95889

Греческая архитектура 2-й половины V века до н.э. Постройки в Аттике, на Пелопонессе и побережье Малой Азии (Гефестейон в Афинах, храм Посейдона на мысе Сунион, храм Аполлона в Фигалии и храм Афины в Милете)

Доклад

Культурология и искусствоведение

Постройки в Аттике на Пелопонессе и побережье Малой Азии Гефестейон в Афинах храм Посейдона на мысе Сунион храм Аполлона в Фигалии и храм Афины в Милете Гефестейон в Афинах Наиболее сохранившийся греческий античный храм. Это храм дорического ордера расположенный на северо-западной стороне Афинской Агоры.

Русский

2015-09-30

1.33 MB

0 чел.

Греческая архитектура 2-й половины V века до н.э. Постройки в Аттике, на Пелопонессе и побережье Малой Азии (Гефестейон в Афинах, храм Посейдона на мысе Сунион, храм Аполлона в Фигалии и храм Афины в Милете)

Гефестейон в Афинах

Наиболее сохранившийся греческий античный храм. Это храм дорического ордера, расположенный на северо-западной стороне Афинской Агоры. Сооружался в период 449415 годов до н.э. и был посвящен богу Гефесту. Архитектор неизвестен, но это тот же зодчий, который построил храм на мысе Сунион и храм Ареса на Агоре. Шесть колонн на узкой и тринадцать колонн на длинной стороне.

Храм Посейдона в Сунионе

Храм стоит на высоте 73 метров от уровня моря и построен в дорическом стиле. Внутри храма стояла статуя Посейдона. На Сунионе находилось святилище, которое включало в себя, помимо храма Посейдона, и храм, построенный в честь богини мудрости Афины. На открытой площадке храма стояли статуи, в качестве даров богам, преподнесенных городом или знатными афинянами. Одна из них - «Курос Суниона» - выставлена в Национальном археологическом музее.

Храм Аполлона в Фигалии (Храм Аполлона в Бассах)

На одиноком, поросшем дубами плоскогорье, называвшемся Бассами, близ Фигалии, Иктину предстояло перестроить в большой храм маленькую капеллу Аполлона Эпикурия. Как и во всех других известных нам случаях деятельности Иктина, он был здесь только автором проекта, исполнителями которого являлись, другие архитекторыПроект Иктина относится к 20-м годам V века. Храм Аполлона был выстроен иэ известняка. В его отделке не найти ни изящных деталей и профилировок, ни такого тонкого расчета курватуры, как в Парфеноне, но зато самый план поражает смелостью и оригинальностью своего замысла. В отличие от всех греческих храмов, храм в Бассах был ориентирован не с востока на запад, а с севера на юг; возможно, что такое расположение диктовалось самыми условиями почвы и наличием первоначального святилища, но нужна была смелость гения, чтобы найти выход, который, внешне как будто пренебрегая традициями, вместе с тем давал им внутреннее удовлетворение. Иктин нашел выход в том, что сзади присоединил к целле нового храма помещение старого святилища, в котором помещалась культовая статуя Аполлона, причем сохранил старый вход в эту капеллу Аполлона, который выходил на восток, и, таким образом наперекор традициям, оказался в продольной стороне храма. Снаружи храм имел вполне традиционный дорийский облик, но отличался непривычной длиной (шести колоннам по фасаду соответствовали по боковым сторонам не тринадцать, а пятнадцать колонн 6:15). Зато совершенно по-новому была задумана внутренность храма. В центре целлы пол был слегка опущен. По боковым стенам целлы короткие выступы образовывали ниши, вероятно, предназначенные для помещения статуй; причем два отрезка стен были расположены по диагонали. Выступы завершались полуколоннами на очень широких базах, увенчанными трехгранными ионийскими капителями, небывалыми ни до, ни после Иктина. Довершалась эта удивительная комбинация неожиданных элементов, во-первых, одинокой коринфской колонной, которая отделяла целлу от капеллы Аполлона, а во-вторых, тем, что фигурный фриз обходил не с наружной стороны целлы, как обычно, а украшал ее внутренние стены. Все эти нововведения интересны не только сами по себе, но и как показатель общего стремления Иктина перенести центр тяжести с наружной массы храма на внутреннее его пространство. Перед нами — первая попытка осуществить идею интерьера, до сих пор чуждую греческой архитектуре. Архитектура тех эпох, которые проявляют особенный интерес к человеческой душе, всегда характеризуется перевесом интерьера над экстерьером.

Присматриваясь к этой попытке Иктина создать новую концепцию внутреннего пространства, естественно задать вопрос об освещении целлы храма. Обычное освещение через входные двери, разумеется, было совершенно недостаточно для фриза. Как было выяснено при раскопках храма в Бассах, часть мраморных черепиц крыши храма имела в середине отверстие, которое особым обрамлением было защищено от стока воды. Совершенно несомненно, что эти черепицы с отверстиями предназначались для освещения. Поэтому следует предполагать, что храм Аполлона в Бассах имел и потолок и крышу. Таким образом, Иктину принадлежит заслуга не только нового подхода к организации внутреннего пространства, но и постановки, впервые, проблемы освещения этого внутреннего пространства.

Наконец, храм Аполлона в Бассах был первым храмом, где одновременно участвовали все три ордера, где впервые появляется коринфская капитель.

Храм Афины в Милете

Периптериальный храм Афины в Милете. Ионийский храм, возведенный на подии вблизи Театральной бухты, приписан Афине на основании надписи на мраморном квадре архаического времени, найденном во вторичном использовании в стене театральной скены римского времени, а также граффити на аттической чернофигурной вазе и двух надписей бустрофедоном (способ письма, при котором направление написания чередуется в зависимости от чётности строки) на верхнем и нижнем фустах колонны с посвящениями Афине.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

69001. ІНДИКАТОРНІ ЕЛЕКТРОННО-ПРОМЕНЕВІ ПРИЛАДИ 93 KB
  Конструкція та принцип роботи В електронно-променевій трубці ЕПТ електричний сигнал перетворює ться в світловий. Конструкція ЕПТ Під час попадання електричного променю на люмінофор з останнього вибиваються вторинні електрони. ЕПТ поділяються на три групи: осцилографічні індикаторні кінескопи.
69002. Шуми електронних приладів. Фізична природа шумів 186.5 KB
  Шуми або флюктуації є випадковими процесами. Виникають з подачею напруги живлення на електроди елементу. Їх можна прослуховувати через динамік на вході радіоприймача і підсилювача або побачити на екрані осцилог-рафа. Шуми накладаються на корисні сигнали та рівні постійних напруг і струмів живлення...
69003. P-n перехід у стані рівноваги. Утворення електронно-діркового переходу 342.5 KB
  Розглянемо напівпровідник н п який має дві прилеглих області: одна з провідністю nтипу друга pтипу. Оскільки концентрація дірок у дірковій області pp напівпровідника вище ніж в електронній pn а концентрація електронів у електронній області nn вище ніж у дірковій np між областями буде існувати...
69004. ФІЗИЧНІ ПРОЦЕСИ В р-n ПЕРЕХОДІ ПРИ ДІЇ ЗОВНІШНЬОЇ ЕЛЕКТРИЧНОЇ НАПРУГИ 105.5 KB
  Оскільки концентрація рухомих носіїв заряду в рп переході менша ніж в областях п та р напівпровідника опір рп переходу буде більший ніж опір області п та р тому можна вважати що вся напруга прикладається до рп переходу При дії зовнішньої напруги порушується рівновага між дифузійним і дрейфовим струмами в рп переході...
69005. Фізичні процеси в біполярних транзисторах з декількома p-n переходами 308 KB
  Для забезпечення інжекції вприскування дірок з емітера в базу необхідна пряма емітерна напруга. Це відбувається тому що товщина бази W значно менше дифузійної довжини вільного пробігу дірок LP. Колекторна напруга вибирається зворотною UК тому виникає екстракція втягування дірок із бази...
69006. БУДОВА, ПРИНЦИП РОБОТИ ТА СТАТИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА З ІНДУКОВАНИМ КАНАЛОМ 141.5 KB
  При відсутності напруги UЗВ і за наявності напруги UСВ опір між стоком і витоком що визначається двома підключеними назустріч рn переходами великий а струм ІС дуже малий 109. З подачею напруги UЗВ 0 в напівпровіднику виникає електричне поле яке вилучає електрони поверхневого шару підложки...
69007. Параметри біполярного транзистора 364.5 KB
  Для оцінки можливостей застосування транзисторів використовують їх параметри. Параметри транзисторів це числа. Числені значення параметри можуть бути виміряні знайдені за статичними характеристиками або розраховані.
69008. Електронні структури з p-n одним переходом 297 KB
  Для отримання великої площі р n переходу використовують сплавну дифузійну і планарну технологію для малої площі точкову. Ємності р n переходу. Варікапи Поняття ємності переходу повязане з нагромадженням обємних зарядів. S площа переходу Рис.
69009. Відомості про електронні прилади апаратури телекомунікацій. Класифікація електронних приладів 113 KB
  До елементів РЕА які найчастіше зустрічаються відносять радіодеталі. Розглянемо основні показники якості електронних елементів. Параметри це величини які характеризують електричні властивості елементів та їх здатність протистояти дії середовища.