89403

Классификация,параметры,характеристики и принцип работы полевых транзисторов

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором. Принцип действия МДП транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Условное обозначения МДП транзисторов приведены на рис.

Русский

2015-05-12

101.01 KB

1 чел.

Классификация,параметры,характеристики и принцип работы полевых транзисторов.

Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля (в биполярных транзисторах выходной ток управляется входным током).

Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в процессе протекания электрического тока участвуют только основные носители.

Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором. Для определенности вначале обратимся к так называемому полевому транзистору с управляющим p-n-переходом с каналом  p-типа.

Полевой транзистор с управляющим р-n- переходом – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р-n-переходом, смещенным в обратном направлении.

Рисунок 1 – Устройство полевого транзистора с управляющим р-n-переходом (каналом n- типа)

Рисунок 2 – Условное обозначение полевого транзистора
с р-n-переходом и каналом n- типа (а), каналом р- типа (б)

Полярность внешних напряжений, подводимых к транзистору, показана на рис. 1. Управляющее (входное) напряжение подается между затвором и истоком. Напряжение Uзи является обратным для обоих р-n- переходов. Ширина р-n- переходов, а, следовательно, эффективная площадь поперечного сечения канала, его сопротивление и ток в канале зависят от этого напряжения. С его ростом расширяются р-n- переходы, уменьшается площадь сечения токопроводящего канала, увеличивается его сопротивление, а, следовательно, уменьшается ток в канале. Следовательно, если между истоком и стоком включить источник напряжения Uси, то силой тока стока Iс, протекающего через канал, можно управлять путем изменения сопротивления (сечения) канала с помощью напряжения, подаваемого на затвор. На этом принципе и основана работа полевого транзистора с управляющим р-n- переходом.

При напряжении Uзи = 0 сечение канала наибольшее, его сопротивление наименьшее и ток Iс получается наибольшим.

Ток стока Iс нач при Uзи = 0 называют начальным током стока.

Напряжение Uзи, при котором канал полностью перекрывается, а ток стока Iс становится весьма малым (десятые доли микроампер), называют напряжением отсечки Uзи отс

Полевой тразистор с изолированным затвором.

Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП - транзистор) – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.

Принцип действия МДП - транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля.

Условное обозначения МДП - транзисторов приведены на рис. 6.

Рисунок 6 – Условное обозначение МДП - транзисторов:

а − со встроенным каналом n- типа;

б − со встроенным каналом р- типа;

в − с выводом от подложки;

г − с индуцированным каналом n- типа;

д − с индуцированным каналом р- типа;

е − с выводом от подложки

2.2. Характеристики и параметры полевых транзисторов

К основным характеристикам полевых транзисторов относятся:

·     стокозатворная характеристика – это зависимость тока стока IС от напряжения на затворе UЗИ (рис. 2.4, а);

·     стоковая характеристика – это зависимость IС от UСИ при постоянном напряжении на затворе (рис. 2.4, б)

IС = f (UСИ), при UЗИ = const.

 

Рис. 2.4. Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n переходом:а – стокозатворная (входная); б – стоковая (выходная)

 

Основные параметры полевых транзисторов:

·     напряжение отсечки;

·     крутизна стокозатворной характеристики. Она показывает, на сколько миллиампер изменится ток стока при изменении напряжения на затворе на 1 В (рис. 2.4, а)

 QUOTE S=∆Ic∆Uзи   , при UСИ = const,

;

·     внутреннее (или выходное) сопротивление полевого транзистора (рис. 2.4, б)

, при UЗИ = const;

·     входное сопротивление

.

Так как на затвор подаётся только запирающее напряжение, то ток затвора будет представлять собой обратный ток закрытого p-n перехода и будет очень мал. Величина входного сопротивления Rвх будет очень велика и может достигать 109 Ом.

Крутизна стокозатворной характеристики S (крутизна

характеристики полевого транзистора):

Обычно задается изн=0. При этом для транзисторов рассматриваемого типа крутизна максимальная. Для КП10ЗЛ S = 1,8...3,8 мА/В при иис = 10В, изн= 0, t = 20°С.

Внутреннее дифференциальное сопротивление Ruc диф

(внутреннее сопротивление)

Для КП10ЗЛ Ruc диф = 25 кОм при  иис=10В, изи=0.

Коэффициент усилен


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

16815. Проблемы классификации запасов и стандартизации запасов золота 56 KB
  Проблемы классификации запасов и стандартизации запасов золота Проблемы классификации запасов и стандартизации их разных типов в последнее время весьма актуальны для российских золотодобывающих компаний. Ведь правильная т.е. наиболее понятная инвестору классифик...
16816. Революция в геологии золота 42.5 KB
  Революция в геологии золота М.М. Константинов ПРИ слове революция мы поеживаемся уж слишком неоднозначными бывают иногда результаты. Между тем революции происходят непрерывно: и в науке и в технологиях и в духовном мире. С легкой руки академика А.Е.Ферсмана средн...
16817. Россыпные месторождения золота в Западной Якутии 148.5 KB
  Россыпные месторождения золота в Западной Якутии Округин Александр Витальевичдоктор геолого-минералогических наук ведущий научный сотрудник Института геологии алмаза и благородных металлов СО РАН ИГАБМ. Промышленная добыча золота в Якутии началась в 1923 г. с откр
16818. Современное состояние золотодобычи в России и потенциальные возможности юга Дальнего Востока по наращиванию минерально 54.5 KB
  Современное состояние золотодобычи в России и потенциальные возможности юга Дальнего Востока по наращиванию минеральносырьевой базы благородных металлов В последние годы в РФ под влиянием большого числа негативных факторов происходит сокращение производства золот
16819. СОВРЕМЕННЫЕ МОДУЛЬНЫЕ ЗОЛОТОИЗВЛЕКАТЕЛЬНЫЕ ФАБРИКИ 93 KB
  СОВРЕМЕННЫЕ МОДУЛЬНЫЕ ЗОЛОТОИЗВЛЕКАТЕЛЬНЫЕ ФАБРИКИ Романченко А.А. Научноисследовательский и проектный институт ТОМС Сенченко А.Е. Научноисследовательский и проектный институт ТОМС ООО НИиПИ ТОМС с 1995 года занимается научноисследовательскими работам...
16820. Структуры экранирования вулканогенных золоторудных месторождений 82.5 KB
  УДК 553 Структуры экранирования вулканогенных золоторудных месторожденийСулейманов М.О. старший научный сотрудник сектора благородных металлов Восточного Узбекистана ИМР ГОСКОМГЕО РУз; Поморцев В.В. главный геолог ОАО €œШаркий Курама€ ГОСКОМГЕО РУз; Прутик Е.В. техн
16821. Технологии добычи золота 52 KB
  Технологии добычи золота. В настоящее время золото добывают главным образом из руд причем не только золотых но и таких в которых основными полезными ископаемыми являются другие цветные металлы в частности медь цинк серебро свинец. В этом случае золото рассматривает...
16822. Технологические исследования для обоснования кондиций и подсчета запасов рудных месторождений 46 KB
  Технологические исследования для обоснования кондиций и подсчета запасов рудных месторождений В.Е.Дементьев Г.И.Войлошников ОАО Иргиредмет Золотодобыча №121 Декабрь 2008 Успешность проекта горнодобывающего предприятия во многом определяется правильным обосно...
16823. Технология попутного извлечения золота из полиметаллических руд 30 KB
  Технология попутного извлечения золота из полиметаллических руд Гравитационное обогащение Гравитационное обогащение руд коренных и рассыпных месторождений является одним из наиболее распространенных способов переработки широкого спектра полезных ископаемых.