89403

Классификация,параметры,характеристики и принцип работы полевых транзисторов

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором. Принцип действия МДП транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Условное обозначения МДП транзисторов приведены на рис.

Русский

2015-05-12

101.01 KB

1 чел.

Классификация,параметры,характеристики и принцип работы полевых транзисторов.

Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля (в биполярных транзисторах выходной ток управляется входным током).

Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в процессе протекания электрического тока участвуют только основные носители.

Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором. Для определенности вначале обратимся к так называемому полевому транзистору с управляющим p-n-переходом с каналом  p-типа.

Полевой транзистор с управляющим р-n- переходом – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р-n-переходом, смещенным в обратном направлении.

Рисунок 1 – Устройство полевого транзистора с управляющим р-n-переходом (каналом n- типа)

Рисунок 2 – Условное обозначение полевого транзистора
с р-n-переходом и каналом n- типа (а), каналом р- типа (б)

Полярность внешних напряжений, подводимых к транзистору, показана на рис. 1. Управляющее (входное) напряжение подается между затвором и истоком. Напряжение Uзи является обратным для обоих р-n- переходов. Ширина р-n- переходов, а, следовательно, эффективная площадь поперечного сечения канала, его сопротивление и ток в канале зависят от этого напряжения. С его ростом расширяются р-n- переходы, уменьшается площадь сечения токопроводящего канала, увеличивается его сопротивление, а, следовательно, уменьшается ток в канале. Следовательно, если между истоком и стоком включить источник напряжения Uси, то силой тока стока Iс, протекающего через канал, можно управлять путем изменения сопротивления (сечения) канала с помощью напряжения, подаваемого на затвор. На этом принципе и основана работа полевого транзистора с управляющим р-n- переходом.

При напряжении Uзи = 0 сечение канала наибольшее, его сопротивление наименьшее и ток Iс получается наибольшим.

Ток стока Iс нач при Uзи = 0 называют начальным током стока.

Напряжение Uзи, при котором канал полностью перекрывается, а ток стока Iс становится весьма малым (десятые доли микроампер), называют напряжением отсечки Uзи отс

Полевой тразистор с изолированным затвором.

Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП - транзистор) – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.

Принцип действия МДП - транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля.

Условное обозначения МДП - транзисторов приведены на рис. 6.

Рисунок 6 – Условное обозначение МДП - транзисторов:

а − со встроенным каналом n- типа;

б − со встроенным каналом р- типа;

в − с выводом от подложки;

г − с индуцированным каналом n- типа;

д − с индуцированным каналом р- типа;

е − с выводом от подложки

2.2. Характеристики и параметры полевых транзисторов

К основным характеристикам полевых транзисторов относятся:

·     стокозатворная характеристика – это зависимость тока стока IС от напряжения на затворе UЗИ (рис. 2.4, а);

·     стоковая характеристика – это зависимость IС от UСИ при постоянном напряжении на затворе (рис. 2.4, б)

IС = f (UСИ), при UЗИ = const.

 

Рис. 2.4. Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n переходом:а – стокозатворная (входная); б – стоковая (выходная)

 

Основные параметры полевых транзисторов:

·     напряжение отсечки;

·     крутизна стокозатворной характеристики. Она показывает, на сколько миллиампер изменится ток стока при изменении напряжения на затворе на 1 В (рис. 2.4, а)

 QUOTE S=∆Ic∆Uзи   , при UСИ = const,

;

·     внутреннее (или выходное) сопротивление полевого транзистора (рис. 2.4, б)

, при UЗИ = const;

·     входное сопротивление

.

Так как на затвор подаётся только запирающее напряжение, то ток затвора будет представлять собой обратный ток закрытого p-n перехода и будет очень мал. Величина входного сопротивления Rвх будет очень велика и может достигать 109 Ом.

Крутизна стокозатворной характеристики S (крутизна

характеристики полевого транзистора):

Обычно задается изн=0. При этом для транзисторов рассматриваемого типа крутизна максимальная. Для КП10ЗЛ S = 1,8...3,8 мА/В при иис = 10В, изн= 0, t = 20°С.

Внутреннее дифференциальное сопротивление Ruc диф

(внутреннее сопротивление)

Для КП10ЗЛ Ruc диф = 25 кОм при  иис=10В, изи=0.

Коэффициент усилен


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

14813. Оқу формалары 98.5 KB
  Оқу формалары Жоспары 1. Оқу формасы түсінігі 2. Оқу формаларының қалыптасуы мен жетіліп баруы 3. Оқу процесін ұйымдастыру формалары 4. Оқу түрлері 1. Оқу формасы түсінігі Оқушылардың білім мазмұнын игеру ісəрекеттері əрқилы формада жүзеге асып барады. Ла...
14814. Оқушылардың танымдық қызығушылығының теориясы 71 KB
  Оқушылардың танымдық қызығушылығының теориясы. Бiлiм беру жүйесi қоғамның әлеуметтiк – экономикалық дамуында жетекшi роль атқарады сондай – ақ оны әрi қарай айқындай түседi. Ал бiлiмнiң қалыптасып дамуының жалпы шарттары философияның негiзгi мәселесi – рухтың материяға ...
14815. Ойлау және оқыту үрдісінде оның дамытудың жолдары 61.5 KB
  Ойлау және оқыту үрдісінде оның дамытудың жолдары. Ойлау процесі объект пен субъектінің өзара әрекеті ретінде жүзеге асады.Ойлауды психологиялық тұрғыдан зерттеу дегенімізоның ішкі танымдық құпия мәнін және жемісті болуының себебін ашып көрсету яғни ойла
14816. ҚҰРАСТЫРУШЫДАН 167 KB
  ҚҰРАСТЫРУШЫДАН Адамның жеке басының алғашқы қалыптасуы отбасынан басталады. Оның ер жетіп өсуі бойындағы алғашқы адамгершілік белгілер отбасында қалыптасады сондықтан да туған үйдің жылуы – оның көкірегінде көп жылдар бойы сақталып мәңгі есінде жүреді. Ақын сөзі
14817. МЕН және МЕНІҢ ОТБАСЫМ 204.5 KB
  МЕН және МЕНІҢ ОТБАСЫМТөменгі сынып оқушыларына арналған әдебимузыкалық кеш. Дайындық кезеңі: Балаларға алдынала отбасы мүшелеріне арнап өлең шумақтарын ән жаттап келуге тапсырма беріледі. Безендірілуі: кітап көрмесі жасалып отбасы мүшелері туралы нақыл сөзд
14818. ОТБАСЫ – КӨРКЕМ ӘДЕБИЕТТЕ 210.5 KB
  ОТБАСЫ – КӨРКЕМ ӘДЕБИЕТТЕ Отбасы – адамның өте маңызды өте жауапты жан ұясы себебі отбасы адамға бақыт толық мәнді тыныстіршілік әкеледі. Отбасы қоғамдық құрылымның кіші тобы алғашқы ұясы. Қоғамның негізгі мақсаты – адамдарды бақытты ету ал мұның өзі терезесі т...
14819. СПИД (ЖҚТБ) және СЕНПАТРИК ДИКСОН 506 KB
  СПИД ЖҚТБ және СЕН ПАТРИК ДИКСОН МАЗМҰНЫ Автор жайлы бірер сөз Кіріспе: Сенушілер ЖҚТБға қарсы күрестің алдыңғы шебінде 1 Тарау: ЖҚТБ сізге де төніп тұрған қатер 2 Тарау: Вакцина дәрідәрмек және сақтандырғыштар 3 Тарау: Адамдар жиі қоятын сұрақтар 4...
14820. Жеке тұлғаның бейімділіктерін психодиагностикалық зерттеу тәсілдері 63 KB
  Жеке тұлғаның бейімділіктерін психодиагностикалық зерттеу тәсілдері Жеке тұлғаны психофизиологиялық тұрғыдан зерттеу оның психикалық және ақылой сапаларын болашақ мамандықтарына бейімділігін анықтап беруге және олардың жекелеген бөліктерін жетілдіру туралы ұс...
14821. Темперамент жөнінде түсінік 50.5 KB
  Темперамент жөнінде түсінік. Темперамент 25 ғасырдан бері ғылыми ойды қызықтырған мәселелердің бірі. Оған деген қызығушылықтың төркіні – адамдар бойында болатын дара өзгешеліктер. Әр адамның баланың жан дүниесі өз алдына бір болмыс. Оның қайталанбастығы бір жағына...