95080

Расчет бестрансформаторного усилителя мощности с двухполярным питанием

Курсовая

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Выбираем типы транзисторов VTI VT3 из условия что где - максимальная постоянная рассеиваемая мощность коллектора; UK - максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер выбранного типа транзистора; Iки - максимальный импульсный ток коллектора; IК - максимальный постоянный ток коллектора; - минимальные значения...

Русский

2015-09-19

327.5 KB

8 чел.

Калининградский государственный технический университет

 

КАФЕДРА АВТОМАТИЗАЦИИ ПРОИЗВОДСТВЕННЫХ ПРОЦЕССОВ

Курсовая работа Курсовая работа защищена

  Допущена к защите с оценкой ______________

________________________ _______________________

Руководитель Шамаев Е.П. Руководитель Шамаев Е.П

“  ”  2015г.   “  ”  2015г.

КУРСОВАЯ РАБОТА

По   электронике

КР.62. 210200. 2Д.60

                                                                                                Работу выполнил:

                                                                                              студент группы 12-АП

                                                                                               Михайлов Евгений

                                                                                                   

     Калининград

2014

Содержание

Задание                                                  с.3                        Расчет бестрансформаторного усилителя мощности с двухполярным питанием      с.4

Расчет бестрансформаторного усилителя мощности (УМ) с двухполярным питанием                                                                                                                        с.4                                       

Список используемой литературы                                                                             с.11

Задание

Рассчитать усилитель мощности с источником питания 25В4,где

В - двухполярный УМ с импульсным стабилизатором напряжения;

=25 Вт; Rн =4 Ом.

Расчет бестрансформаторного усилителя мощности (УМ) с двухполярным питанием

Принципиальная электрическая схема УМ с двухполярным питанием

Максимальная мощность усилителя данной схемы в основном зависит от сопротивления нагрузки и напряжения питания операционного усилителя.

Исходные данные для расчета:

- максимальная выходная мощность усилителя, Вт;

- сопротивление нагрузки, Ом

Расчет

1.Определяем с небольшим запасом мощность, отдаваемую резисторами выходного каскада в нагрузку:

, Вт.

P=1.1·25=27.5 Вт

2.Находим максимальное и среднее значения коллекторного тока транзисторов одного плеча за период

Iкmax==3.708 А 

Iср==1.18 А

3. Рассчитываем амплитуду напряжения на нагрузке

, В.

Uнmax=3.71·4=14.84 B

4.Вычисляем напряжение источника питания

 В

E=18 B

5. Определяем мощность, рассеиваемую на коллекторе транзисторов одного плеча  за полный период сигнала:

    P к13==8.18 Вт

6.  Определяем мощности рассеивания и токи коллекторов транзисторов одного плеча

                         

 

Pk1=0.9·8.18 =7.36 Вт                 

     Ik1ср=0.1·3.71=0.371 А

Ik1max=0.9·3.71=3.337 A

Pk3=0.1·8.18 =0.82 Вт

Ik3ср=0.1·1.18 =0.118 А

Ik3max=0.9·1.18=1.063 A

7. Выбираем типы транзисторов VTI, VT3 из условия, что

 

где - максимальная постоянная рассеиваемая мощность коллектора;

UK - максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер выбранного типа транзистора;

Iки - максимальный импульсный ток коллектора;

IК - максимальный постоянный ток коллектора;

,- минимальные значения коэффициентов усиления току транзисторов VTI, VT3.

VT1 и VT3- КТ825E

8.Выбираем типы транзисторов VТ2, VT4 другой проводимости, составляющих комплементарную пару с транзисторами VTI, VT3 соответственно.

VT2 и VT4- КТ827В

9. Рассчитываем площадь радиаторов под транзисторы VTI и VT2 по формуле

, см2,

где - температура перехода транзистора, °С;

- максимальная температура окружающей среды;

- тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт.

    Sохл1==81.37 см

10. Определяем значения резисторов , :

, Ом.

R12=R13==4.23 Ом

Вычисляем мощность рассеивания резисторов по формуле

PR12=PR13=0.118·4.23=0.06 Вт

11. Рассчитываем максимальное значение базового тока транзистора VT3.

,

IБ3==0.0005 А                                         IБ1==0.004А

Если IБЗ>5 мА, необходимо поставить вместо одного транзистора VT3 два соединенных по схеме составного транзистора. Коэффициент усиления по току составного транзистора можно определить по формуле  

 12. Рассчитываем значения сопротивлений резисторов R7, R10 , R8,R11,R9.

;

,

где  - ток делителя напряжения R7, VD1, R4, R6;

= 1…2 мА;

R7=R8==7.22 кОм  

; ;

R10=R11=-7216=29.19  кОм

2- ток делителя напряжения R7, VD1, VD2, R9, R8;

R9===303 Ом

13. Выбираем тип диодов VD1, VD2 из условия

,

где  - постоянный прямой ток диода.

VD1,VD2-КД104А 

 Технические параметры:

Максимальное постоянное обратное напряжение, В                      300

Максимальное импульсное обратное напряжение, В                      300

Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток, А                0.01

Максимально допустимый прямой импульсный ток, А                      1

Максимальное прямое напряжение, В                                         1

при Iпр., А                                                              0.01                             Рабочая температура, С                                                -60…70                    

Корпус                                                                     kd30                        

 

14. Находим значения резисторов R4, R5 и R6.

; .

Сопротивление резистора R6 выбираем равным .

R4=R5==32 кОм

R6=2·32=64  кОм

15.Выбираем быстродействующий тип ОУ с напряжением питания ±ЕК и выписываем его основные паспортные данные.

AD812

Каналов,шт

2

Vвходное напряжение смещения нуля  (тип.),мВ

12

I входной ток смещения (тип.),нА

38000

Полоса пропускания (тип.),МГц

145

Slew Rate (максимальная скорость нарастания выходного напряжения) (тип.),В/мкс

1600

CMRR (коэффициент ослабления синфазного сигнала) (тип.),дБ

58

Gain (коэффициент усиления) (тип.),дБ

76

Shutdown (энергосберегающий режим ост.)

Нет

VCC,В  диапазон напряжения питания

от 2.4 до 36

ICC на канал (макс.),мА   макс. потребляемый ток каждого канала

5.5

TA,°C  диапазон рабочих температур

от -40 до 85

Корпус

DIP-8 SOIC-8

16. Выбираем значение сопротивления R1 = 10 к, чтобы входное сопротивление усилителя k.

R1=Ом

17. Устанавливаем коэффициент усиления по напряжению усилителя, например,    равным 49, тогда значение резистора R2 можно вычислить

R2=

R2=Ом

 18. Вычисляем ёмкость разделительного конденсатора C1 по формуле

где ; ; .

С1==0,18 мкФ


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

22492. Визуальная среда обучения программированию на языке Haskell 450 KB
  Язык программирования Haskell – это «ленивый» функциональный язык программирования с полиморфизмом типов. Основное понятие в нем – это функции. Но функции есть в любом языке программирования! В языках Pascal, Java...
22493. Разработка средств поддержки процесса проектирования интерфейсов 230 KB
  Однако качество цифровых продуктов с точки зрения взаимодействия с пользователем оставляло желать лучшего. Причина кроется в том, что определением конечной формы и поведения программ занимались программисты, ориентированные на качественное и быстрое выполнение технической стороны.
22494. SELECT в SQL Oracle. Основные возможности 335 KB
  1] Основные фразы запроса: SELECT и FROM [3.1] Фраза SELECT [3. В противном случае вы должны иметь привилегию SELECT по отношению к таблице.
22495. ОБРАБОТКА, ХРАНЕНИЕ И ВИЗУАЛИЗАЦИЯ ДАННЫХ ДЛЯ ЗАДАЧ КАРДИОМОНИТОРИНГА 1.92 MB
  В данной работе изучается задача кардиомониторинга; рассматриваются основные понятия, связанные с построением электрокардиограммы; вводится понятие кардиорегистратора, описываются виды регистрации показаний. Ставится задача о разработке программного обеспечения, которое будет принимать поток данных, разбивать его на отведения
22496. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ МНОГОПОТОЧНОСТИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ГРАФИЧЕСКОГО JAVA - ПЛАТФОРМЕРА 1.36 MB
  Android - это открытая платформа, основанная на ядре Linux. Установлена она на тысячах устройствах широкого круга производителей. Android предоставляет приложения для всех видов оборудования, которые только можно представить в виде современных мобильных устройств
22497. Разработка компилятора расширяемого языка системного программирования 194 KB
  В ходе работы были описаны лексика и синтаксис языка, а также были приведены ключевые алгоритмы этапы генерации кода и рассмотрен пример практического использования. Результатом стала реализация компилятора на C# и набора библиотек для нового языка, описывающих конструкции...
22498. Обязательное подтверждение соответствия в Таможенном союзе. Объекты, формы, схемы. Перечни продукции, подлежащей декларированию и обязательной сертификации 18.75 KB
  Суть принятых решений состоит в том, чтобы максимально минимизировать риски негативного воздействия на граждан и в целом на национальную безопасность государств - членов Таможенного союза при использовании потреблении) товаров, производимых за его пределами.
22499. Использование дидактических игр на уроках у учащихся младших классов 134 KB
  Значение использования игр в младшем школьном возрасте велико и потому, что в процессе игровой деятельности наряду с умственным развитием осуществляется физическое, эстетическое, нравственное воспитание. Выполняя правила игры, ребята приучаются сдерживаться, контролировать свое поведение
22500. Особливості особистості та сімейної соціалізації адоптованих, дезадоптованих студентів 265.5 KB
  Определить степень адаптированности (дезадаптированности) студентов-первокурсников. Выявить основные стили родительского семейного воспитания у первокурсников с низким и высоким уровнем адаптации. Выявить различия в уровнях личностной и ситуативной тревожности у адаптивных (дезадаптивных) студентов.