89401

Параметры, характеристики, принцип работы транзисторов

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Добавление некоторых примесей к кремнию или германию из которого изготавливают транзисторы увеличивает его способность проводить электрический ток изменяя его кристаллическую структуру. Кремний с примесью фосфора содержит избыток свободных электронов и называется кремнием nтипа. Ток в цепи эмиттерколлектор возникнет если концентрация неосновных носителей заряда гораздо меньше концентрации основных. В этом случае ток неосновных носителей настолько мал что его можно не учитывать.

Русский

2015-05-12

37.18 KB

0 чел.

Параметры, характеристики, принцип работы транзисторов.

       Транзисторы - полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Различают два вида транзисторов: биполярные и полевые.

       Добавление некоторых примесей к кремнию или германию, из которого изготавливают транзисторы, увеличивает его способность проводить электрический ток, изменяя его кристаллическую структуру. Кремний с примесью бора называется кремнием p-типа (от positive - положительный), поскольку в его кристаллической решетке не хватает электронов. Кремний с примесью фосфора содержит избыток свободных электронов и называется кремнием n-типа. На поверхности обеих сторон пластинки кремния наплавляют шарики примесных элементов. При нагревании до строго определенной температуры происходит диффузия (проникновение) примесных элементов в толщу пластинки полупроводника. В результате в толще пластинки возникают две области, противоположные ей по электропроводимости. Пластинка германия или кремния p-типа и созданные в ней области n-типа образуют транзистор структуры n-p-n, а пластинка n-типа и созданные в ней области p-типа — транзистор структуры p-n-p .

      Независимо от внутренней структуры транзистора его пластинку исходного полупроводника называют базой (Б), противоположную ей по электропроводимости область меньшего объема — эмиттером (Э), а другую такую же область большего объема — коллектором (К). Эти три электрода образуют два p-n перехода: между базой и коллектором — коллекторный, а между базой и эмиттером — эмиттерный. Каждый из них по своим электрическим свойствам аналогичен p-n переходам полупроводниковых диодов и открывается при таких же прямых напряжениях на них.

      Ток в цепи эмиттер-коллектор возникнет, если концентрация неосновных носителей заряда гораздо меньше концентрации основных. В этом случае ток неосновных носителей настолько мал, что его можно не учитывать. Однако ток коллекторного перехода ЭК можно резко увеличить, повысив концентрацию неосновных носителей в базе, если их туда инжектировать (впрыснуть) из эмиттера.

      Для этого необходимо движение носителей зарядов через эмиттерный переход. Для начала инжекции зарядов нужно подключить положительный полюс к n-области базы (npn) и отрицательный - к p-области эмиттера.

      При прохождении базы электроны могут рекомбинировать, в следствие чего создается ток "эмиттер-база". С этой целью толщина базы делается меньше длины дрейфа носителей заряда за время жизни. Таким образом большая часть инжектированных носителей успевает достичь перехода "коллектор-база" и втягивается электрическим полем в коллектор. Через транзистор начинает течь ток.

      Если напряжение с пары база-эмиттер снимается, электроны перестают втягиваться в область между коллектором и эмиттером, проводящий канал разрушается и транзистор перестает пропускать ток - "выключается". Таким образом, транзистор может находиться в двух состояниях - "включено" и "выключено". Такое "двоичное" поведение транзистора используется при обработке информации в компьютере.

      Движущихся частей в транзисторах нет, переключение из выключенного состояния во включенное и обратно происходит с помощью управляющего тока на эмиттереэлектрических сигналов. Включение и выключение транзисторов лежит в основе работы процессоров.

      Устройство, имеющее, подобно транзистору, два состояния, может быть названо двоичным. Включенное состояние транзистора можно обозначить единицей, а выключенное - нулем. Последовательностями и наборами нулей и единиц, вырабатываемых множеством транзисторов, можно представлять буквы, числа, цвета и графические объекты. Такой принцип называется двоичным представлением и используется в цифровой технике для хранения и передачи информации.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

43590. Синтез математической модели для расчета газонасыщенности потока (расход жидкости (5-35) м3/сут) по показаниям датчиков прибора «Ультрафлоу» и выбор вида модели с низкой погрешностью 1.02 MB
  В связи с этим возникла необходимость разработки математической модели для расчета газонасыщенности потока по показаниям датчиков прибора «Ультрафлоу».
43591. Безопасность и экологичность проектных решений к дипломному проекту 65.09 KB
  В этом разделе описаны некоторые рекомендации по организации труда при работе с ЭВМ а также требования представленные в СанПиН Опасные и вредные производственные факторы На рабочем месте инженерапрограммиста можно выделить следующие опасные факторы: повышенная или пониженная температура воздуха рабочей зоны; повышенная или пониженная влажность воздуха – обычно пониженная; повышенная или пониженная подвижность воздуха – скорость воздушного потока – может возникнуть переохлаждение или перегрев; повышенный уровень шума на рабочем...
43592. Обучение аппликации соломкой на занятиях изобразительной деятельности с детьми старшего дошкольного возраста 87.09 KB
  В работе с соломкой есть какая – то магическая притягательность. Сохранить традиции восстановить недостающее звено в цепи преемственности ремесленного и художественного опыта в какой – то мере помогут методические рекомендации поэтому крайнее важно обеспечить методическими рекомендациями по работе с соломкой учреждения дополнительного образования детей. Селивон не раз отмечали в своих трудах что ознакомление дошкольников с таким традиционным видом белорусского...
43593. Разработка модели платье для вечеринки «Баска» 113.1 KB
  На сегодняшний же день баску заслуженно считают одним из главных модных трендов 2012г - 2013г. Женственные образы с таким элементом были замечены во многих коллекциях Giorgio Armani, Christian Dior, Elie Saab, Chanel, Nina Ricci, Vera Vang, YSL, Loewe и других модных дизайнеров.
43595. Исследование стартовых культур LV1 и LV4 в производстве хлеба из пшеничной и ржаной муки 2.73 MB
  Традиционная технология приготовления ржаных сортов хлеба основана на приготовлении заквасок. Данная технология длительна и трудоемка. Кроме того имеет место развитие малых предприятий, которые часто работают по одно- или двусменному графику, и поэтому использовать традиционную технологию затруднительно.
43596. Экспериментальное исследование эффективности методики развития физических качеств дошкольников 5.19 MB
  Теоретическое обоснование проблемы развития физических качеств детей дошкольного возраста в процессе физической подготовленности. Характеристика и сущность изучения развития физических качеств. Двигательные навыки и возрастные анатомофизиологические особенности развития детей дошкольного возраста. Экспериментальное исследование эффективности методики развития физических качеств дошкольников.