89400

Дрейфовые, бездрейфовые, однопереходные и лавинные транзисторы

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Основные характеристики транзистора определяются в первую очередь процессами происходящими в базе. В зависимости от распределения примесей в базе может существовать или отсутствовать электрическое поле. Если при отсутствии токов в базе существует электрическое поле которое способствует движению неосновных носителей заряда от эмиттера к коллектору то транзистор называют дрейфовым если же поле в базе отсутствует бездрейфовым. В дрейфовом транзисторе скорость носителей в базе увеличивается вследствие действия дрейфового поля что...

Русский

2015-05-12

50.05 KB

10 чел.

Дрейфовые, бездрейфовые, однопереходные и лавинные транзисторы.

      Основные характеристики транзистора определяются в первую очередь процессами, происходящими в базе. В зависимости от распределения примесей в базе может существовать или отсутствовать электрическое поле. Если при отсутствии токов в базе существует электрическое поле, которое способствует движению неосновных носителей заряда от эмиттера к коллектору, то транзистор называют дрейфовым, если же поле в базе отсутствует – бездрейфовым. По принципу действия дрейфовый и бездрейфовый транзисторы одинаковы. Отличаются они только механизмом переноса носителей через базовую область. В дрейфовом транзисторе скорость носителей в базе увеличивается вследствие действия дрейфового поля, что приводит к различиям в численных значениях параметров двух типов транзисторов.

     Структура дрейфового транзистора.

Рис. 1.1.

       Вследствие неравномерного распределения примесей в базе (рис. 1.2,г) существуют встречные диффузионные потоки электронов и дырок, которые приводят к образованию электрического поля в базе. Образование электрического поля можно объяснить следующим образом. Концентрация атомов донорной примеси в базе транзистора p-n-p-типа велика у эмиттера и мала у коллектора. Так же распределяется и концентрация свободных электронов, поскольку свободные электроны создаются вследствие ионизации атомов донорной примеси. Часть свободных электронов от эмиттера уходит к той части области базы, которая расположена у коллекторного перехода. Это перемещение создает избыточный положительный заряд ионов у эмиттерного и избыточный отрицательный заряд электронов у коллекторного перехода. Таким образом, создаются электрическое поле и наклон энергетических зон в базовой области (рис. 1.3). Электрическое поле в базе направлено от эмиттера к коллектору и, следовательно, способствует движению дырок в этом направлении.

     Исключительно широкое распространение получили биполярные транзисторы, имеющие два p-n-пере-хода. Различают два вида таких транзисторов: дрейфовые, в которых перенос неосновных носителей заряда через базу осуществляется главным образом посредством дрейфа, т. е. под действием ускоряющего электрического поля, и бездрейфовые, в которых такой перенос осуществляется главным образом посредством диффузии.

      Бездрейфовые транзисторы имеют во всем объеме базы одну и ту же концентрацию примеси. Вследствие этого в базе не возникает электрического поля и но– сители в ней совершают диффузионное движение от эмиттера к коллектору. Скорость такого движения меньше скорости дрейфа носителей в ускоряющем поле. Следовательно, бездрейфовые транзисторы предназначены для более низких частот, нежели дрейфовые.

     Однопереходный транзистор

     Помимо биполярных и полевых транзисторов существует так называемый однопереходный транзистор (ОПТ), представляющий собой кристалл полупроводника, в котором создан p-n переход, называемый инжектором:

     Этим переходом кристалл полупроводника разделяется как бы на две области базы. Поэтому однопереходный транзистор имеет и другое широко распространённое название - двухбазовый диод. Принцип действия транзистора основан на изменении объёмного сопротивления полупроводника базы при инжекции. В отличии от биполярных и полевых транзисторов ОПТ представляет собой прибор с отрицательным сопротивлением. Это означает, что в определённых условиях входное напряжение или сигнал могут уменьшаться даже при возрастании выходного тока через нагрузку. Когда ОПТ находится во включённом состоянии, выключить его можно только разомкнув цепь, либо сняв входное напряжение.
      Участок между базами образован кремниевой пластиной n-типа и имеет линейную вольтамперную характеристику, т.е. ток через этот участок прямо пропорционален приложенному межбазовому напряжению. При отсутствии напряжения на эмиттере (относительно Б1) за счёт проходящего I2 в базе 1 внутри кристалла создаётся падение напряжения Uвн, запирающее p-n переход, При подаче на вход небольшого напряжения Uвх=<Uвн величина тока, проходящего через переход,почти не изменяется. При Uвх>Uвн переход смещается в прямом направлении и начинается инжекция носителей заряда (дырок) в базы, приводящая к снижению их сопротивления. При этом уменьшается падение напряжения Uвн, что приводит к лавинообразному отпиранию перехода - участок II на воль-амперной характеристике:

       Участок III, справа от минимума, где эмиттерный ток ограничивается только сопротивлением насыщения, называется областью насыщения. При уменьшении эмиттерного напряжения до Uвх<Uвн переход закрывается. При нулевом токе базы 2 (т.е. вывод Б2 не используется) характеристика (кривая 2) представляет собой по существу характеристику обычного кремниевого диода.
        Однопереходные транзисторы применяются в различных схемах генераторов релаксационных колебаний, мультивибраторах, счётчиках импульсов, триггерных схемах управления тиристорами, генераторах пилообразного напряжения, делителях, реле времени, схемах фазового управления и др. Однако из-за малой скорости переключения и сравнительно большой потребляемой входной мощности они широкого распространения не получили.

      Лавинный транзистор

        Транзистор, устойчиво работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких к напряжению пробоя. В этих условиях имеет место ударная Ионизация, приводящая к увеличению числа носителей заряда в коллекторном переходе транзистора.

      Устойчивая работа Л. т. в предпробойной области обеспечивается повышенной однородностью распределения электрического поля по площади коллекторного перехода.

     Для изготовления Л. т. используются эпитаксиальные структуры р+-р и n+-n; базовая область Л. т. создаётся методом диффузии.

      Особенность Л. т. — возможность получения отрицательного сопротивления в цепи «эмиттер — коллектор» и быстрое нарастание силы тока в этой цепи.

      Л. т. применяется в генераторах коротких импульсов с крутым фронтом и позволяет относительно просто формировать мощные импульсы тока (до нескольких а) со временем нарастания импульса менее 10-9 сек. Возможность генерирования Л. т. коротких импульсов с частотой повторения до 100 Мгц используется в устройствах совпадения импульсов и в стробоскопических Осциллографах. Наличие участка отрицательного сопротивления на вольтамперной характеристике Л. т. и малое эффективное значение времени пролёта носителей заряда от эмиттера к коллектору позволяют применять его также в генераторах и усилителях электрических колебаний дециметрового и сантиметрового диапазонов волн.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

15748. Культура делового общения 1.42 MB
  Культура делового общения В пособии сделана попытка рассмотреть деловой разговор в сфере предпринимательской деятельности с позиций его речевой логической психологической и невербальной культуры а также на основе обобщения отечественного и зарубежного опыта оп...
15749. О СМЕЩЕНИИ ЖАНРОВ ЛИРИКИ ХХ ВЕКА 69.5 KB
  С.Ю. АРТЁМОВА Тверь О СМЕЩЕНИИ ЖАНРОВ ЛИРИКИ ХХ ВЕКА Вопрос о жанрах лирики как и вообще литературы поднимается в литературоведении с XIX века до сегодняшних дней1. Однако о чистых жанрах уместно говорить только применительно к поэзии XVIII века когда жанровые норм...
15750. К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ПОНЯТИЯ «ВТОРИЧНЫЙ ТЕКСТ» 46 KB
  О.А. ВЛАДИМИРОВА Тверь К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ПОНЯТИЯ ВТОРИЧНЫЙ ТЕКСТ Понятие вторичные текст обычно употребляется как клише литературными критиками. Так они обозначают произведения авторы которых изза недостатка таланта не в силах создать чтолибо оригинальное и в
15751. К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ПОНЯТИЙ «ЦИКЛ» И «ЦИКЛИЗАЦИЯ» 71 KB
  К определению понятий цикл и циклизация Е.Ю. АФОНИНА Тверь К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ПОНЯТИЙ ЦИКЛ И ЦИКЛИЗАЦИЯ В практике литературоведческих исследований традиционным является рассмотрение текстов в их взаимосвязи. Возникновение особого исследоват...
15752. СЕМИОТИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ ИНТЕРТЕКСТУАЛЬНОСТИ 49.5 KB
  А.В. БОРИСЕНКО Тверь СЕМИОТИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ ИНТЕРТЕКСТУАЛЬНОСТИ Интерес к работам Ч. Пирса обострившийся в последнее время в значительной мере связан с тем что его концепция знака оказалась в большей степени адекватна современным представлениям о природе комм...
15753. АРХИТЕКТОНИКА И СТРУКТУРА ТЕКСТА: ПОСТАНОВКА ПРОБЛЕМЫ (НА МАТЕРИАЛЕ РАССКАЗА И.А. БУНИНА «ПРЕОБРАЖЕНИЕ») 50.5 KB
  Л.Ю. ЧУНЁВА Тверь АРХИТЕКТОНИКА И СТРУКТУРА ТЕКСТА: ПОСТАНОВКА ПРОБЛЕМЫ НА МАТЕРИАЛЕ РАССКАЗА И.А. БУНИНА ПРЕОБРАЖЕНИЕ Понятие архитектоника часто встречается в литературоведческих исследованиях1 но его значение пока остается неопределенным. Даже в тех р
15754. ПОЭТИКА ОГЛАВЛЕНИЯ (СЕРГЕЙ ЕСЕНИН. «РАДУНИЦА») 99 KB
  Е.В. ВОЙТКЕВИЧ Тверь ПОЭТИКА ОГЛАВЛЕНИЯ СЕРГЕЙ ЕСЕНИН. РАДУНИЦА Оглавление возможности которого как смыслообразующего элемента текста практически не изучены принято рассматривать как вспомогательный элемент текста. Между тем оглавление способно играть в
15755. РУССКИЙ РОК: К ПРОБЛЕМЕ НАУЧНОЙ ДЕФИНИЦИИ 75.5 KB
  О.Э. НИКИТИНА Тверь РУССКИЙ РОК: К ПРОБЛЕМЕ НАУЧНОЙ ДЕФИНИЦИИ Изучение русского рока как национального варианта общекультурного феномена является сравнительно новой сферой научного интереса. Большинство исследований в этой области посвящено решению проблем час
15756. КАМЧАТКА КАК СОСТОЯНИЕ ДУШИ: К ВОПРОСУ О МЕТОДАХ ИССЛЕДОВАНИЯ РУССКОЙ РОК-ПОЭЗИИ 62 KB
  С.А. ПЕТРОВА СанктПетербург КАМЧАТКА КАК СОСТОЯНИЕ ДУШИ: К ВОПРОСУ О МЕТОДАХ ИССЛЕДОВАНИЯ РУССКОЙ РОКПОЭЗИИ Как известно романтизм третьей волны1 не смог бы образоваться без своих предшественников. И при исследовании литературных творений этой традиции конц