97038

Проектирование широкополосного усилителя

Курсовая

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

При расчете данного усилителя необходимо выполнить согласование выходного каскада с сопротивлением нагрузки. Данную задачу можно решить при помощи секции Общий Эмиттер – Общая База (ОЭ-ОБ), а также при помощи схемы с Общим Эмиттером (ОЭ), выполненной на мощном транзисторе.

Русский

2015-10-13

2.04 MB

11 чел.

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение
высшего профессионального образования

«СИБИРСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Институт инженерной физики и радиоэлектроники

Кафедра «Приборостроение и наноэлектроника»

       

КУРСОВОЙ ПРОЕКТ

Проектирование широкополосного усилителя

Руководитель     ______________   _____________________     В.Д.Скачко

                                                подпись, дата          должность, ученая степень

  

Студент РФ 12-34С    051201472     _________________             М.Г.Поляк

                                                                                          подпись, дата

    

Красноярск 2015

СОДЕРЖАНИЕ

  1.  Техническое задание…………………………………………………..

3

  1.  Анализ технического задания……………………………………..

3

  1.  Расчет и обоснование структурной схемы…………………………..

5

  1.  Число активных каскадов………………………………………….

5

  1.  Требования к отдельным каскадам……………………………….

5

  1.  Площадь усиления…………………………………………………

6

  1.  Расчет выходного каскада…………………………………………….

8

  1.  Выбор транзистора………………………………………………...

8

  1.  Параметры транзистора в рабочей точке…………………………

10

  1.  Нестабильность основных параметров…………………………...

12

  1.  Корректирующие конденсаторы………………………………….

13

  1.  Выбор номиналов элементов для схемы…………………………

14

  1.  Коэффициенты частотных искажений……………………………

15

  1.  Коэффициент гармоник……………………………………………

16

  1.  Промежуточный каскад……………………………………………….

17

  1.  Режим работы………………………………………………………

17

  1.  Параметры транзистора в рабочей точке…………………………

19

  1.  Параметры каскада………………………………………………...

20

  1.  Разделительный и блокировочные конденсаторы……………….

23

  1.  Выбор номиналов элементов для схемы…………………………

24

  1.  Коэффициенты частотных искажений……………………………

25

  1.  Входной каскад………………………………………………………..

26

  1.  Шунтирующее сопротивление……………………………………

26

  1.  Проверка верхней граничной частоты каскада………………….

27

  1.  Разделительные конденсаторы……………………………………

27

  1.  Выбор номиналов элементов для схемы…………………………

28

  1.  Коэффициенты частотных искажений……………………………

28

    Заключение…………………………….………………………………….

30

    Список использованных источников……………………………………

31

    Приложения ………………………………………………………………

32

                             СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65–051201472                   

                                              

                                   Проектирование                                                   

                                  широкополосного  

                                                        усилителя   

1 Техническое задание

Рассчитать усилитель гармонических сигналов, удовлетворяющий следующим условиям:

ЭДС входного сигнала:

E = 8 мВ.

Активное сопротивление нагрузки:

RND = 75 Ом.

Частотные искажения (НЧ):

MN = 1 дБ.

Частотные искажения (ВЧ):

МV = 2,8 дБ.

Минимальная рабочая температура:

TN = -15 С.

Максимальная рабочая температура:

ТV = 40 С.

Внутреннее сопротивление источника:

RIST = 75 Ом

Нижняя граничная частота:

fN = 200 Гц.

Верхняя граничная частота:

fV = 10 МГц.

Входное сопротивление:

RVH = 75 Ом.

Амплитуда выходного сигнала:

UVIH = 3 В.

Нелинейные искажения:

КG = 5 %

Допустимая нестабильность усиления:

δ K = 10 %

1.1 Анализ технического задания

При расчете данного усилителя необходимо выполнить согласование выходного каскада с сопротивлением нагрузки. Данную задачу можно решить при помощи секции Общий Эмиттер – Общая База (ОЭ-ОБ), а также при помощи схемы с Общим Эмиттером (ОЭ), выполненной на мощном транзисторе. В данной курсовой работе достаточно использовать схему с ОЭ, корректированную эмиттерной противосвязью, позволяющей стабилизировать усиление, получить выигрыш в площади усиления и уменьшить габариты разделительного конденсатора.

Помимо того, необходимо обеспечить не высокое значение входного сопротивления усилителя. Данная задача решается использованием схемы с Общей Базой (ОБ), либо использованием дополнительного сопротивление шунтирующего входное усилителя. В данной курсовой достаточно использовать шунтирующее сопротивление.

В качестве промежуточных каскадов можно использовать транзисторные схемы с ОЭ, либо различные усилительные секции. Причем использование усилительных секций в составе Интегральных Схем (ИС) дает преимущества:  увеличение надежности и уменьшение стоимости изделия. Поэтому в данной работе использована ИС К265УВ7, выполненная по схеме Общий Эмиттер – Коллекторный Повторитель (ОЭ-КП), имеющей также ряд преимуществ: уменьшенное входное и выходное сопротивления,  улучшение стабильности и частотных свойств, сохраняющиеся при работе на низкоомную или емкостную нагрузку, такой выходной каскад подобен эмиттерному  повторителю,  но  не склонен  к  самовозбуждению  и  динамической  перегрузке.

 

 2 Расчет и обоснование структурной схемы

2.1 Число активных каскадов

Определим расчетный коэффициент усиления:

, где

- - запас усиления, вводимый для компенсации погрешности приближенных  формул,  используемых  в  эскизном  расчете,  и  разброса  параметров элементов,  обычно выбирается в пределах от 1,5 до 2;

- - коэффициент усиления по напряжению;

-- коэффициент, учитывающий потери усиления входной цепи усилителя;

-- коэффициент согласования, если бы вместо мощного транзистора на выходе усилителя мы бы поставили эмиттерный повторитель, согласующий усилитель с низкоомной нагрузкой, то необходимо бы было принять его равным 0,5.

Определим минимальное количество активных каскадов:

отсюда , где

-- максимальный коэффициент усиления одно-двухтранзисторных схем

2.2 Требования к отдельным каскадам

- коэффициент усиления каскада;

дБ - коэффициент частотных искажений на верхних частотах;

дБ - коэффициент частотных искажений на верхних частотах;

% - нестабильность усиления;

% - коэффициент гармоник выходного каскада;

МГц - верхняя граничная частота; 

МГц - площадь усиления.

  1.  Площадь усиления

Выберем конкретную микросхему по площади усиления с учетом коррекции эмиттерной обратной связью, которая будет меньше чем при обычной параллельной коррекции, но зато дополнительно стабилизирует коэффициент усиления:

- глубина обратной связи;

По прямой 1 рисунка 1 найдем проигрыш площади усиления по сравнению с простой параллельной коррекцией:

Рисунок 1 – Потери площади усиления: 1- для простейшего каскада, промежуточного или работающего на чисто активную нагрузку; 2- для выходной секции общая база-общий эмиттер при емкостной нагрузке.

По прямой рисунка 2 найдем выигрыш площади усиления при простой параллельной коррекции для найденного коэффициента частотных искажений отдельного каскада на верхних частотах: .

Определим реальный выигрыш в площади усиления при эмиттерной коррекции:

;

Окончательно получим верхнюю граничную частоту отдельного каскада:

МГц;

Окончательно получим площадь усиления отдельного каскада:

- МГц; 

Рисунок 2 – Выигрыш в площади усиления при простой параллельной коррекции

Итог: Согласно полученной площади усиления, мы будем использовать 2 активных усилительных каскада выполненных по схеме ОЭ-КП на микросхеме К256УВ7. Ввиду малого сопротивления нагрузки, последний выходной каскад на мощном транзисторе, выполненный по схеме с ОЭ с коррекцией эмиттерной противосвязью и с гальванической связью с предыдущим каскадом. Применение гальванических связей между каскадами позволяет сократить общее число конденсаторов, снизить их суммарную емкость, уменьшает тем самым габариты и вес усилителя, его стоимость, повышает надежность.  Помимо того, ввиду малого входного сопротивления и малого выходного сопротивления источника, которые необходимо согласовать, используем дополнительное сопротивление, шунтирующее вход.

3 Расчет выходного каскада

Рисунок 3 – Принципиальная схема выходного каскада

3.1. Выбор транзистора

Произведем выбор сопротивления нагрузки.  Для максимального КПД при подключении к выходу усилителя коаксиального кабеля с волновым сопротивлением  выбор сопротивления коллектора  и сопротивлением нагрузки  однозначен: Ом. Следовательно, Ом.

Найдем величину переменной составляющей тока коллектора:

А;

Определим постоянную величину тока коллектора:

А;

Определим напряжение питания:

В. Полученное значение округляем до ближайшего типового значенияВ;

А. - допустимое приращение тока коллектора при смене транзистора и (или) изменении температуры;

В. - остаточное напряжение на коллекторном переходе;

В. - постоянная составляющая напряжения на выходе микросхемы К256УВ7;

В. - напряжение прямо смещенного p-n перехода база-эмиттер;

В. - падение напряжения на эмиттерном сопротивлении.

Определим падение напряжения коллектор-эмиттер в рабочей точке:

В.

Определим максимально допустимое напряжение на коллекторе транзистора:

В.

Определим максимально допустимый ток коллектора:

А.

Определим максимально допустимую мощность рассеивания на коллекторном переходе:

Вт.

Итог: выбираем транзистор КТ914А, предельные параметры которого по мощности, току коллектора и напряжению коллектор-эмиттер выше или равны максимально допустимым для каскада.

Таблица 1 – параметры транзистора КТ914А

min=10

max=60

fGR.TABL=350МГц

СE=120пФ

СК=12пФ

ОS=20пс

RК=10кОм

r=0.2

IКN=0.2А

UКN=28В

IК0=0,25мА

UКmax=65В

IКmax=0,8А

PKmax=7Вт

=2

Данный транзистор также подходит нам по частотным свойствам, поскольку соблюдается неравенство: МГц, что больше МГц.

3.2 Параметры транзистора в рабочей точке

Рассчитываем параметры транзистора в рабочей точке и проверим, обеспечивает ли данный транзистор при выбранных режиме и сопротивлении нагрузки необходимую площадь усиления:

Определим параметры эквивалентной схемы замещения транзистора:

Рисунок 4 – Эквивалентная модель замещения биполярного транзистора Джиаколетто

- коэффициент усиления по току;

Ом. - объемное сопротивление базы ( - коэффициент учитывающий емкость выводом, - постоянная времени обратной связи,   - емкость коллектора);

Ом. - p-n перехода база-эмиттер сопротивление ( - дополнительное сопротивление в эмиттере);

КОм - сопротивление p-n перехода база-коллектор (- сопротивление коллектора)

пФ. - емкость p-n перехода база-коллектор (- напряжение насыщения коллектор-эмиттер);

пФ. - емкость p-n перехода база-эмиттер (- контактная разность потенциалов, - падение напряжения на прямо смещенном p-n переходе база-эмиттер).

Перейдем к проверке площади усиления:

ГГц

- граничная частота усиления транзистора в заданной рабочей точке;

Ом. - входное сопротивление транзистора, охваченного обратной связью;

Ом.-сопротивление обратной связи;

МГц

- площадь усиления выбранного транзистора в данной рабочей точке ( Ом.- выходное сопротивление в типовом режиме предыдущего каскада на микросхеме К265УВ7, находится во время расчета промежуточного каскада)

Поскольку полученное значение площади усиления больше требуемого от каскада значения (135 МГц), продолжаем расчет.

3.3 Нестабильность основных параметров

Найдем нестабильность коэффициента усиления при минимальной и максимальной рабочей температуре:

Определим приращение напряжения база-эмиттер:

В;

Определим приращение неуправляемого коллекторного тока:

мкА. (- коэффициент, равный 10 для германиевых транзисторов и равный 7 для кремниевых транзисторов);

Определим входное сопротивление транзистора:

Ом;

Определим сопротивление эмиттера по постоянному току:

Ом;

Определим приращение выходного коллекторного тока:

мА;

Рассчитаем нестабильность тока коллектора:

%;

Найдем нестабильность коэффициента усиления каскада:

%;

Полученная нестабильность соответствует требованиям Технического Задания (ТЗ) (%).

3.4 Корректирующие конденсаторы:

Найдем корректирующую емкость, подключаемую к эмиттеру:

Определим постоянную времени каскада на верхних частотах:

нс;

Определим постоянную времени базовой цепи транзистора:

нс;

Определим постоянную времени корректирующего звена:

нс;

Определим оптимальный коэффициент коррекции:

;

Найдем требуемое значение емкости:

пФ; 

Рассчитаем разделительную емкость между выходным каскадом и активной нагрузкой: 

Определим постоянную времени каскада на нижних частотах:

мс;

Определим постоянную времени разделительного конденсатора выходного каскада:

мс., где -коэффициент связывающий блокировочную емкость эмиттерной термостабилизации и  емкость на выходе каскада.

Определим эквивалентное сопротивление нагрузки каскада:

Ом;

Найдем требуемое значение емкости:

мкФ;

Рассчитаем блокировочную емкость эмиттерной термостабилизации, параллельную сопротивлению по постоянному току в эмиттере:

Определим постоянную времени конденсатора:

мс;

Определим эквивалентное сопротивление:

Ом;

Рассчитаем требуемое значение емкости:

мФ.

3.5 Выбор номиналов элементов для схемы

Подберем стандартные номиналы для емкостей и сопротивлений, согласно номиналам ряда Е48:

Ом; 

Ом;

Ом;

мкФ;

пФ;

мФ.

3.6 Коэффициенты частотных искажений

На верхних частотах:

;

Нормированная АЧХ:

;

Коэффициент частотных искажений:

дБ;

На нижних частотах:

Нормированная АЧХ:

;

Коэффициент частотных искажений:

дБ;

Коэффициенты частотных искажений удовлетворяют требованиям ТЗ:

дБ,  дБ. 

3.7 Коэффициент гармоник

 4 Расчет промежуточного каскада

Рисунок 5 – Промежуточный каскад на интегральной схеме К265УВ7

Таблица 5.1 - Номиналы элементов ИС К265УВ7

R1 = 10 кОм

R4 = 680 Ом

R7 = 590 Ом

C2 = 15 нФ

R2 = 1,2 кОм

R5 = 30 Ом

R8 = 520 Ом

C3 = 15 нФ

R3 = 510 Ом

R6 = 100 Ом

C1 = 15 нФ

C4 = 15 нФ

  1.  Режим работы

Между выводами 11 и 13 микросхемы включим дополнительный резистор  Ом,  уменьшающий эмиттерное сопротивление первого транзистора до величины:

Ом.

Рассчитаем коллекторные токи транзисторов: 

Найдем напряжение питания транзисторов: 

В., где  В. - номинальное напряжение питания микросхемы;

Найдем коллекторный ток первого транзистора:

мА;

Найдем коллекторный ток второго транзистора:

мА.

Рассчитаем потенциалы на коллекторах и на эмиттерах:

Определим потенциал на эмиттере первого транзистора:

В;

Определим потенциал на эмиттере второго транзистора:

В;

Определим потенциал на коллекторе второго транзистора:

В;

Определим потенциал на коллекторе первого транзистора:

В.

Рассчитаем падения напряжение коллектор-эмиттер двух транзисторов:

Определим разность потенциалов между коллектором и эмиттером первого транзистора:

В; 

Определим разность потенциалов на втором транзисторе:

В.

  1.   Параметры транзистора в рабочей точке

Таблица 2 - Справочные параметры транзистора КТ307Б

min=40

max=160

fт=250МГц

СЭ=4.5пФ

СК=4.7пФ

ОС=500пс

rК=300кОм

r=0

IКИ=0.005А

UКИ=2В

IК0=0.5мкА

UКmax=10В

IКmax=20мА

PKmax=15мВт

=1.5

Определим параметры эквивалентной схемы замещения транзистора:

- коэффициент усиления по току;

Ом.- объемное сопротивление базы;

Ом. - p-n перехода база-эмиттер сопротивление ( мА - среднее подстановочное значение тока коллектора, ввиду того, что они примерно равны);

КОм - сопротивление p-n перехода база-коллектор;

пФ. - емкость p-n перехода база-коллектор первого транзистора;

пФ. - емкость p-n перехода база-коллектор второго транзистора;

пФ. - емкость p-n перехода база-эмиттер первого транзистора;

пФ. - емкость p-n перехода база-эмиттер первого транзистора.

  1.  Параметры каскада

Найдем сопротивления:

Поскольку микросхема не имеет вывода с эмиттера первого транзистора учтем местную частотно-независимую обратную связь пересчетом сопротивления p-n перехода база-эмиттер:

Ом.

Определим входное сопротивление первого транзистора:

Ом.

Определим входное сопротивление второго транзистора:

Ом.

Определим входное сопротивление секции:

Ом.

Определим выходное сопротивление секции:

Ом.

Определим сопротивление нагрузки второго транзистора:

Ом.

Найдем и проверим верхнюю граничную частоту:

Определим постоянную времени p-n перехода база-эмиттер:

нс;

Определим постоянную времени первого транзистора:

нс;

Определим постоянную времени второго транзистора:

нс;

Определим верхнюю эквивалентную постоянную времени:

нс;

Определим соответствующую ей верхнюю граничную частоту:

МГц;

больше  МГц, требуемых от каскада, значит микросхема выбрана правильно.

Найдем и проверим площадь усиления:

Определим коэффициент усиления каскада без дополнительной обратной связи:

.

Поскольку  больше , возникает необходимость получения коэффициента , причем не меняя режим по постоянному току. Данную задачу можно решить за счет разделения на два сопротивления  и , включенного параллельно с конденсатором . Точнее говоря произведем замену , на требуемое  , и вынесем  за пределы интегральной схемы.

Рисунок 6 – Схема коррекции коэффициента усиления при постоянстве режима по постоянному току

Найдем требуемое входное сопротивление первого транзистора:

Ом;

Найдем требуемое сопротивление:

Ом;

Определим дополнительное сопротивление:

Ом;

Изменим дополнительный резистор: 

Ом;

Определим площадь усиления:

МГц.

Поскольку  больше требуемой от каскада МГц, еще раз подтверждаем правильность выбора микросхемы.

  1.    Разделительный и блокировочные конденсаторы

Найдем значение разделительного конденсатора между выходом промежуточного каскада на микросхеме и входом выходного каскада:

Определим постоянную времени:

мс., где - весовой коэффициент разделительного конденсатора; -весовые коэффициенты первого и второго блокировочного конденсатора;

Определим сопротивление эквивалентной нагрузки:

Ом;

Рассчитаем значение конденсатора:

нФ.

Найдем значение блокировочного конденсатора цепи эмиттера первого транзистора:

Определим постоянную времени:

мс;

Определим сопротивление эквивалентной нагрузки: 

Ом;

Рассчитаем значение конденсатора:

мкФ.

Найдем значение блокировочного конденсатора цепи эмиттера второго транзистора:

Определим постоянную времени:

мс;

Определим сопротивление эквивалентной нагрузки:

Ом;

Рассчитаем значение конденсатора:

мкФ.

  1.   Выбор номиналов элементов для схемы

Подберем стандартные номиналы для емкостей и сопротивлений, согласно номиналам ряда Е48:

Ом;

Ом;

нФ;

мкФ;

нФ. 

  1.   Коэффициенты частотных искажений

На верхних частотах:

;

Нормированная АЧХ:

;

Коэффициент частотных искажений:

дБ;

На нижних частотах:

Нормированная АЧХ:

;

Коэффициент частотных искажений:

дБ;

Коэффициенты частотных искажений удовлетворяют требованиям ТЗ:

дБ,  дБ.

 5 Входной каскад

Входной каскад, как и промежуточный, выполним на интегральной схеме К265УВ7, добавив расчет шунтирующего сопротивления, необходимого для получения требуемого входного сопротивления. Помимо того, пересчитаем разделительные конденсаторы и проверим верхнюю граничную частоту.

Рисунок 7 – Схема входного каскада

  1.  Шунтирующее сопротивление

Рассчитаем добавочное сопротивление шунтирующее входное сопротивление усилительной секции интегральной схемы:

Ом . 

5.2 Проверка верхней граничной частоты каскада

Определим сопротивление нагрузки второго транзистора:

Ом;

Определим постоянную времени второго транзистора:

нс;

Определим верхнюю эквивалентную постоянную времени:

нс;

Определим соответствующую ей верхнюю граничную частоту:

МГц;

больше  МГц, требуемых от каскада, значит микросхема подойдет и в качестве входного каскада.

5.3 Разделительные конденсаторы

Найдем значение разделительного конденсатора между выходом входного каскада и входом промежуточного каскада:

Определим сопротивление эквивалентной нагрузки:

Ом;

Рассчитаем значение конденсатора:

мкФ.

Найдем значение разделительного конденсатора между генератором и входным каскадом усилителя:

Определим постоянную времени: 

мс;

Определим сопротивление эквивалентной нагрузки:

Ом;

Определим значение емкости:

мкФ.

5.4 Выбор номиналов элементов для схемы

Подберем стандартные номиналы для емкостей и сопротивлений, согласно номиналам ряда Е48:

Ом;

мкФ;

мкФ.

5.5 Коэффициенты частотных искажений 

На верхних частотах:

;

Нормированная АЧХ:

;

Коэффициент частотных искажений:

дБ;

На нижних частотах:

Нормированная АЧХ: 

;

Коэффициент частотных искажений:

дБ;

Коэффициенты частотных искажений удовлетворяют требованиям ТЗ:

дБ,  дБ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате выполнения курсового проекта по проектированию широкополосного усилителя, согласно требованиям технического задания, был успешно спроектирован усилитель. Температурная стабильность параметров усилителя, коэффициенты частотных искажений, коэффициент нелинейных искажений, удовлетворяют требованиям ТЗ.

Данный результат был получен следующим образом. Во время технического задания, были приняты решения: в качестве выходного каскада использовать схему с ОЭ на мощном транзисторе для согласования с низкоомной нагрузкой; в качестве промежуточных каскадов использовать двутранзисторные интегральные схемы, ввиду их надежности, стоимости и усилительных свойств; входной каскад скорректировать шунтирующим сопротивлением, для обеспечения необходимого входного сопротивления усилителя.

Затем на основе ТЗ во втором пункте были определены требования к каскадам и их число. В третьем пункте был рассчитан выходной каскад по схеме с ОЭ корректированный эмиттерной противосвязью,  а также разделительный конденсатор перед нагрузкой. В четвертом и пятом пунктах был произведен рассчет промежуточного и входного каскада на основе ИС К256УВ7, к данной микросхеме были успешно подобраны разделительные и блокировочные конденсаторы и сопротивления. Различие между входным и промежуточным каскадом состоит в дополнительном шунтирующем сопротивлении, а так же в других разделительных емкостях.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

  1.  Схемотехника аналоговых электронных устройств. Версия1.0  [Электронный  ресурс] :  метод.  указания  по  курсовому  проектированию/  сост.  А. Г. Григорьев. –  Электрон.  дан. (1 Мб). – Красноярск:  ИПК  СФУ, 2008.
  2.  Схемотехника  аналоговых  электронных  устройств.  Версия 1.0  [Электронный  ресурс] :  электрон.  учеб.  пособие /  А. И. Громыко, А. Г. Григорьев,  В. Д. Скачко. –  Электрон.  дан.  (4 Мб). –  Красноярск :  ИПК  СФУ,  2008.
  3.  Москатов   Е.   А.   Справочник   по   полупроводниковым   приборам.   Издание   2.   – Таганрог, 219 с., ил.
  4.  Микросхемы и их применение: Справ. пособие/ В. А. Батушев, В. Н. Вениаминов, В. Г. Ковалев, О. Н. Лебедев, А. И. Мирошниченко. — 2-е изд.,пере-раб. и доп. — М.: Радио и связь, 1983. — 272 с., ил


Изм

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

2

Разраб.

Поляк М.Г.

Провер.

Скачко В.Д.

Т. Контр.

Н. Контр.

Утверд.

Лит.

Листов

33

Масса

Масштаб

РФ 12-34С

1 : 1

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

ЛИСт

3

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

4

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

5

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

6

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

ЛИСт

7

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

8

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

9

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

103

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

113

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

123

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

133

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

.

143

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

зм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

153

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

163

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

173

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

183

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

193

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

203

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

213

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

223

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

233

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

243

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

253

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

263

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

273

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

283

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

293

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

303

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

313

ЛИСт

СФУ ИИФиРЭ. КП – 210601.65051201472

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

19129. Компоновка и геометрические характеристики ТВС 608 KB
  ЛЕКЦИЯ 9 Компоновка и геометрические характеристики ТВС Для удобства перегрузок топлива транспортировки и организации охлаждения твэлы объединяются в ТВС. Основные требования к ТВС заключаются в следующем: обеспечение установленного физическим расчетом ре
19130. ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТВС И ОБЪЕМНЫЙ СОСТАВ РАБОЧЕЙ ЯЧЕЙКИ 320 KB
  ЛЕКЦИЯ 10 ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТВС И ОБЪЕМНЫЙ СОСТАВ РАБОЧЕЙ ЯЧЕЙКИ В предыдущей лекции представлена методика определения диаметра твэлов и числа ячеек для их размещения в ТВС. Целью настоящей лекции является компоновка ТВС расчет ее геометрических х
19131. ТЕПЛОГИДРАЛИЧЕСКИЙ РАСЧЕТ ТВС 529.5 KB
  ЛЕКЦИЯ 11 ТЕПЛОГИДРАЛИЧЕСКИЙ РАСЧЕТ ТВС Теплогидравлический расчет ТВС реактора на быстрых нейтронах Рассмотрим ТВС реактора на быстрых нейтронах распределение тепловыделения в активной части которой подчиняется закону косинуса. Пусть даны геометрия ТВС
19132. ДОПУСТИМАЯ МОЩНОСТЬ ТВЭЛА И ТВС 374.5 KB
  ЛЕКЦИЯ 12 ДОПУСТИМАЯ МОЩНОСТЬ ТВЭЛА И ТВС Допустимая мощность твэлов и ТВС в стационарных условиях эксплуатации определяется: предельными температурами эксплуатации оболочки твэла и элементов конструкции ТВС: предельными температурами эксплуатации
19133. АНАЛИЗ НАПРЯЖЕННО-ДЕФОРМИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ ТВЭЛОВ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ РЕАКТОРОВ 536 KB
  Лекция 13 АНАЛИЗ НАПРЯЖЕННОДЕФОРМИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ ТВЭЛОВ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ РЕАКТОРОВ Основы расчета на прочность Расчет на прочность важнейший этап конструирования элементов активной зоны ядерного реактора: на его основе выбираются их основные размеры ге
19134. Приближенные методы анализа напряжений и деформаций в оболочке в стационарных условиях эксплуатации твэла 663 KB
  ЛЕКЦИЯ 14 Приближенные методы анализа напряжений и деформаций в оболочке в стационарных условиях эксплуатации твэла В стационарных режимах эксплуатации при наличие зазора на оболочку действует давление равное разнице давлений теплоносителя и смеси газов внутри т
19135. Устойчивость оболочек твэлов энергетических реакторов 177 KB
  ЛЕКЦИЯ 15 Устойчивость оболочек твэлов энергетических реакторов Проблема устойчивости оболочек твэлов актуальна для реакторов с повышенным давлением теплоносителя а именно для реакторов с водяным и газовым охлаждением. Потеря устойчивости возможна при наличие за...
19136. Глобальные проблемы человечества. Мировое потребление энергии. Источники энергии. Экологические проблемы 1.33 MB
  Лекция 1 Глобальные проблемы человечества. Мировое потребление энергии. Источники энергии. Экологические проблемы. Преимущества ядерного топлива. Текущее состояние и тенденции развития ядерной энергетики в мире. 1.1. Глобальные проблемы человечества Глобальными п...
19137. История развития ядерной отрасли в мире и России. Текущее состояние ядерной энергетики в России. Предприятия ядерного топливного цикла 725 KB
  Лекция 2 История развития ядерной отрасли в мире и России. Текущее состояние ядерной энергетики в России. Предприятия ядерного топливного цикла. Планы на развитие ядерной энергетики в России. Проблемы ядерной энергетики. 2.1. История развития ядерной отрасли в мире и ...