92006

Климат – энергетическая основа ландшафтных процессов, роль компонентов климата в формировании геосистем

Доклад

География, геология и геодезия

Устойчивый многолетний режим состояния атмосферы называют климатом. Климат ранжируется в зависимости от территориальных масштабов климатических процессов и региональной или локальной дифференциацией ПТК. Макроклимат отражает климатические черты высших региональных комплексов.

Русский

2015-07-27

30.3 KB

0 чел.

Климат – энергетическая основа ландшафтных процессов, роль компонентов климата в формировании геосистем.

Устойчивый многолетний режим состояния атмосферы называют климатом. Климат ранжируется в зависимости от территориальных масштабов климатических процессов и региональной или локальной дифференциацией ПТК.

Макроклимат отражает климатические черты высших региональных комплексов. Основная климатическая единица ландшафта – климат ландшафта. Климат урочища как локальная вариация климата ландшафта – местный климат, мезоклимат. Климат фации – микроклимат. Климат ландшафта складывается из 2 составляющих: фонового климата, отражающего общие черты микроклимата, и совокупности локальных климатов (мезо- и микро-). Наблюдения любой метеостанции характеризуют местный климат урочища, в котором расположена станция. Климат ландшафта определяется несколькими станциями, расположенными в типичных урочищах. Все климатические показатели в пределах отдельного ландшафта варьируют в некотором диапазоне и должны выражаться в диапазоне значений.

3.Климат – энергетическая основа ландшафтных процессов, роль компонентов климата в формировании геосистем.

Климат формирует общий характерланшавта в зависимости от его географического положения, те принадлежности к определенному поясу. Возникновение климата установлено на нескольких уровнях: макро-, мезо-, микровлияние.1)Макроклимат-среднее многолетнее состояние атмосферы, обусловленное энергетическим балансом зесли, в свою очередь зависящая от строения подстилающей поверхности. Частично считается что макроклимат зависит от деятельности человека. Такой комплекс влияний имеет глобальный характер. Горизонтальный ареал влияния макроклимата – деятки-тысячи км.Верхняя граница совпадает с границей тропосферы(10-15 км) . Формирование макроклиматических характеристиктерриторий я-сясоставлюющей горизонтальных пространственных компонентов ланшафта: атмасферы, суши, океана. Считается на макроклимат оказываютвлияниея процессы происходящзие в космосе.

2) Мезоклимат-Это климатические характеристики определенного региона.. Они приявляютсяприкоррективовки макроклиматических процессов различными компонентами ланшафта( рельеф, растительность, подземные воды, почв)В горных районах-это рельеф, на рвнинах основная роль принадлежитбиотическим компонентам.

3) Микроклимат- определяет режим погоды небольшой территории. Для нее харак-на однородная подстилающая поверхность(скелон с определенной экспозицией, определенныиым уровнем наклона,и характером поверхности) Микроклимат охватывает ареал размером от нескольких метров крадратных. Причем превышение точек ланшафта достигает от 1 м.

Климатообразующие процессы происходят при воздействии ряда географических факторов, основными из которых являются: 1) Географическая широта, определяющая зональность и сезонность в распределении приходящей к Земле солнечной радиации, а с нею и температуры воздуха, атмосферного давления и пр.; широта влияет на условия ветра и непосредственно, поскольку от неё зависит отклоняющая сила вращения Земли. 2) Высота над уровнем моря3 ) Распределение суши и моря 4) Орография. Горные хребты и массивы с различной экспозицией склонов создают крупные возмущения в распределении воздушных течений, температуры воздуха, облачности, осадков и пр. 5) Океанические течения. 6) Характер почв 7) Растительный покров 8) Снежный и ледовый покров. 9) Состав воздуха В основе климатического районирования Земли . Эти показатели определяют теплообмен и теплоемкость.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

37898. ИЗУЧЕНИЕ ПРИНЦИПА РАБОТЫ ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА 3.81 MB
  Если полная энергия частицы Е U0 то с классической точки зрения частица может двигаться либо в области I где х 0 либо в области III где х d. Частица полная энергия которой меньше высоты потенциального барьера U0 не может с классической точки зрения перейти барьер из области I в область III. Волновая функция в этом случае отлична от нуля и в области II даже при значениях Е U0.1 для области II...
37899. Исследование космического излучения 1.03 MB
  Изучение поглощения космического излучения в свинце9 3. Изучение углового распределения интенсивности космического излучения.12 Лабораторная работа № 88 Исследование космического излучения 1. Цель работы 1 изучение зависимости интенсивности космического излучения от толщины пройденных им свинцовых пластин; 2 проверка феноменологической формулы зависимости интенсивности космического излучения от угла наблюдения.
37900. ИЗУЧЕНИЕ ПРОБЕГА -ЧАСТИЦ В ВОЗДУХЕ 568.16 KB
  Методические указания знакомят студентов с явлением радиоактивности и с механизмами потери энергии электронов при их прохождении через вещество. Студентам предоставляется возможность эксперементально исследовать зависимость интенсивности лучей от толщины слоя воздуха и определить линейный коэффициент поглащения а также оценить верхнюю границу энергии спектра и выявить наиболее важный механизм потерь энергии электронов при их движении в воздухе. Оценить верхнюю границу энергии спектра и выявить наиболее важный механизм...
37901. Изучение явления внешнего фотоэффекта 70.5 KB
  Контрольные вопросы8 Список литературы8 Лабораторная работа № 93 Изучение явления внешнего фотоэффекта 1. Цель работы Снятие вольт амперной характеристики внешнего фотоэффекта изучение законов внешнего фотоэффекта определение постоянной Планка. Типичная вольт амперная характеристика фотоэффекта т. Таким образом опытным путем установлены следующие основные законы внешнего фотоэффекта: 1.
37902. Определение концентрации и подвижности носителей тока в полупроводнике методом эффекта холла 335.5 KB
  Эффект Холла 4 2. Физическая природа эффекта Холла 5 3. Контрольные вопросы 13 Список литературы 13 Лабораторная работа № 98 Определение концентрации и подвижности носителей тока в полупроводнике методом эффекта холла 1.
37903. ИЗУЧЕНИЕ ДИФРАКЦИИ СВЕТА НА ПРОСТЕЙШИХ ПРЕГРАДАХ И ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКЕ 260.5 KB
  Дифракция света на щели. Экспериментальное определение с помощью дифракции света ширины щели и размеров мельчайших круглых частиц. Дифракция света на щели Рассмотрим дифракцию в параллельных лучах дифракцию Фраунгофера на одной щели.2 и пусть b λ это условие позволяет не учитывать так называемые краевые эффекты обусловленные взаимодействием электромагнитного поля падающей световой волны с веществом щели.
37904. КАЧЕСТВЕННЫЙ И ПОЛУКОЛИЧЕСТВЕННЫЙ СПЕКТРАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ СПЛАВОВ 4.23 MB
  Определить процентное содержание химического элемента в сплаве. Спектр каждого элемента является строго его индивидуальной характеристикой и поэтому может быть использован для анализа вещества. Атом состоит из положительно заряженного ядра в котором сосредоточена практически вся его масса и отрицательно заряженных электронов число которых в нейтральном атоме совпадает с порядковым номером элемента в периодической системе Менделеева. На энергетических схемах возможные значения энергии атома изображаются горизонтальными линиями причем все...
37905. Исследования полупроводникового диода 566 KB
  С точки зрения зонной теории полупроводниками являются кристаллические вещества у которых при 0 К валентная зона полностью заполнена электронами а ширина запрещенной зоны невелика например для германия она равна 072 эВ. Выясним природу этих носителей на примере полупроводника из германия. Все атомы германия нейтральны и связаны друг с другом ковалентными связями. Чтобы создать проводимость необходимо разорвать хотя бы одну из связей удалив из атома германия электрон и перенеся его в какуюлибо другую кристаллическую ячейку где все...
37906. Изучение статических характеристик и определение коэффициента усиления транзистора 84.5 KB
  Инжекция носителей тока. Инжекция носителей тока В основе работы транзистора лежит явление полупроводников р и n типа рn переход к которому приложено внешнее электрическое поле в пропускном прямом направлении рис.1 В этом случае потенциальный барьер основных носителей на границе рn перехода снижается и под влиянием внешнего поля дырки переходят из р в n полупроводник а электроны в обратном направлении из n в р полупроводник и в цепи возникает прямой ток. Процесс рекомбинации происходит не...