общим эмиттеромобладает высоким усилением по напряжению и току. К недостаткам данной схемы включения можно отнести невысокое входное сопротивление каскада (порядка сотен ом), высокое (порядка десятков Килоом) выходное сопротивление.  Отличительная особенность - изменение фазы входного сигнала на 180 градусов (то есть - инвертирование). Благодаря высокому коэффициенту усиления схема с ОЭ имеет преимущественное применение по сравнению с ОБ и ОК.

      Рассмотрим работу каскада подробнее: при подаче на базу входного напряжения - входной ток протекает через переход "база-эмиттер" транзистора, что вызывает открывание транзистора и, в следствии этого, увеличение коллекторного тока. В цепи эмиттера транзистора протекает ток, равный сумме тока базы и тока коллектора. На резисторе в цепи коллектора, при прохождении через него тока, возникает некоторое напряжение, величиной значительно превышающей входное. Таким образом происходит усиление транзистора по напряжению. Так как ток и напряжение в цепи - величины взаимосвязанные, аналогично происходит и усиление входного тока. 

       Схема с общим коллектором обладает высоким входным и низким выходным сопротивлениями. Коэффициент усиления по напряжению этой схемы всегда меньше 1. Входное сопротивление каскада  с ОК зависит от сопротивления нагрузки (Rн) и больше его (приблизительно) в Н21э раз. (Величина "Н21э" - это статический коэффициент усиления данного экземпляра транзистора, включенного по схеме с Общим Эмиттером).  Данная схема используется для согласования каскадов, либо в случае использования источника входного сигнала с высоким входным сопротивлением. В качестве такого источника можно привести, например, пьезоэлектрический звукосниматель или конденсаторный микрофон. Схема с ОК не изменяет фазы входного сигнала. Иногда такую схему называют Эмиттерным повторителем.

      Схема включения транзистора с общей базой используется преимущественно в каскадах усилителей высоких частот. Усиление каскада с ОБ обеспечивает усиление только по напряжению. Данное включение транзистора позволяет более полно использовать частотные характеристики транзистора при минимальном уровне шумов. Что такое частотная характеристика транзистора? Это - способность транзистора усиливать высокие частоты, близкие к граничной частоте усиления, Эта величина зависит от типа транзистора. Более высокочастотный транзистор способен усиливать и более высокие частоты. С повышением рабочей частоты, коэффициент усиления транзистора понижается. Если для построения усилителя использовать, например, схему с общим эмиттером, то при некоторой (граничной) частоте каскад перестает усиливать входной сигнал. Использование этого - же транзистора, но включенного по схеме с общей базой, позволяет значительно повысить граничную частоту усиления. Каскад, собранный по схеме с общей базой, обладает низким входным и невысоким выходным сопротивлениями (эти параметры очень хорошо согласуются при работе в антенных усилителях с использованием так называемых "коаксиальных" несимметричных высокочастотных кабелей, волновое сопротивление которых как правило не превышает 100 ом). Если сравнивать величины сопротивлений для каскада с ОЭ и ОБ, то входное сопротивление каскада с ОБ в (1+Н21э) раз меньше, чем с ОЭ, а выходное в (1+Н21э) раз больше. Каскад с ОБ не изменяет фазы входного сигнала.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

48743. Анализ линейной динамической цепи 372.5 KB
  В данной работе исследуется линейная реактивная цепь, нагруженная на резистор и питаемая от источника ЭДС. С помощью метода узловых напряжений составляется система уравнений цепи в матричной и скалярной форме.
48744. Вивчення ролі державної мови у контексті формування та зміцнення української національної свідомості 387.5 KB
  У державотворчому процесі мова поряд із внутрішніми консолідуючими чинниками виконує й зовнішню функцію яка полягає у виокремленні держави зпоміж інших країн в утвердженні нації і держави серед багатомовної спільноти. У суспільстві де переважає корінний етнос і панує його мова як наприклад у країнах Європи зазначені функції мови поєднуються гармонійно. Внаслідок заборон і дискримінації адміністративносилового тиску якому піддавалася українська мова упродовж останніх трьох з половиною...
48745. Автопоезд-сортиментовоз самозагружающийся 8x4 с прицепом 2.86 MB
  Рама является одним из важнейших элементов любого автомобиля и характеризует грузоподъемность и производительность в данном случае сортиментовоза последняя собственно и характеризует себестоимость перевозок. Особое внимание необходимо уделить надежности автомобиля и его технологического оборудования.1 Технические характеристики Технические характеристики Модель МАЗ630308226 Колёсная формула: 6x4 Полная масса автопоезда кг 47 500 Полная масса автомобиля кг 27 500 Распределение полной массы: на переднюю ось кг 6 500 на заднюю...
48746. Подогреватели регенерации питательной воды турбоагрегатов 869.5 KB
  Рассмотрены схемы движения теплоносителей в аппаратах.Расчёт расходов и параметров теплоносителей в системе регенеративного подогрева Параметры пара и питательной воды в системе регенерации ПТУ К500240 Параметры пара и питательной воды в системе регенерации ПТУ К500240
48747. РАЗРАБОТКА АВТОМАТИЧЕСКОГО УСТРОЙСТВА 1.28 MB
  На те блоки структурной схемы, которые должны быть спроектированы, в соответствующих таблицах заданы исходные данные, а для остальных блоков должны быть выбраны только принципиальные или функциональные схемы и дано описание их работы.
48748. Расчет структуры электромагнитных полей 202.5 KB
  Решение Так как поблизости исследуемого объекта нет областей занятых током то следует решать уравнение Лапласа скалярного магнитного потенциала с соответствующими граничными условиями на поверхности r = R 1.6 Найдём частное решение для потенциала из системы 1. Таким образом частное решение для φm : где С1=А1А4;С2=А24 Найдём решение уравнений 5.2: Решение его можно записать в виде N=Bcosθ.
48749. Расчет структуры переменных электромагнитных полей в волноводе 416 KB
  Для заданного типа волны с начальной амплитудой поля Em=5кВ см распространяющейся в прямоугольном волноводе сечением а x в получить аналитические выражения продольной и поперечных компонент полей в комплексной форме записи и для мгновенных значений.1 Распространяющиеся в волноводе электромагнитные волны являются волнами бегущими вдоль оси волновода вдоль оси z и стоячими в двух остальных направлениях. Стоячие волны в направлениях x и y образуются вследствие многократных отражений волн от стенок волновода. Другими словами для Hволны...
48750. Расчет структуры полей проводящего шара в диэлектрической среде 103.5 KB
  Цель работы: расчет структуры полей проводящего шара в диэлектрической среде а также в волноводе для приведенных в задании параметров. Метод исследования : метод разделения переменных при интегрировании дифференциальных уравнений для получения аналитических выражений потенциалов и напряженностей полей с последующим построением на ЭВМ структуры этих полей. Для заданной геометрии и параметров среды получены аналитические выражения значений потенциалов и напряженностей полей диэлектрического шара в диэлектрической среде. В...