89399

Классификация транзисторов

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Однако основными являются транзисторы на основе кремния германия арсенида галлия. В настоящее время имеются транзисторы на основе например прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. По структуре Транзисторы биполярные Транзисторы полевые pnp npn с pnпереходом с изолированным затвором с каналом nтипа с каналом pтипа со встроенным каналом с индуцированным каналом Принцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа и внутренней структуры поэтому подробная информация...

Русский

2015-05-12

28.53 KB

1 чел.

Классификация транзисторов.

      По основному полупроводниковому материалу

      Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металлических выводов, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или «металл-окисел-полупроводник»). Однако основными являются транзисторы на основе кремния, германия, арсенида галлия.

      Другие материалы для транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок, о графеновых полевых транзисторах.

       По структуре

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

p-n-p

n-p-n

с p-n-переходом

с изолированным затвором

с каналом n-типа

с каналом p-типа

со встроенным каналом

с индуцированным каналом

       Принцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа и внутренней структуры, поэтому подробная информация об этом отнесена в соответствующие статьи.

Биполярные

транзисторы n-p-n структуры, «обратной проводимости».

транзисторы p-n-p структуры, «прямой проводимости»

Полевые

с p-n переходом

с изолированным затвором

Однопереходные

Криогенные транзисторы (на эффекте Джозефсона)

Многоэммитерные транзисторы

Баллистические транзисторы

Одномолекулярный транзистор

Комбинированные транзисторы

     Транзисторы со встроенными резисторами— биполярные транзисторы со встроенными в один корпус резисторами.

    Транзистор Дарлингтона — комбинация двух биполярных транзисторов, работающая как биполярный транзистор с высоким коэффициентом усиления по току.

на транзисторах одной полярности

на транзисторах разной полярности

     Лямбда-диод — двухполюсник, комбинация из двух полевых транзисторов, имеющая, как и туннельный диод, значительный участок с отрицательным сопротивлением.

    Биполярный транзистор с изолированным затвором — силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами

       По мощности

1.По рассеиваемой в виде тепла мощности различают:

2.маломощные транзисторы до 100 мВт

3.транзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Вт

4.мощные транзисторы (больше 1 Вт).

       По исполнению

1.дискретные транзисторы

2.корпусные

3.для свободного монтажа

4.для установки на радиатор

5.для автоматизированных систем пайки

6.бескорпусные

7.транзисторы в составе интегральных схем.

       По материалу и конструкции корпуса

1.металло-стеклянный

2.пластмассовый

3.керамический