99341

Рассчет каскада включенного по схеме с ОЭ на биполярном транзисторе КТ 332А

Курсовая

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

В данной курсовой работе требуется рассчитать каскад включенный по схеме с ОЭ. Он выполнен на биполярном транзисторе КТ 332А – это кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор. Предназначен для работы в усилительных энтегрально-гибридных микросхемах в блоках аппаратуры, обеспечивающих герметизацию. Оформление безкорпусное с гибкими выводами.

Русский

2016-09-09

733 KB

0 чел.

Введение.

Значительные изменения во многих областях науки и техники обусловлены развитием электроники. В настоящее время невозможно найти какую-либо отрасль промышленности, в которой не использовались бы электронные приборы или электронные устройства измерительной техники, автоматики и вычислительной техники. Причем тенденция развития такова, что для электронных информационных устройств и устройств автоматики непрерывно увеличивается. Это является результатом развития интегральной технологии, внедрение которой позволило наладить массовый выпуск дешевых, высококачественных, не требующих специальной настройки и наладки микроэлектронных функциональных узлов различного назначения.

Следовательно, развитие технологии в данном направлении перспективная отрасль технологии.

Анализ задания.

В данной курсовой работе требуется рассчитать каскад включенный по схеме с ОЭ. Он выполнен на биполярном транзисторе КТ 332А – это кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор. Предназначен для работы в усилительных энтегрально-гибридных микросхемах в блоках аппаратуры, обеспечивающих герметизацию. Оформление безкорпусное с гибкими выводами.

Входные и выходные характеристики представлены на рисунке 1.

      

                                         IБ=2,5mkA

                                                       рис.1

Максимально допустимые параметры:

Гарантируются при температуре окружающей среды Тс=-60…1250С

Постоянный ток коллектора, Iкmax.…………………………...………….….20мА

Постоянный ток базы,IБmax.………………………………………………...…5мА

Импульсный ток коллектора при tи10мкс, Q10, Iки.…………………….50мА

Постоянное напряжение эмиттер-база, UЭБ.…………………………………..3В

Постоянное напряжение коллектор-база, UКБ.……………………………….15В

Постоянное напряжение коллектор эмиттера при Rб10 кОм,UКЭR…...…...15В

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тс=-60…+750С, Rkmax………………………………………………………………………….15мВт

Температура перехода, Тпmax.……………………………………….………1350С

Тепловое сопротивление перехода окружающая среда, Rтпс.………….40С/мВт

Данный каскад   включает в себя диод КД 409А –  кремниевый, и эпитаксиальный. Предназначен для использования в селекторах телевизионных каналов и высококачественных детекторах. Выпускается в пластиковом корпусе с гибкими выводами. Маркируется желтой точкой на корпусе.

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное или импульсное обратное напряжение.…………………..24В

Постоянный или средний прямой ток:

при Т+350С.………………………………………………………..……50 мА

при Т=+1000С.…………………………………………………………....25 мА

Импульсный прямой ток при tи10 мкс и Q10:

при Т+350С.……………………………………………………………500 мА

при Т=+1000С.……………………………...………………………...…250 мА

Температура окружающей среды.…………………………………..-60…+1000С

Математические модели компонентов.

Рассмотрим математические модели компонентов, которые будут встречаться в дальнейших расчетах. Это элементы R и С. Причем для одного и того же компонента может быть использовано несколько математических моделей. Математические модели пассивных двухполюсников  являются выражения закона Ома для них.

               R

    U1                    U2                       U=I·R,      I=G·U,        U=U1 – U2

              I

           

              C

      U1          U2             

     I

Расчет схемы по постоянному току.

Независимо от типов электронных приборов, применяемых в усилителе, принцип усиления остается единым и сводится к тому, что в цепи, в состав которой входит активный электронный прибор, устанавливаются определенные постоянные токи. Этот режим работы называют режим по постоянному току. Он характеризуется постоянным падением напряжения на компонентах, входимых в состав усилительного каскада. При подаче сигнала переменного тока на управляющие электроды активного прибора ток в цепях начинает изменятся в соответствии с приложенным сигналом. Этот переменный ток создает переменное падение напряжения на компонентах.

Определить ток и падение напряжения нелинейной цепи можно аналитическим и графоаналитическим методами. Последний широко распространен в электронике в связи с тем, что позволяет проводить расчеты с помощью  экспериментально определенных характеристик электронного прибора.

При использовании графоаналитического метода строится линия нагрузки по постоянному току. Она представляет собой ВАХ той части обобщенной цепи, в состав которой не входит нелинейный, управляемый внешним сигналом активный прибор.

Для нашей схемы уравнение линии нагрузки представляет функцию Ik=f(Uкэ).

В соответствии со схемой и первым законом Кирхгофа получаем уравнение

IR=IK+IRH.

 

После преобразования получаем уравнение линии нагрузки:

                   

Построим линию нагрузки при:

Uкэ=0,         

Ik=0,            

Нанесем эти точки на семейство выходных ВАХ транзистора  (рис 2).

Напряжение рабочей точки примем UкэА=3,65 В.

Ток рабочей точки равен IкА=0,51 mA.

По этим графикам мы определили:

амплитуду входного тока Iбm= mA

амплитуду выходного тока Ikm= mA

      амплитуду входного напряжения Uбэm= В

      амплитуду выходного напряжения Uкэm= В

Идентификация моделей компонентов.

Идентификация моделей компонентов проходит на представлении модели транзистора, как четырехполюсника. Наиболее употребляемые для биполярных транзисторов h – параметры. Схема биполярного транзистора как четырехполюсика представлена на рис. 3

I1                I2

     h11                                             h12

U1              U2

  h21                              h22    

                              Рис.3

Составим для этой схемы уравнения:

                            

В этих уравнениях  при U2=0, т.е. при коротком замыкании на выходе.

h11 – входное сопротивление транзистора, как четырехполюсника.

при I1=0, при холостом ходе на входе.

h12 – коэффициент внутренней обратной связи по напряжению.

при U2=0 , при коротком замыкании на выходе.

h21 – коэффициент усиления тока транзистора как четырехполюсника.  

при I1=0, при холостом ходе на входе.

h22 – выходная проводимость транзистора как четырехполюсника.

Для схемы с ОЭ:

       

Параметр  при Uкэ=0 определяем на входных характеристиках.

h11=3,3 [кОм]

h12=Uвх/Uвых=0,003

h21= ΔIк/ΔIб=55,6

h22=ΔIк/ΔUкэ=0,132 [1/кОм]  

Определим rб, rk, rэ, β, rk*

rэ, rк  сопротивление базо-эмиттерного, базо-коллекторного перехода

rб – сопротивление тела базы

rk*–  сопротивление коллекторного перехода. rk*= rк/(1+β)

α – коэффициент передачи тока. α<1

β=α/(1-α) – коэффициент усиления тока.

Сопротивление rэ определяется формулой

    , где

φt – температурный потенциал;     

Т – температура, К

Ток Iэ примем ≈IкА=0,5 [мА]

 

Сопротивление rб=h11 – (1+β)·rэ=413 [Ом]

Сопротивление ,

Отсюда rk=(1+β)·rk*=422 [кОм].

Топологическое описание схемы.

Топология электрических схем – это способ соединения отдельных компонентов схем (конфигурации схем).

Топологическое описание схемы выполняется разными способами, например, графами. Граф – это совокупность отрезков произвольной длины и формы, называемых ветвями (ребрами) и точек пересечения ветвей – вершин.

Для составления графа воспользуемся эквивалентной схемой замещения транзистора.

                  

                                                                                

                                                                           

                                                                             βIб

 rб

      1                        2            Ск 3

       

 Сэ rk* I(U)

          Uвх              rэ

4

      RH

R

 5

E

Пронумеруем узлы, проставим направление токов и составляем граф.

 βIб

 2       ck 3 I(U) 4

rб R

1 rк* 5

rэ     Rн

 Сэ

Uвх E

    (0)

Математическая модель схемы.

Математическая модель схемы составляется по методу переменных состояния. Достоинство этого метода состоит в том, что он позволяет сформулировать ММС в виде системы дифференциальных уравнений, т.е. в форме Коши с минимальным набором переменных. Идея метода заключается в том, что базисными координатами являются те, которые фактически определяют состояния схемы, т.е. наполнение в схеме энергии.

Алгоритм составления ММС следующий:

  1.  Задаются исходные значения на ветвях собственного дерева Uc1(0),…,Ucn(0).
  2.  По уравнению Uсв=-F·Uв при известной матрицы F определяются напряжения на связях являющихся зависимыми переменными.
  3.  Определяются токи связей с учетом полученных на этапе 2 напряжений Uсв и ММК схемы.
  4.  Определяются токи ветвей через транспортную матрицу F по уравнению Iв=Fт·Iсв
  5.  Токи ветвей через ММК выражаются через Uв и цикл, таким образом, замыкается.

Выделим из графа дерево.

Составим матрицу F:

По уравнению Uсв=-F·Uв составляем уравнения

                         

        

        

         

По известным ММК образующих связи сформулируем вектор токов Iсв.

Получаем систему уравнений:

       

На следующем этапе через FT по Iв=Fт·Iсв переходим к Iв:

Получаем систему уравнений:

     

В ММК подставляем последнюю систему уравнений, при этом подстановка токов Iвх и IE не имеет смысла, т.к. Uвх и Е от I не зависят.

С – ветви имеют следующие  ММ:

Данная система уравнений является ММС.

Заключение.

В результате проделанной работы мы научились рассчитывать статические и динамические параметры электронных устройств, графоаналитическим методом и с помощью ЭВМ. Так же мы научились составлять математическую модель схемы методом переменных состояния.

Библиографический список.

  1.  Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб., и допол. К.: Техника, 1984, 424с.
  2.  Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учебное пособие для приборостроения спец. ВУЗов. 2-е изд. перераб. и доп. М.: Высш. шк. 1991. 662с.
  3.  Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник/ К.М. Брежнева, Е.И. Гатман, Т.И. Давыдова и др., под ред. Б.Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, 1981 – 656с.
  4.  Усилительные устройства: Методические указания к курсовой работе./ Рязан. гос. радиотех. акад. : Сост. И.В. Баскакова, А.И. Перепелкин. Рязань. 1998г. 36с.

 

13


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

71112. Психологические аспекты подготовки молодежи к семейно-брачным отношениям 131.9 KB
  Гребенникова сейчас в нашей стране подавляющее большинство браков заключаются по любви. Долго и упорно боролись за это люди ведь без взаимной любви нет и не может быть личного счастья. Но дело в том что даже настоящее взаимное чувство любви ещё не означает того что молодые люди готовы к браку.
71113. Семья как малая группа. Причины, мотивы брака, их возрастная динамика 218.53 KB
  Начинается семья с двух человек самая большая семья в мире состоит из родителей и двадцати одного ребенка Семье как социальной группе свойственен феномен гетерогенности разнородности члены семьи различаются по полу по возрасту по уровню образования доходам склонностям и привычкам...
71114. Психология семейного взаимодействия. Законы супружеских отношений 367.96 KB
  Однако здесь идет речь именно об идентификации себя с другим человеком установке которая объясняет миф о телепатии между членами семьи. Взаимодополнение это ситуация когда отношения внутри семьи строятся с учетом разницы в индивидуальных особенностях людей которые уважают...
71115. Выравнивание и восстановление формы покрытия с добавлением новой смеси 20.94 KB
  Нагрев асфальтобетонного покрытия производится газовыми горелками инфракрасного излучения которые объединены в блоки или панели. Подготовка к постоянному режиму: Вначале в течение 67 минут производится подогрев покрытия. Количество панелей расстояние от покрытия...
71116. Уширение дорожной одежды 588.96 KB
  Способ уширения дорожной одежды обычно определяется способом уширения земляного полотна а также зависит от необходимости произвести усиление дорожной одежды. Уширение начинают со срезки обочины и откоса ниже дорожной одежды. Одновременно с устроенным слоем дорожной...
71117. Подготовительные работы к реконструкции земляного полотна 479 KB
  Подготовительные работы к реконструкции земляного полотна В состав основных подготовительных работ входят создание геодезической разбивочной основы перенос коммуникаций; расчистка дорожной полосы и территорий отведенных под карьеры и резервы...
71118. Тепловой эффект ферментации и тепловой баланс ферментера (классификация ферментеров). Тепловой эффект процесса ферментации 84.5 KB
  Основой роста и размножения клеток является ассимиляция веществ из окружающей среды. Это – т.н. конструктивный (строительный) обмен или анаболизм. Он немыслим без расхода энергии. Он также невозможен без процессов противоположного типа - катаболизма.
71119. Отделение клеток для получения конечного продукта 87 KB
  Наиболее желательно фильтрование с образованием слоя осадка. В производственных условиях при эксплуатации установок систематически проводят промывку продувку и сушку осадка на фильтрах. В процессе фильтрования движущая сила и сопротивление осадка меняются поэтому скорость м с – величина...
71120. Некоторые особенности механического разделения культуральной жидкости 1.76 MB
  Для улучшения отделения жидкости от мицелиальной массы, с целью минимального содержания жидкости в массе предлагается обрабатывать ферментационное сусло на гидравлических прессах (рис. 2). Гидравлическому уплотнению под действием перепада давления подвергают фильтрующий слой...