89401

Параметры, характеристики, принцип работы транзисторов

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Добавление некоторых примесей к кремнию или германию из которого изготавливают транзисторы увеличивает его способность проводить электрический ток изменяя его кристаллическую структуру. Кремний с примесью фосфора содержит избыток свободных электронов и называется кремнием nтипа. Ток в цепи эмиттерколлектор возникнет если концентрация неосновных носителей заряда гораздо меньше концентрации основных. В этом случае ток неосновных носителей настолько мал что его можно не учитывать.

Русский

2015-05-12

37.18 KB

0 чел.

Параметры, характеристики, принцип работы транзисторов.

       Транзисторы - полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Различают два вида транзисторов: биполярные и полевые.

       Добавление некоторых примесей к кремнию или германию, из которого изготавливают транзисторы, увеличивает его способность проводить электрический ток, изменяя его кристаллическую структуру. Кремний с примесью бора называется кремнием p-типа (от positive - положительный), поскольку в его кристаллической решетке не хватает электронов. Кремний с примесью фосфора содержит избыток свободных электронов и называется кремнием n-типа. На поверхности обеих сторон пластинки кремния наплавляют шарики примесных элементов. При нагревании до строго определенной температуры происходит диффузия (проникновение) примесных элементов в толщу пластинки полупроводника. В результате в толще пластинки возникают две области, противоположные ей по электропроводимости. Пластинка германия или кремния p-типа и созданные в ней области n-типа образуют транзистор структуры n-p-n, а пластинка n-типа и созданные в ней области p-типа — транзистор структуры p-n-p .

      Независимо от внутренней структуры транзистора его пластинку исходного полупроводника называют базой (Б), противоположную ей по электропроводимости область меньшего объема — эмиттером (Э), а другую такую же область большего объема — коллектором (К). Эти три электрода образуют два p-n перехода: между базой и коллектором — коллекторный, а между базой и эмиттером — эмиттерный. Каждый из них по своим электрическим свойствам аналогичен p-n переходам полупроводниковых диодов и открывается при таких же прямых напряжениях на них.

      Ток в цепи эмиттер-коллектор возникнет, если концентрация неосновных носителей заряда гораздо меньше концентрации основных. В этом случае ток неосновных носителей настолько мал, что его можно не учитывать. Однако ток коллекторного перехода ЭК можно резко увеличить, повысив концентрацию неосновных носителей в базе, если их туда инжектировать (впрыснуть) из эмиттера.

      Для этого необходимо движение носителей зарядов через эмиттерный переход. Для начала инжекции зарядов нужно подключить положительный полюс к n-области базы (npn) и отрицательный - к p-области эмиттера.

      При прохождении базы электроны могут рекомбинировать, в следствие чего создается ток "эмиттер-база". С этой целью толщина базы делается меньше длины дрейфа носителей заряда за время жизни. Таким образом большая часть инжектированных носителей успевает достичь перехода "коллектор-база" и втягивается электрическим полем в коллектор. Через транзистор начинает течь ток.

      Если напряжение с пары база-эмиттер снимается, электроны перестают втягиваться в область между коллектором и эмиттером, проводящий канал разрушается и транзистор перестает пропускать ток - "выключается". Таким образом, транзистор может находиться в двух состояниях - "включено" и "выключено". Такое "двоичное" поведение транзистора используется при обработке информации в компьютере.

      Движущихся частей в транзисторах нет, переключение из выключенного состояния во включенное и обратно происходит с помощью управляющего тока на эмиттереэлектрических сигналов. Включение и выключение транзисторов лежит в основе работы процессоров.

      Устройство, имеющее, подобно транзистору, два состояния, может быть названо двоичным. Включенное состояние транзистора можно обозначить единицей, а выключенное - нулем. Последовательностями и наборами нулей и единиц, вырабатываемых множеством транзисторов, можно представлять буквы, числа, цвета и графические объекты. Такой принцип называется двоичным представлением и используется в цифровой технике для хранения и передачи информации.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

17914. Порядок погашения налогового долга 102.5 KB
  Лекция № 4. Порядок погашения налогового долга. План 1. Понятие налоговой обязанности 22.Возникновение изменение и прекращение налоговой обязанности 5 Исполнение налоговой обязанности 8 Понятие налогового долга 9 Порядок погашения налогового
17915. ВИДЫ ПРОВЕРОК НАЛОГОВЫХ ОРГАНОВ 269.5 KB
  ВИДЫ ПРОВЕРОК НАЛОГОВЫХ ОРГАНОВ План Виды налогового контроля. Программа проверки. Требования к документам проверяющих. Оформление результатов документальной проверки. Порядок изъятия документов. Обжалование действий налоговых органов. ...
17916. Упрощенная система налогообложения. Фиксированный налог с доходов вот предпринимательской деятельности 173.5 KB
  Упрощенная система налогообложения План Единый налог плательщики объект обложения. Условия перехода на упрощенную единую систему налогообложения. Ставки сроки уплаты и порядок учета единого налога СПД малого бизнеса Фиксированный налог...
17917. Таможенная пошлина, сбор 66.5 KB
  Тема № 14 Таможенная пошлина сбор. План Пошлина как источник доходов бюджета. Классификация пошлин их виды. Понятие единого таможенного тарифа. Элементы начисления и уплаты пошлины. Взимание пошлины и порядок перечисления в бюджет. Таможенный сбо...
17918. ПРЕДМЕТ, МЕТОДОЛОГІЯ І ЗАВДАННЯ КУРСУ РЕГІОНАЛЬНА ЕКОНОМІКА 145 KB
  Лекція 1 ТЕМА: ПРЕДМЕТ МЕТОДОЛОГІЯ І ЗАВДАННЯ КУРСУ План викладення і засвоєння матеріалу 1. Предмет і об'єкт регіональної економіки. 2. Метод і завдання регіональної економіки. 3. Регіональна економіка в системі наукових дисциплін. РЕКОМЕНДОВАНА
17919. ЗАКОНОМІРНОСТІ, ПРИНЦИПИ ТА ФАКТОРИ РОЗМІЩЕННЯ ПРОДУКТИВНИХ СИЛ 207 KB
  Лекція 2 ТЕМА: ЗАКОНОМІРНОСТІ ПРИНЦИПИ ТА ФАКТОРИ РОЗМІЩЕННЯ ПРОДУКТИВНИХ СИЛ План викладення і засвоєння матеріалу 1. Економічні закони і закономірності розміщення виробництва їх обєктивний характер. 2. Закономірності розміщення продуктивних сил. 3. Прин...
17920. НАУКОВІ МЕТОДИ ТЕРИТОРІАЛЬНОЇ ОРГАНІЗАЦІЇ ГОСПОДАРСТВА 153 KB
  Лекція 3 ТЕМА: НАУКОВІ МЕТОДИ ТЕРИТОРІАЛЬНОЇ ОРГАНІЗАЦІЇ ГОСПОДАРСТВА План викладення і засвоєння матеріалу 1. Методичні основи наукових досліджень. 2. Загальнонаукові методи. 3. Специфічні методи. 4. Міждисциплінарні методи. 5. Структурний аналіз в РПС. ...
17921. ЕКОНОМІЧНЕ РАЙОНУВАННЯ І ТЕРИТОРІАЛЬНА ОРГАНІЗАЦІЯ ПРОДУКТИВНИХ СИЛ 148 KB
  Лекція 4 ТЕМА: ЕКОНОМІЧНЕ РАЙОНУВАННЯ І ТЕРИТОРІАЛЬНА ОРГАНІЗАЦІЯ ПРОДУКТИВНИХ СИЛ План викладу і засвоєння матеріалу 1. Територіальний поділ праці. 2. Економічне районування як метод регулювання територіальної організації господарства. 3. Фактори принципи...
17922. НАУКОВІ ОСНОВИ ДЕРЖАВНОЇ РЕГІОНАЛЬНОЇ ПОЛІТИКИ 175.5 KB
  Лекція 6 ТЕМА: НАУКОВІ ОСНОВИ ДЕРЖАВНОЇ РЕГІОНАЛЬНОЇ ПОЛІТИКИ План викладення і засвоєння матеріалу 1. Сутність обєкти і субєкти та принципи державної регіональної політики. 2. Цілі і завдання регіональної політики. 3. Рівні регіонального управління і їх фу