94544

Специализированные микросхемы, их особенности. Конструктивно-технологическая реализация специализированных микросхем. Принципы матричного построения микросхем. Ускоренные методы проектирования микросхем

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Для получения БИС с заданными функциями отдельные элементы внутри ячеек и сами ячейки соединяются токоведущими дорожками. В конкретной БИС исполненной на БМК обычно используются не все топологические ячейки что определяется функциональными особенностями микросхемы.

Русский

2015-09-14

14.56 KB

4 чел.

Специализированные микросхемы, их особенности. Конструктивно-технологическая реализация специализированных микросхем. Принципы матричного построения микросхем. Ускоренные методы проектирования микросхем. При производстве радиоэлектронной продукции использование многофункциональных специализированных микросхем, требующих минимального количества внешних компонентов, позволяет значительно сократить время разработки конечного устройства и производственные затраты. Проблемы, решаемые при конструировании новейших МЭВС: выбор конструкции, получение достаточно мощных быстродействующих устройств на основе полупроводниковых приборов, обеспечение теплового режима, а также компоновки и соединений, обеспечение надежности, управление качеством, снижение стоимости. Основные тенденции и особенности конструирования МЭВС: модульное конструирование из БГИС, увеличение плотности упаковки монтажных соединений и повышение их надежности, увеличение эффективности систем теплоотвода и уменьшение габаритов и масс систем охлаждения, сокращение циклов проектирования и производства МЭВС на основе машинных методов. Перспективы развития конструкций ЭВС на основе совершенствования элементной базы. Фундаментальные теоретические пределы и ограничения. Фундаментальная микроэлектроника как средство преодоления ограничений. Перспективные ФМЭ-приборы: приборы на основе плазменных явлений в твердых телах; приборы на магнитных явлениях, оптоэлектронные и квантовые приборы. Базовый матричный кристалл – это набор топологических ячеек или простых ИС, расположенных в виде матрицы, между элементами которой отсутствуют соединения. Для получения БИС с заданными функциями отдельные элементы внутри ячеек и сами ячейки соединяются токоведущими дорожками. В конкретной БИС, исполненной на БМК, обычно используются не все топологические ячейки, что определяется функциональными особенностями микросхемы. Другой принцип формирования заданной структуры БИС на БМК состоит в первоначальном создании кристалла, в котором выполнены все возможные межсоединения элементов. Затем в нужных местах межсоединений делаются разрывы путем локального удаления материала межсоединения методом разрушения. Программируемые логические матрицы. Существенным недостатком описанных выше БИС на БМК является то, что формирование структуры БИС может быть выполнено только в рамках логической структуры, определенной их разработчиками. Значительно большую гибкость обеспечивают программируемые пользователем логические матрицы ПЛМ. Это специализированные БИС, внутренняя структура которых, подобно БМК, состоит из матрицы базовых логических ячеек и межсоединений, но конфигурация отдельных ячеек и связей между ними осуществляется с помощью специальной схемы, расположенной на этом же кристалле. Базовые ячейки могут реализовать логические операции И или операции ИЛИ над входными переменными.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

49426. Анализ линейной динамической цепи 490 KB
  Электрическим фильтром называется четырехполюсник, пропускающий без ослабления или с малым ослаблением колебания определенных частот и пропускающий с большим ослаблением колебания других частот.
49427. Проектирование линейной автоматической системы управления 1.05 MB
  Цель работы: для заданного объекта регулирования требуется спроектировать АСР с заданным типом регулятора (ПИ-регулятор). Процесс проектирования состоит из следующих этапов: Анализ объекта регулирования. Определение оптимальных настроек ПИ-регулятора. Анализ функционирования АСР с оптимальными настройками. Анализ устойчивости спроектированной АСР.
49428. Разработка рациональной системы применения удобрений в СПК «Кировский» Московской области Лотошинского района 252.5 KB
  Тимирязева Кафедра агрономической и биологической химии и радиологии Курсовой проект на тему: Разработка рациональной системы применения удобрений в СПК Кировский Московской области Лотошинского района Выполнила:. Поэтому научно обоснованная и практически обкатанная система применения удобрений играет ключевую роль в создании высококачественного урожая в количествах достаточных для прибыльного ведения сельского хозяйства. Система удобрения в севообороте это план применения органических и минеральных удобрений в котором...
49429. МОДЕЛИРОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ПРИ ПРОЕКТИРОВАНИИ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ 68.83 KB
  Исходные данные технические требования: усилитель низкой частоты класса А Коэффициент усиления в схеме ОС по току: Напряжение питания В: Ток коллектора в рабочей точке мА: Диапазон частот исследования усилителя: 50Гц 100кГц 7. Содержание работы: измерение основных параметров биполярного транзистора БТ иформирование его моделей малого и большого сигнала; расчет схемы усилителя низкойчастоты на биполярном транзисторе методом малого сигнала графоаналитическим методом методом компьютерного моделирования; экспериментальное...
49430. Динамический синтез машинного агрегата по коэффициенту неравномерности 1.28 MB
  Структурный анализ рычажного механизма. Определение кинематических характеристик рычажного механизма. Построение планов положений механизма. Определение приведенного момента инерции IпII звеньев рычажного механизма с переменным моментом инерции.
49432. Расчет трехсекционного микрополоскового p-i-n диодного модулятора 133 KB
  Построим частотные характеристики модулятора при закрытых и открытых диодах для варианта двух и трех диодов взяв расстояние между диодами из пункта 1 и 2 соответственно. Для закрытых диодов проводимость равна Частотная характеристика потерь будет равна: где Гвх коэффициент отражения на входе: для двух диодов будет равен для трех диодов будет равен Графики частотных характеристик для варианта двух и трех закрытых диодов Для открытых диодов проводимость равна Найдем характеристику потерь для двух диодов Найдем характеристику потерь для трех...
49433. Выбор и обоснование технологической схемы очистных работ 38.67 KB
  Сравним технические характеристики комбайна с условиями данной лавы комбайны удовлетворяющие условиям данной лавы: МК67М типоразмер 1 2 3 4 работающий со става конвейера СП48М СП202; 1К101У типоразмер 1 и 2 работающий со става конвейера СП87ПМ СП202; Выбираем комбайн 1К101У типоразмер 1 работающий со става конвейера СП87ПМ имеющие технические характеристики: Наименование показателя 1К101У 1 типоразмер Применение в лаве со стоечной крепью Применяется Вынимаемая мощность пласта м минимальная максимальная 071 118 Угол...