9765

Полевой транзистор. Модуляция проводимости канала

Реферат

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Полевой транзистор Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом: упрощённая конструкция, принцип действия, выходная (стоковая) и передаточная (стоко-затворная) характеристики, напряжение отсечки, начальный ток стока, эффект модуляции длины канала...

Русский

2013-03-16

409.04 KB

56 чел.

Полевой транзистор

Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом: упрощённая конструкция, принцип действия, выходная (стоковая) и передаточная (стоко-затворная) характеристики, напряжение отсечки, начальный ток стока, эффект модуляции длины канала, режим насыщения. Низкочастотные малосигнальные параметры полевого транзистора: крутизна, дифференциальное сопротивление сток-исток, коэффициент усиления по напряжению.

Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом:

1) упрощённая конструкция

ПТ представляет собой пластину слаболегированного полупроводника n-типа, на боковой грани которой сформирована область обогащенного полупроводника р-типа. Эти области образуют p-n-переход.

Электрод, через который в канал втекают носители тока называется  исток (и).   

Электрод, через который носители тока вытекают из канала – сток.   

Электрод, называемый  затвором,  предназначен для регулирования поперечного сечения   канала .   

2)принцип действия

Принцип действия полевого транзистора заключается в

том, что при изменении напряжения на затворе

изменяется толщина обедненного слоя, а следовательно,

изменяется сечение канала, проводимость канала и ток

стока.

Т.е. изменением напряжения на затворе можно управлять током стока.

3) выходная (стоковая) и передаточная (стоко-затворная) характеристики

выходная ВАХ

сток-затворная ВАХ

4)напряжение отсечки

напряжение Uзи при котором  канал полностью

перекроется обедненной область p-n-перехода и ток стока

уменьшится до нуля.   

    Это напряжение является параметром транзистора и называется напряжением отсечки тока стока Uзи.отс.

5)начальный ток стока

   Примем  Uзи = 0. При небольших  напряжениях

сток-исток Uси канал ведет себя как линейное сопротивление. По мере роста напряжения обедненный слой будет расширяться, причем около стока в большей мере, чем около истока. Сечение канала будет уменьшаться и рост тока замедлится.

6)эффект модуляции длинны канала

Начиная с напряжения Uси = Uзи.отс в транзисторе будет наблюдаться режим насыщения.  Этот эффект называют эффектом модуляции длины канала. 

7)режим насыщения

Режим когда p-n переход открыт

активная область (область насыщения), в ней транзистор работает в режиме усиления электрических сигналов.

8) Низкочастотные малосигнальные параметры полевого транзистора: крутизна, дифференциальное сопротивление сток-исток, коэффициент усиления по напряжению.

Полевые транзисторы МДП-структуры с индуцированным и встроенным каналом. МДП-транзистор с индуцированным каналом: принцип действия, пороговое напряжение, модуляция проводимости канала. Конструктивные отличия МДП-транзистора со встроенным каналом.

МДП-транзистор с индуцированным каналом: принцип действия, пороговое напряжение, модуляция проводимости канала.

с индуцированным каналом (обогащенного типа). Канал может быть n-типа или р-типа.

   В транзисторах этого типа затвор отделен от полупроводника (канала) слоем диэлектрика. Если используется двуокись кремния SiO2, то транзисторы обозначают аббревиатурой МОП.

1) принцип действия

Канал формируется во  время работы транзистора.

До некоторого порогового напряжения UПОР канал отсутствует и транзистор закрыт.

Режим обогащения.

   На затвор подается отрицательное напряжение по отношению к истоку.

  Под действием электрического поля электроны выталкиваются из подзатворной области, канал обогащается носителями

р-типа и образуется канал,  начинает протекать ток стока.

 В основе работы МДП транзистора лежит эффект управления поверхностной проводимостью и поверхностным током с помощью затвора

2) Пороговое напряжение - До некоторого напряжения Uпор канал отсутствует и
транзистор закрыт.

3) модуляция проводимости канала.

Модуляция это изменения проводимости канала под действием отрицательного напряжения на затворе по отношению к истоку в режиме обогащения

  Режим обогащения.

   На затвор подается отрицательное напряжение по отношению к истоку.

  Под действием электрического поля электроны выталкиваются из подзатворной области,  
канал обогащается носителями р-типа и образуется канал,  начинает протекать ток стока.

4)  Конструктивные отличия МДП-транзистора со встроенным каналом

У мдпт со встроенным каналом канал уже реализован физически и не меняется при изменеии тока затвора как у мдпт с ик

Транзистор может работать в двух режимах:
- обеднения,

- обогащения

Режим обеднения.

   На затвор подается отрицательное напряжение по отношению к истоку.

  Под действием электрического поля электроны выталкиваются из подзатворной области,  канал обедняется носителями и ток стока уменьшается.

Режим обогащения.

   На затвор подается положительное напряжение по отношению к истоку.

  Под действием электрического поля электроны втягиваются в подзатворную область,  канал обогащается носителями и ток стока увеличивается.

Выходные и передаточные статические характеристики МДП-транзисторов с индуцированным и встроенным каналом. Напряжение насыщения. Параметры, условные графические обозначения.

1) Выходные и передаточные статические характеристики МДП-транзисторов с индуцированным и встроенным каналом.


Рис. 86 МДП транзистор с индуцированным каналом вольтамперные характеристики: выходные (слева) и передаточные (справа)


Рис. 86. Вольтамперные характеристики МДП транзистора: выходные (слева) и передаточные (справа).

Напряжение насыщения. Параметры, 

11)Условные графические изображения

Транзистор с управляющим p-n-переходом

Транзистор со встроенным каналом

Транзистор с индуцированным  каналом


Подложку П технологически соединяют с истоком. Иногда подложку выводят отдельным  выводом.

12) Параметры полевых транзисторов

Основными параметрами полевых транзисторов являются

-Напряжение стока

-Ток стока

-Входное сопротивление

-Сопротивление сток-исток

-Изменение характеристик под влиянием температур.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

31864. ВЕРСИЯ ИНТЕРФЕЙСА С ОПТРОННОЙ РАЗВЯЗКОЙ 57 KB
  Какими бы параметрами ни обладал оптрон в нем всегда используется оптический принцип передачи сигналов без всякой гальванической связи. Для передачи излучения от источника к приемнику используются различные технологии описание которых выходит за рамки данной главы. Особенности этих технологий определяют основные характеристики оптрона обеспечивая в частности необходимый компромисс между степенью изоляции коэффициентом передачи и быстродействием. имеет напряжение изоляции 1500 В полосу пропускания 300 кГц и коэффициент передачи тока...
31867. МИКРОСХЕМА АЦП К1113ПВ1 34 KB
  МИКРОСХЕМА АЦП К1113ПВ1 Полупроводниковая БИС функционально завершенного АЦП типа КП13ПВ1 А Б В предназначена для применения в электронной аппаратуре в составе блоков аналогового ввода. Она содержит все функциональные узлы АЦП ПП включая КН ЦАП РПП ИОН ГТИ выходной буферный регистр с тремя состояниями схемы управления рис. Несколько АЦП могут обслуживать один МП и наоборот. По уровням входных и выходных логических сигналов АЦП сопрягается с цифровыми ТТЛ ИС.
31868. Редагування растрових зображень 74.5 KB
  У класі форми обявити обєкти доступні для різних методів PictureBox pictureBox1; Lbel lbel1; Point spotClicked; 6.Size = new Size640 480; Завантажити малюнок в елемент PictureBox і вставити у форму додати до проекту відповідну папку з малюнком або вказати адресу малюнка pictureBox1 = new PictureBox; pictureBox1.jpg ; pictureBox1.SizeMode = PictureBoxSizeMode.
31869. История возникновения и развития учета 27 KB
  Историю развития и возникновения учета можно условно разделить на несколько периодов. Одним из этапов развития учета связан с Древним Римом. На Руси упорядочивание учета началось с конца IX в.
31870. Здоров’я людини. Здоровий спосіб життя 77.5 KB
  Вважається, що здоров’я – це нормальний стан організму, який характеризується оптимальною саморегуляцією, повною узгодженістю при функціонуванні всіх органів та систем, рівновагою поміж організмом та зовнішнім середовищем при відсутності хворобливих проявів. Тому основною ознакою здоров’я є здатність до значної пристосованості організму до впливів різноманітних чинників зовнішнього
31872. ЭНДОСКОПИЧЕСКАЯ ДИАГНОСТИКА И ЛЕЧЕНИЕ ГАСТРОЭЗОФАГЕАЛЬНОЙ РЕФЛЮКСНОЙ БОЛЕЗНИ 2.34 MB
  Ацидометрия и исследование моторнодвигательной функции пищевода и желудка. Необходимость дальнейшего изучения различных сторон этиопатогенеза данного заболевания не вызывает сомнений так как до конца не определены вопросы диагностики и выбор оптимального метода лечения в связи с чем целесообразным представляется исследование морфофункционального статуса пищевода у больных данным заболеванием при неэффективности проводимого лечения. В доступной зарубежной и отечественной литературе нет единого мнения о причинах способствующих...